厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

PR大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。 基板化したことで以下の効果が見込めます。 ・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装 ・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止 ・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化 ・一般的に厚銅基板というと銅箔厚が200μ(0.2mm)以上の基板を指しますが...

メーカー・取り扱い企業： 共栄電資株式会社

【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

PRmm単位を超える広い面内測定範囲！多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて…

料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバー...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

総合カタログ『絶縁デバイス』

アイソレーションアンプ・ゲートドライバーなどを多数ご紹介

SA205SF/ISA205DF 　・高機能アイソレーションアンプ　ISA218-RI 　・高性能アイソレーションアンプ　ISA219/ISA223　他 ■ゲートドライバー 　・120A SiCパワーモジュール用ドライバー　GDUSC12 　・大容量高速ゲートドライバー　GDU40 　・IGBT一体取付型ゲートドライバー　GDU51　他 ■DC-DCコンバータ 　・高耐圧DC-D...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社

ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用…

『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本パルス工業株式会社