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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PRmm単位を超える広い面内測定範囲!多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…
当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....
メーカー・取り扱い企業: 株式会社新興製作所
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国内外での実績豊富。スラリーの固形分濃度の算出。ノーメンテナンス 3年…
です。 濃度調整用のほか、再生用や戻り(リターン)配管への設置など、様々なポイントに設置できます。 砥粒についてもシリカ、アルミナ、酸化セリウム他、様々な素材に対応可能です。Si用のほか、SiC用にも対応します。 過酸化水素(H2O2)の濃度、過マンガン酸カリウム(KMnO4)の濃度調整などに使用することも可能です。 接液材質の変更も可能な連続測定用センサーのため、アルカリにも対...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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あらゆる化学反応、スケールに、常に対応する製品ファミリー
開発は、幅広いアプリケーションに適した新しい反応経路への道を開きます。 MAS 24とMonowave 300を使用したシーケンシルメソッドの最適化、またはSynthos 3000の炭化ケイ素(SiC)ローターによるパラレル最適化を実行すれば、化学者の日常的な作業負荷は大幅に軽減されます。 ■パラレルスケールアップ 様々なグラム範囲にパラレルスケールアップする場合は、Rotor 16を...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3 半導体ウェハ用
表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…
【測定対象】 半導体ウェハ (シリコンウェハ、ガリウム砒素 (GaAs) ウェハ、ガリウム燐 (GaP) ウェハ 、窒化ガリウム (GaN) ウェハ、シリコンカーバイド (SiC) ウェハ、サファイアウェハ、化合物半導体ウェハ、SAWウェハ) 【測定サンプルの規格】 サンプルサイズ :最小 35 mm x 15 mm、または、最小直径 17 mm サンプル厚さ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アントンパール・ジャパン
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