10Gbps PIN-PD・APDベアチップInGaAs/InP

◆2.5～10Gbpsアプリケーション ◆受光面：32,40,50,…

●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃) Parameter　　　　　　　　　　Symbol　　　　　 Rating　　　　　Unit Reverse voltage　　　　　　　　　VR　　　　　　　10　　　　　　V Reverse current　　　　　　　　　IR　　　　　　　　3　　　　　　mA Operating temperature range...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

56Gbaud PIN PD ベアチップ　InGaAs/InP

◆バックサイドレンズ付 InGaAs PIN-PD◆12μmアクティブ…

◆250/750μmピッチ 4chアレイ品も有り ◆-40～+85℃動作範囲 チップ on キャリアも標準ラインナップ 低暗電流 (ローダークカレント) WOORIRO社は1998年の創業以来一貫して高速光通信用のPLC、InGaAsフォトダイオード(PD)の研究開発を進める韓国のフォトニクス企業です。 光通信用のスプリッタ、AWG、10Gb/s PIN-PD/APD、25Gb/...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

【教育用実験装置】燃料噴射ポンプ実験

噴霧状況の観測実験装置

ご不明な点がございましたら、お気軽にお問合せ下さい。...【概要】 ●INP-4-4775 噴射量の測定、ノズルの比較、噴射圧回転数の測定、噴霧状況の観測実験装置。 ●INP-1-1000 ディーゼルエンジン用噴射ポンプのコントロールラック位置、駆動回転数、噴射圧力、噴霧状況の相互関係を観測する実験装置。...

メーカー・取り扱い企業： 東京メータ株式会社

【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析

前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能

ら深い位置に着目層がある構造では、着目層で深さ方向分解能の劣化や上層の濃度分布の影響を受ける懸念があります。このような場合には、前処理により上層を除去してから分析することが有効です。本資料では、 InP/InGaAs系 SHBT（Single Heterojunction Bipolar Transistor）試料について、選択的かつ段階的に層を除去した例を示します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…

迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【特長】 ■探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決 ■多数枚を迅速に計測処理する事が可能 ■0.035～320...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

非接触式超低抵抗レンジシート測定システム『PVE-80』

PCによる簡単な測定操作、データ保存・管理！測定表示単位の変更が可能な…

・新素材、機能性材料関連(カーボンナノチューブ、DLC、グラフェン、銀ナノワイヤーなど) 　・導電性薄膜関連(メタル、ITOなど) 　・化合物半導体関連(GaAs Epi, GaN Epi, InP, Gaなど) 　・その他(※お問い合わせください) ■測定サイズ：～A4サイズ程度(W300 x D210mm) ■測定範囲：50μ～1m Ω/sq ※詳しくはPDF資料をご覧いただ...

メーカー・取り扱い企業： ナプソン株式会社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のス...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

20cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ・キャリア濃度に線形に相関した信号が得られるため、仮定のもとに定量 評価(半定量)が可能 ・AFM像の取得も可能 ・Si, SiC, GaN, InP, GaAs 等の各種半導体が計測可能 この資料では、適用例や原理、データ例などを紹介しています。 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

InGaAsフォトダイオードセラミックアッセンブリ

◆0.6%以下の低反射率 ◆低ノイズ ◆高速対応 ◆波長レンジ：…

OSIオプトエレｌクトロニクス社の最新の製造ラインは非常に低い反射のフォトダイオードを含んでいます。 通信用に設計されたInGaAs/InPフォトダイオードは1520nmから1620nmまで0.6%以下の反射ロスです。 特徴 ・0.6%以下の低反射率 ・低ノイズ ・高速対応 ・波長レンジ：900nm～1700nm...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

56Gbaud PIN LINEAR TIA ROSA

◆TIAによるオートゲインコントロール機能付 ◆TIA出力コントロー…

インダストリアル仕様 TO-46パッケージ・LCレセプタクル式 TO-46パッケージ式・LCレセプタクル式 ●Features ▪ InGaAs/InP PIN photodiode ▪ TIA auto gain control for an optimization ▪ VGC function to control TIA output...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

PIN PD ベアチップ25Gbps

◆底面集積型 InGaAs/InP PIN-PD◆同一平面上にGSGコ…

動作波長範囲：1100～1640nm...WOORIRO社は1998年の創業以来一貫して高速光通信用のPLC、InGaAsフォトダイオード(PD)の研究開発を進める韓国のフォトニクス企業です。 光通信用のスプリッタ、AWG、10Gb/s PIN-PD/APD、25Gb/s PIN-PD APD、50Gb/s PIN-PD APD、ROSAの量産品をリリースしており、 昨今では自社InGaAs ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

酸化膜容量と空乏層容量からなり、 不純物濃度に依存して空乏層幅がかわることを利用して、 濃度の変化をCの変化として検出します。 【適用例】 ■sMIM-C：Si, SiC, GaN, InP, GaAs などの各種半導体素子の拡散層の 　　　　　可視化およびドーパント濃度の半定量評価 ■dC/dV：拡散層形状評価、p/n極性の判定、空乏層の可視化 ※詳しくはPDF資料をご覧...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス