★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

PRmm単位を超える広い面内測定範囲！多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

SiC (MOSFET/SBD) モジュール

装置の小型化、高効率に貢献　SiCパワーモジュール

(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC パワーモジュールを共同開発 SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

モジュール『Easy 1B, 2B』

高効率なため運用コストも削減可能。高い電力密度をもつパワーモジュール

Infineon Technologies社の『Easy 1B, 2B』は、SiC MOSFETを搭載した パワーモジュールです。 低浮遊インダクタンスの標準となったEasyパワーモジュールの特長と、 インフィニオンの1200V CoolSiC MOSFETチップの特...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバ…

コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクテ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所