• 偏光ビームスプリッター ワイヤグリッドタイプ・キューブ型 製品画像

    偏光ビームスプリッター ワイヤグリッドタイプ・キューブ型

    PRカスタマイズ可能なワイヤグリッド偏光ビームスプリッター、入射角依存の少…

    WGF(TM)を使用した、ワイヤグリッド偏光ビームスプリッターキューブタイプ(WGF(TM) PBS)です。 すでにハーフミラーをお使いの場合、WGF(TM) PBSに替えることで輝度向上が期待できます。 縮小系でも色や偏光度が部分的に変わることはなく、画像検査の精度を向上させます。 入射角依存が少なく、安定した光学性能を維持します。 ※WGF(TM)は旭化成の製品です。...規格品 WP...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社オプティカルソリューションズ

  • コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します 製品画像

    コネクタ形状を間違えた!→【光アダプタ/変換プラグ】で解決します

    PR「短くて繋げない」「コネクタ形状が違う」ケーブルの緊急トラブルを解決し…

    様々な場面で必要になる「ケーブル」について、こんなトラブルはありませんか? 「ケーブルが明日必要なのに、ケーブルが短い!」 「コネクタの形が違うため接続が出来ない!調達する時間もない!」 ★データコントロルズの光アクセサリで、こんな緊急トラブルを解決します★ 中継アダプタ、変換プラグ、光パッチパネルなど常時在庫多数なため 15時までのご注文で最短翌日に納品可能です! 【トラブル解決事例】 ケ...

    メーカー・取り扱い企業: データコントロルズ株式会社

  • レポート Intel 22nm Haswell eDRAM 製品画像

    レポート Intel 22nm Haswell eDRAM

    Intel(R) eDRAM の詳細にわたる構造解析レポートです

    「Intel(R) 22nm Haswell eDRAM」は、IntelGT3 graphicssing unit (GPU) に搭載されている Haswell G82494 プロセッサーにあたる埋込型(エンペッド)DRAM ...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm」 製品画像

    メモリー構造解析レポート 「SK Hynix 16 nm

    フラッシュメモリーの 詳細なメモリー構造解析レポート

    本レポートは、Apple iPhone 6 Plusスマートフォンに採用されているSK Hynix H2JTDG8UD1BMS (16 GB、16nm ノード MLC NAND フラッシュメモリー) の詳細構造解析です。 本デバイスは 3 層メタル構造プロセス (第 1、2 金属層: W、第 3 金属層:Al)、ポリサイド製制御ゲート、ポリシリ...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート 20 nm HKMG Qualcomm 製品画像

    レポート 20 nm HKMG Qualcomm

    Gobi MDM9235モデムのロジック詳細構造解析

    本レポートは、20nmノードQualcomm MDM9235モデムの詳細構造解析 (LDSA) です。 MDM9235は第4世代のQualcomm Gobi 9x35 シリーズモデムで、20nm CMOS プロセスを使...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート 製品画像

    Samsung21nm TLC NANDの波形解析レポート

    デバイス設計・開発の方へ!サムスン社のNANDフラッシュの分析レポート…

    集積回路・電子システム技術・特許解析大手のセミコンダクターインサイツジャパンより、Samsung社の64 Gbit 21 nmTLC NANDフラッシュの波形解析レポートのご紹介です。この波形解析は、デバイスがいくつかの異なる標準的な動作モードで動作している時の、重要な各信号の信号動作を説明するものです。解析した部品は、S...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート 製品画像

    レポート サムソンメモリーセルのプロセス比較レポート

    20nm class DRAMと0nm class 2Gb DDR3D…

    「Samsung 20nm class 3GB(6x4Gbit) LPDDR3」の構造解析を再構成したものです。 主な目的は20nm class DRAMとそれの一世代前の30nm class 2Gb DDR3 DRAM...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • 材料の光学測定受託サービス 製品画像

    材料の光学測定受託サービス

    材料の分光透過・反射率の測定、透過・反射の散乱特性など、スタンダードな…

    「ゴニオフォトメータによる散乱測定」 ●測定波長範囲 ・400nm - 800nm(ハロゲン光源を使用) ・バンドパスフィルターによる分光 ●推奨サンプル形状とサイズ ・平板 ・60mm角かそれより小さい場合は直径43mmの円よりも大きいこと ・厚みは最...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Camerium

  • レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー 製品画像

    レポート Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー

    TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです

    「Oracle SPARC T5マルチコアプロセッサー」は、TSMC 28nm HPプロセスで造られた構造解析レポートです。 T5は3.6GHZクロックで動作する16コアSoCです。13メタル層(12 Cu, 1 Al)、high-K metal gate(HKMG)のTS...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • 光ビーム計測・解析装置『M-Scope type HS』 製品画像

    光ビーム計測・解析装置『M-Scope type HS』

    【※デモ測定対応可能】ビーム形状の出射方向の変化を測定することもできま…

    99%減光(反射光はビームダンパーにより遮蔽)、およびフィルタポートへの減光フィルタ挿入併用方式(最大2枚まで同時挿入可能) ■測定対応波長域  ・M-Scope type HS/BL:400nm-450nm  ・M-Scope type HS/NIR:850nm・940nm  ※上記以外の計測波長対応に関してはご相談ください ■偏光依存性補償:ビームサンプラー内蔵減衰ミラー2段直交配...

