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35件 - メーカー・取り扱い企業
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600–1,750nmと880–2,600nmの2タイプ!受光面のサイ…
理経が提供するMarktech社の『InP/InGaAs フォトディテクター』は、 1つの検出器で広範囲な波長領域の受光が可能です。 600-1,750nmと880-2,600nmの2種類をラインアップ。受光面のサイズや パッケ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社理経
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TELEDYN SCIENTIFIC & IMAGING社 InP H…
最先端MMICテクノロジーによるInP-HBT ソリッド ステート パワー アンプ...
メーカー・取り扱い企業: アスコット株式会社
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10Gbps PIN-PD・APDベアチップInGaAs/InP
◆2.5~10Gbpsアプリケーション ◆受光面:32,40,50,…
●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃) Parameter Symbol Rating Unit Reverse voltage VR 10 V Reverse current IR 3 mA Operating temperature range...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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56Gbaud PIN PD ベアチップ InGaAs/InP
◆バックサイドレンズ付 InGaAs PIN-PD◆12μmアクティブ…
◆250/750μmピッチ 4chアレイ品も有り ◆-40~+85℃動作範囲 チップ on キャリアも標準ラインナップ 低暗電流 (ローダークカレント) WOORIRO社は1998年の創業以来一貫して高速光通信用のPLC、InGaAsフォトダイオード(PD)の研究開発を進める韓国のフォトニクス企業です。 光通信用のスプリッタ、AWG、10Gb/s PIN-PD/APD、25Gb/...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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広い動作温度で双方向最大100Mに対応した、産業用VDSL2モデム
NV-500は、1対のメタル線を利用してポイント-ポイント接続でのイーサネット通信を実現します。伝送距離が200mまでは双方向最大100Mbpsの伝送速度を可能にします。 また、ユーザはメタル線の距離や状態に応じてデータ伝送速度制限、または固定ノイズマージン等を選択することができます。 前面パネルにはリンク状態を確認できるLEDがあり、DIPスイッチ設定によってCO(親機)/CPE(子...
メーカー・取り扱い企業: ハイテクインター株式会社
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多様な応用環境に対応可能。-30℃~55℃の温度範囲で正常運転ができま…
『NCM型セル』は、約2000回以上のサイクル回数、8年以上の 長い使用寿命で、単体セルに当たるエネルギー密度は 210Wh/Kgに達することができている業界トップレベルの電池セルです。 シリーズ全体は、国際的な安全性能要件をクリアしております。 また、幅広い動作温度範囲で-30℃~55 °Cの温度範囲で正常運転可能になっています。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 ...
メーカー・取り扱い企業: 国軒高科日本株式会社
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NYPリレー搭載!入力側の絶縁や極性変換用の32点リレーターミナル
<入力側の絶縁や極性変換用の32点リレーターミナル> ◎機器コモンとPLC入力側極性が反対の場合 NPN -> PNP : R32C-YN-INP PNP -> NPN : R32C-YP-INN ◎PLC入力側のリーク電流に起因する誤作動や絶縁目的の場合 NPN -> NPN : R32C-YN-INN PNP -> PNP : R32C-YP-INP <優れた...
メーカー・取り扱い企業: 進電テクノロジー株式会社
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少量ウェーハに対応!研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス! ハ…
e Epi(濃度と膜厚によりますが様々に対応可能です) *~8インチ対応可能です。 *Ge濃度:ご指定下さい *基板にSiやSOIも使用可能です。 SOI、SiC、GaAs、GaN、InP、ゲルマニウム、サファイア、ガラス、その他ウェーハも対応可能です。 成膜加工、Si各種加工品(特殊径・特殊厚み)、その他シリコンウェハ以外にも、化合物基板、高純度化学品、a-SiCパウダーな...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…
nic ○エピ抵抗率:0.1-800 ohm cm ○エピ厚さ:3-150μ 「多層EPIウェーハ加工」 *材料支給も対応可能です。 *数枚から加工可能です。 *基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。 *膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。 「SiGe Epiウェーハ」 *濃度と膜厚によりますが様々に対応可能で...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エナテック 東京本社
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光通信・光センサネットワーク用途に好適な製品を幅広くご提案 R&D・小…
え商品ラインナップを拡張させて参りました。 【製品ラインナップ】 ・光コンポーネント製品(トランシーバー・スイッチ・ロータリージョイント・フィルター) ・光部品カスタム加工サービス ・InP半導体ファンダリサービス ・化合物半導体製造関連装置...
メーカー・取り扱い企業: 理研電具製造株式会社
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SemiNex社は、2003年に米国マサチューセッツ州に設立されたIn…
■エミッターサイズ4μm/5μmのシングルモード、95μm/180μmのマルチモードがある ■高ピークパワーパルス発振用のチップも取り揃えている ■CHP-XXXシリーズ...■波長:1305~1650nm ■出力:800mW(シングルモード)、6.2W(マルチモード)高出力 ■シングルモード/マルチモード/パルス発振...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆O~U帯に対応◆LOW-DOP (<5%)◆ハイパワー対応 (MAX…
/ FCレセプタクル(ASE-IM シリーズ) ●電源:+5V DL-ASE-CW>>CWオペレーション DL-ASE-IM>>ダイレクトモジュレーション Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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SemiNex社は、InP系(1.2~2um)高出力半導体レーザの専門…
■6.2Wまでのマルチモードタイプ、0.8Wまでのシングルモードタイプ ■FACレンズ付きでの供給も可能...■波長:1270~1940nm ■出力:0.5~0.8W(シングルモード)、1~6.2W(マルチモード) ■FACレンズ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
ログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。 また、様々なデバイス(素材)を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…
ログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。 また、様々なデバイス(素材)を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど...
メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社
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◆0.6%以下の低反射率 ◆低ノイズ ◆高速対応 ◆波長レンジ:…
OSIオプトエレlクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。 通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。 特徴 ・0.6%以下の低反射率 ・低ノイズ ・高速対応 ・波長レンジ:900nm~1700nm...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆低電流 ◆動作温度範囲:-40℃〜85℃ ◆Telcordia …
4 (1270-1330nm) ・CWDM6 (1270-1370nm) ・MWDM (1270-1370nm) ・LWDM (1270-1310nm) Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆製品ラインナップ:1200-1700nm◆高出力/高出力効率◆low…
です。 古くからOCT・センシングなどの用途に用いられてきました。 Denselight社のSLEDは光通信波長帯の標準ラインナップを豊富に取り揃えております。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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空間出力/ファイバカップル式 LED USシリーズ 光通信波長帯
◆非冷却 端面発光型 LED◆TO-canまたは同軸ファイバケーブル付…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆PER:≤1.2dB (0.5dB typ) ◆低電流:≤100mA…
本シリーズは偏光度が低く抑えられております。 偏光度の低い光源を使用することで測定に不要な揺らぎや誤差を低減し、より堅牢なセンシングエレメントにつなげます。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆TIAによるオートゲインコントロール機能付 ◆TIA出力コントロー…
インダストリアル仕様 TO-46パッケージ・LCレセプタクル式 TO-46パッケージ式・LCレセプタクル式 ●Features ▪ InGaAs/InP PIN photodiode ▪ TIA auto gain control for an optimization ▪ VGC function to control TIA output...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆DFBレーザ FPレーザー◆1610/1625/1650nm標準ライ…
波長1600nm〜(Uバンド)のDFB光源です。 TO-CANパッケージ品。ファイバピッグテイル付も有ります。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆<50kHz,<100kHz,<200kHz標準ラインナップ◆高PE…
B/hz ・PER : >18dB(typ) ・波長安定性:±1pm @25℃ 1-hour ・波長スイープ範囲:30pm ・モードホップフリー: 0-50℃ Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆狭線幅 (typ <200kHz) ◆LiDAR用狭線幅光源として…
性 (±1pm) ・クーラー温度やドライブカレントのマイナーチェンジにより、pm 単位の高精度な波長設定が可能 ・出力:CW ≤10mW/Pulse ≤50mW Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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微細加工技術を匠の技に深化!
と 評価の実施を行っております。 ナノインプリント技術とドライエッチングにより、様々な材料・基板に 適用可能です。 【加工実績】 ■Sapphire ■SiC ■GaN ■InP ■AlGaInP など ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。...
メーカー・取り扱い企業: イー・アンド・イー・エボリューション株式会社 営業拠点
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化合物半導体市場規模とシェアは2023 -2035年間に 約6% の …
化合物半導体市場規模とシェアは2022年に約360億米ドルの市場価値から、2035年までに約670億米ドルに達すると予測されています。化合物半導体とは、ガリウムヒ素(GaAs)とリン化インジウム(InP)など、周期表の異なるグループに属する2種類以上の元素からなる材料のことです。当社の調査によると、電気自動車の需要増は、化合物半導体市場の成長を促す顕著な要因となっています。III-V族化合物半導...
メーカー・取り扱い企業: SDKI Inc.
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◆1625nm/1650nm◆CW:>40mW/パルス:>100mW◆…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆底面集積型 InGaAs/InP PIN-PD◆同一平面上にGSGコ…
動作波長範囲:1100~1640nm...WOORIRO社は1998年の創業以来一貫して高速光通信用のPLC、InGaAsフォトダイオード(PD)の研究開発を進める韓国のフォトニクス企業です。 光通信用のスプリッタ、AWG、10Gb/s PIN-PD/APD、25Gb/s PIN-PD APD、50Gb/s PIN-PD APD、ROSAの量産品をリリースしており、 昨今では自社InGaAs ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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ハイパワーSOA 14ピン BTFパッケージ 偏波保持ファイバ付
◆ASEバンド幅:≥45nm◆低リップル:≤0.3dB◆高出力:≥17…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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◆ノイズフィギュア:≤8dB ◆CoS・バタフライパッケージ ◆シ…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …
2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています...◆赤外線LD 波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm) ◆垂直共振器面発光レーザ(VCS...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社GLORY 東京営業所
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化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …
2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサー...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社GLORY 東京営業所
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市場でトップクラスの高出力&高効率
【DenseLight社】 ■InP/GaAsベースの光電子デバイスや集積回路、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニー ■SLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では、優れた技術と...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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SemiNex社は、InP系(1.2~2um)高出力半導体レーザの専門…
■6.2Wまでのマルチモードタイプ、0.8Wまでのシングルモードタイプ ■FACレンズ付きでの供給も可能...■波長:1270~1940m ■出力:0.5~0.8W(シングルモード)、3~6.2W(マルチモード) ■FACレンズ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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SemiNex社は、InP系(1.2~2um)高出力半導体レーザの専門…
■TO-56/TO-9 can packageの半導体レーザは、0.5Wまでのシングルモードタイプ、2.5Wまでのマルチモードタイプ、及び40Wピークパワーまでのパルス発振タイプがある ■キャップ無し、FAC/SACレンズ付きでの供給も可能...■波長:1270~1940nm ■出力:0.5W(シングルモード)、2.5W(マルチモード)、40W(パルス) ■キャップ無しタイプ、FACレンズ付...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプトロンサイエンス
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