• SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』 製品画像

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』

    PRパワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素(…

    SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバー...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • TMD-PC10  単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー 製品画像

    TMD-PC10  単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー

    PRTMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形し…

    TMD-PC10は特殊技術により単結晶ダイヤモンドを球状集合体に成形した砥粒です。 ワーク中でミクロンエッジを持続し、加工スクラッチを減少する事が可能です。 多結晶ダイヤモンドパウダーと多結晶ライクダイヤモンドパウダーの代替品として適しています。 ■特徴 ※ 単結晶集合型球状ダイヤモンドパウダー ※ 仕上げ面を向上させるオリジナルの砥粒構造 ※ 高い研磨効率を実現するオリジナルの砥粒構造 ※P...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トラストウェル 本社

  • SiCデバイスの裏面発光解析 製品画像

    SiCデバイスの裏面発光解析

    SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

    当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • SiC/GaNデバイスモデル搭載回路シミュレーターScideam 製品画像

    SiC/GaNデバイスモデル搭載回路シミュレーターScideam

    SiC/GaNデバイスモデルを搭載 損失解析が可能な回路シミュレーター…

    SiC/GaNデバイスモデルを搭載した国産の高速回路シミュレーター、Scideam(サイディーム)をご紹介させて頂きます。 25年以上の歴史のある演算アルゴリズムと新たに開発した回路エディター、波形ビューワーにより快適なシミュレーション環境を提供します。 開発初期段階でご利用いただくことにより、仕様未達や不具合などの要因をあらかじめ潰すことができ、設計期間とコストを削減できます。いわゆる「フロ...

    メーカー・取り扱い企業: 穂高電子株式会社

  • LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察 製品画像

    LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

    SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

    当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子(SE2)をInlens検出器で...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • SiCウェーハのエッチピットの形状解析 製品画像

    SiCウェーハのエッチピットの形状解析

    SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で…

    パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下...

    メーカー・取り扱い企業: 東芝ナノアナリシス株式会社

  • 解析技術:静電気破壊 製品画像

    解析技術:静電気破壊

    SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用!IR-…

    当社で行った「静電気破壊」の故障解析をご紹介いたします。 破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査においては異常は確認 されず、このことから、故障規模が微小であることを推察。レーザーと 薬液開封によりSiCチップを露出し、LITによる発熱解析を行うことで 微小な故障箇所を絞り込みました。 アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、プラズマFIB装置を 用いてS...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社クオルテック

  • ウェハ表面解析 製品画像

    ウェハ表面解析

    短時間で測定データの収集が可能!前処理が不要で、試料の再利用ができます

    当社は、KLA-Tencor社製「カンデラCS-10V」による、ウェハ表面解析 を受託いたします。 カンデラでは、微小欠陥を画像データとして検出可能。欠陥の発生マップと 個別欠陥状況の双方が観察できます。 対象材料はサファイア、SiC、GaN、他化合物半導体で、適用サイズは φ2インチ~φ6インチ ウェハ(t1mm以下)となっております。 【特長】 ■短時間で測定データの...

    メーカー・取り扱い企業: シンコー株式会社

  • 短絡耐量評価・解析レポート 製品画像

    短絡耐量評価・解析レポート

    短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!

    株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する  物...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • 次世代自動車向け熱マネジメント ソリューション 製品画像

    次世代自動車向け熱マネジメント ソリューション

    自動車関連の熱設計・熱対策の課題を解決する特設WEBサイト必見! ~三…

    現在、世界中でカーボンニュートラル(温室効果ガス排出の実質ゼロ)実現のため、xEVの開発、普及が進められていますが、 その中でも各構成部品の「熱への対応」、即ち「熱マネジメント」が大きな課題となっております。 同サイトでは、xEV向けにお客様が抱える熱設計・熱対策に関する課題に対して、 当社が提供するAuSnペースト、サーミスタ、絶縁放熱基板により、その解決に繋がる事例を動画を交えてわか...

    メーカー・取り扱い企業: 三菱マテリアル株式会社 高機能製品カンパニー 電子材料事業部 営業部

  • パワー半導体の解析サービス 製品画像

    パワー半導体の解析サービス

    故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

    株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS 製品画像

    半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS

    多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

    <主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」 製品画像

    半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」

    2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…

    <主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 <デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D 製品画像

    半導体レーザ・光デバイス用3Dシミュレーター PICS3D

    新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…

    <主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーテ...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 太陽電池も解析・設計可能な半導体デバイスシミュレータ APSYS 製品画像

    太陽電池も解析・設計可能な半導体デバイスシミュレータ APSYS

    多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…

    <主な特徴> ■自己無撞着(自己整合)に電気および光学を 2D/3D シミュレーション ■転送マトリックス、FDTD、およびレイトレーシング光学モデル ■太陽電池は、結晶半導体、酸化物、アモルファス材料、および有機材料などを含む ■単接合および多接合太陽電池 ■表面テクスチャおよび光学コーティング ■非局所トンネル接合モデル ■窒化物材料の界面分極電荷 ■IV 曲線と量子効率を取得...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

  • 第一原理計算 材料シミュレーションmatelierPHASE/0 製品画像

    第一原理計算 材料シミュレーションmatelierPHASE/0

    第一原理計算による材料シミュレーション「matelier PHASE/…

       <新規材料のシミュレーション(物性値予測)にご活用いただけます。> 第一原理バンド計算ソフト「PHASE/0」は、量子力学に則って物質の電子状態を求めますので、精密な解析が可能です。計算に際して、実験結果に基づくパラメータは必要ありません。実験結果の解釈や、新規材料の物性値予測にもご活用いただけます。 【 主な解析対象 】 半導体(IV族、III-V族、窒化物、酸化物、シリサイド系...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アスムス

  • PICS3D(Fabry-Perot Edition)     製品画像

    PICS3D(Fabry-Perot Edition)

    2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧…

    <主な特徴> ■2次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも2次元で設定するため収束がよりスムーズ <多様な物理モデルや機能> ■光出力-電流(L-I)特性 ■電流-電圧(I-V)特性 ■2次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の2次元分布 ■様々なバイアス条...

    メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社

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