CZウェーハ　エピ受託加工　SiGeエピウェーハ　他

小ロットからの対応可能です。特殊なエピ、多層エピなどにも出来るだけ対応…

nic ○エピ抵抗率：0.1-800 ohm cm ○エピ厚さ：3-150μ 「多層EPIウェーハ加工」 ＊材料支給も対応可能です。 ＊数枚から加工可能です。 ＊基板Si/GaN/InPなど数層積むことも可能です。 ＊膜厚等の仕様によりバッファー層の有無なども違って参りますのでお問い合わせください。 「SiGe Epiウェーハ」 ＊濃度と膜厚によりますが様々に対応可能で...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

ログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。 また、様々なデバイス（素材）を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

ログをダウンロード頂くか直接お問い合わせ下さい。 また、様々なデバイス（素材）を分断実績多数。Glass、SiC、LCD、Al2O3、Si、Sahhire、Glass+Si、GaAs、LTCC、InPなど...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

GaAs Based Epi Wafer

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …

2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています...◆赤外線LD 波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm) ◆垂直共振器面発光レーザ(VCS...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社GLORY 東京営業所

InP Based Epi Wafer

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …

2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社GLORY 東京営業所