    メーカー・取り扱い企業: シナジーオプトシステムズ株式会社

  • LED可視光シミュレータ『Iris』 製品画像

    LED可視光シミュレータ『Iris』

    対象セルを均一に照射!電力消費も大幅に抑えられるLED可視光シミュレー…

    【仕様(照射光源部)】 ■使用LED ・400~800nm:28種類のLED ・400~1100nm:34種類のLED ■分光特性:AM1.5Gに近似した分光特性±10%以内(Class-A)       (但し放射照度 100mW/cm2に於いて)...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セルシステム

  • 【材料・不良解析】共焦点(コンフォーカル)顕微鏡 製品画像

    【材料・不良解析】共焦点(コンフォーカル)顕微鏡

    高い解像力をもつ測定用の顕微鏡!表面粗さ測定、形状測定/比較で利用さ…

    マイクロスコープ「OPTELICS HYBRID」は、 凹凸のある試料面に対して、視野内全面にピントの合った高解像画像を 得ることができます。 非破壊、非接触の3次元形状計測が可能。405nmレーザー光線による高倍率・ 高分解能観察で超微細構造も鮮明に可視化します。 【測定範囲】 ■幅測定 ・最小測定単位 0.001μm、測定再現性 3σ<10nm ■高さ測定 ・スケー...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ミツバ環境ソリューション

  • レポート ValleyView Atom Z3740 Soc 製品画像

    レポート ValleyView Atom Z3740 Soc

    Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポート…

    「Intel(R) 22nm ValleyView Atom(TM) Z3740 Soc」は、Intel Atom 23740 プロセッサーの詳細な構造解析レポートです。 24740はwindows と Android タブ...

    メーカー・取り扱い企業: テックインサイツジャパン株式会社(TechInsights)

  • EELS分析手法による膜質評価 製品画像

    EELS分析手法による膜質評価

    元素同定を行うEELS分析により、物質の結合状態の比較が可能です!

    用するパラメータ:エネルギー損失電子 ■エネルギー分解能:1eV以下 ■長所:状態分析軽元素分析(Li,B) ■短所:広範囲の元素を同時分析が困難 ■測定時間:5s ■TEM試料厚:約50nm以下 <EDS> ■分析に使用するパラメータ:特性X線 ■エネルギー分解能:100eV前後 ■長所:全元素についての分析 ■短所:近接するエネルギーを持つ元素のピーク分離が困難 ■測定時...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス

  • 極短パルス解析システム 製品画像

    極短パルス解析システム

    アライメントが容易!メサフォトニクス社製の極短パルス解析システム

    極短パルスレーザーのパルス幅測定器を専門とするメサフォトニクス社製の 『極短パルス解析システム』です。 パルス幅12fs~数10fs、波長450nm~2μmのレンジで使用可能。 アライメントが容易で使い勝手の良いシステムとして、レーザーメーカー含め 数多く使用されています。 【特長】 ■パルス幅:12fs~数10fs ■波長:...

    メーカー・取り扱い企業: オーテックス株式会社

  • 【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価 製品画像

    【AFM/AESオージェ電子分光装置】めっき部品の加熱影響評価

    AFM走査型プローブ顕微鏡/AESオージェ電子分光装置によりめっき部品…

    原子間力、摩擦力、静電気力などがあります。 また、大気中、真空中の様々な環境において測定ができ、導電性、絶縁性を問わず試料表面の観察が可能です。 AESオージェ電子分光装置では、材料の極表層(~5nm程度)の元素分析や深さ方向の濃度勾配を調査することが可能です。 この2つの分析装置を使い「めっき済みのコネクタ接点用ピン表面」の加熱影響調査を行いました。 ぜひPDF資料をご一読ください...

    メーカー・取り扱い企業: セイコーフューチャークリエーション株式会社

  • レーザパワーメータ『パワーモニタ(PM)』 製品画像

    レーザパワーメータ『パワーモニタ(PM)』

    低反射、高吸収で高い信頼性のハイパワーレーザ測定用パワーメータ

    計 ■ロバスト設計:製造現場など厳しい使用環境に耐えます ■測定精度:+/-2%以下、再現性:+/-1%以下 【仕様】 ■開口径:48mm or 100mm ■波長:350~1,100nm or 10,600nm ■入力パワー:300W~8kW or 1kW~25kW ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。...

    メーカー・取り扱い企業: PRIMES Japan株式会社

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