大型ガントリー式 同時5軸マシニングセンタ『G800-TR』

PR航空業界での実績多数！エンジンケース等の大型部品やアルミ合金・チタン合…

大型ガントリー式 同時5軸マシニングセンタ『G800-TR』、航空機部品・金型及び一般産業部品加工用に開発された 大型ガントリー式同時5軸マシニングセンタです。 高トルクタイプの主軸を搭載してており、容易にチタン合金・ニッケル系合金・アルミ合金部品など、難削材加工も容易に。 大型のエンジンケースやエンジンブレードなども容易に加工でき、航空業界での導入実績が多数存在します。 また、安定した5軸同時...

メーカー・取り扱い企業： 東台精機ジャパン株式会社

小型通気式固体培養装置

PRシンプルな構造とすぐれた操作性！微生物によるものづくり

『小型通気式固体培養装置』は、実用規模の固体培養装置と同質の 基質通気式品温制御を採用した製品です。 産業化を想定した通気式固体培養を再現性高く行うことが可能。 また、品温制御が連続基質通風方式のため、産業化を見据えた培養実験を 小規模で再現性高く行うことが出来ます。 原料投入から洗浄までの全ての工程を一人で対応できるシンプルな 構造と優れた操作性は、高い評価を得ています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジワラテクノアート

FA機器システム　アルミ構造材

液晶・半導体装置から各種産業機器までＦＡのあらゆるニーズに応えた高機能…

標準化されたフレームとパーツ類で構成され、そのフレキシビリティー、リサイクル性は、構造材として大変有効です。 【特徴】 ○セル生産と環境に貢献する高いリサイクル性を実現 ○アルミ押出材を採用しているため、軽量かつリサイクル性に優れる ○すべてのコネクタがボルトで結合でき、分解が容易...

メーカー・取り扱い企業： 鈴幸商事株式会社

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

Nx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子レベルのミクロな構造解析を行える実験手法は限られているため、シミュレーションによってさまざまな組成、密度を有したアモルファス構造を作成し、解析を行うことは有効なツールとなります。本...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

3Dプリンターで中空構造の試作を実現

光造形(３Dプリンター)やシリコーンゴム型を使用し、 アンダーカット…

３Dプリンターで、中空構造の試作を実現 3Dプリンターを使用すると、、 複雑形状の切削加工と比べると圧倒的な時間短縮が可能となり、切削加工では不可能なアンダーカット部や中空形状などの複雑形状でも一体造形が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社クロスエフェクト

耐油・耐溶剤特性に優れた防塵２重構造の小型フォトインタラプタ

耐油・耐溶剤特性に優れた防塵２重構造の小型フォトインタラプタ

、「ＳＧ２Ａ０１-Ａ」は可視光カットフィルタを内蔵しており、モデル毎の取り付け位置の検討は大幅に短縮できることになりました。 「ＳＧ２Ａ０１-Ａ」は、光学部品のパッケージと外装パッケージの２重構造になっており、光学部品に微細な粉塵の進入を防ぐことができます。 「ＳＧ２Ａ０１-Ａ」は、５端子の出力コネクタが内蔵されているため、実装後の配線処理が容易になります。 鉛フリー対策を施して...

メーカー・取り扱い企業： コーデンシ株式会社

高アスペクト構造　トレンチパターンウェハ 『PT063』

深堀エッチング技術で高アスペクトトレンチパターンウェハを実現

品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フィルテック　 本社

ハイブリッドI.C【最適な回路構成・ 外形構造を実現！】

最適な回路構成・外形構造を実現するカスタム仕様のIC！お客様の製品の小…

『ハイブリッドI.C（H.I.C）』とは、お客様の要求に応じて最適な回路構成・外形構造を実現したカスタム仕様のICです。当社では、セラミック基盤をはじめ、ガラスエポキシ基板やフレキシブル基板などに対応。厚膜印刷やベアチップ搭載など幅広い実装技術で、お客様の製品の小型化に貢献します。さ...

メーカー・取り扱い企業： 光山電気工業株式会社 拡販推進

プロセスガス用マニュアルバルブ「OGDシリーズ」

90°回転スナップアクション方式のマニュアルバルブです。

しひねるだけでバルブクローズ可能。 ハンドルの方向＆上面インジケータによりバルブの開閉状態が確認可能。 パネルマウント対応（オプション）。 【内部シールの性能アップ】 ロッドが回転しない構造による安定。 スプリングシールによる安定。 最適なシール構造と面粗度の向上によるパーティクルの発生を削減。...

メーカー・取り扱い企業： ＣＫＤ株式会社

CKD 高真空用エアオペレイトバルブ AVB

【太陽電池、ＦＰＤ、半導体製造工程に】長寿命、高耐久性を実現。高い信頼…

【長寿命・高耐久】（パート７シリーズ） 独自構造により長寿命と使い勝手を向上したスタンダードモデル。 成形べローズの形状最適化により高い耐久性。 アルミボディ採用で軽量化。 実力値300万回の圧倒的な耐久性（当社規定条件にて）。 【設...

メーカー・取り扱い企業： ＣＫＤ株式会社

ＩS製品シリーズ　【事例】半導体の構造解析

故障部位の｢平面研磨｣及び｢断面研磨｣を行い、原因の特定を行いました。

PKGの実装前の観察画像に対し、基板実装後に内部の様子に変化が生じたため、観察画像の結果より、故障部位の｢平面研磨｣及び｢断面研磨｣を行い、原因の特定を行いました。同モードの不良がいくつかある場合には、平面研磨・断面研磨と両方からの解析及び観察ができます。変化した部位に空洞が発生していることから、電子部品と基板間には半田ボールで接続後、アンダーフィルを流し込み密着性を上げました。この白い部分には｢...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社池上精機

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

半導体パッケージ（EBGA）

独自のキャビティ構造形成技術により小型化・高密度化に対応する半導体パッ…

当社の「半導体パッケージ（EBGA）」は、独自のキャビティ構造形成 技術、微細パターン形成技術および、無電解金めっき技術の採用により、小型化・高密度化に対応します。 独自の工法により、立体的なキャビティ構造のパッケージを製作。 セラミック基板のキャビ...

メーカー・取り扱い企業： 日本ミクロン株式会社

【技術資料】光検出素子

光検出素子の概要を解説！技術資料を無料プレゼント中

フォトダイオード（PD ）は、半導体の PN 接合部に光を照射したときにその光強度変化を電気信号（電圧、電流）に変換する受光素子です。フォトダイオードはその特性や構造によって、PNPD、PIN-PD、そして APDの３つに大分されています。各々の特性の違いを理解して、用途に応じて使い分けます。 【掲載内容のご紹介】 ・ フォトダイオードとは ・ フォトダイオ...

メーカー・取り扱い企業： デクセリアルズ株式会社

エアオペレイトバルブ「AGDシリーズ」

メタルダイアフラムを採用したプロセスガス用バルブです 3方弁、2連3…

【スタンダードタイプ】 耐久性：100万回（実績値400万回） 集積化ガス供給システムに対応（1.5inch、1.125inch） 【内部シールの性能アップ】 最適なシール構造と面粗度の向上によるパーティクルの発生を削減。...

メーカー・取り扱い企業： ＣＫＤ株式会社

安定供給　パワーモジュール/スタック（サイリスタ・ダイオード）

【カスタム対応、小ロットOK、他社代替品互換、国内生産】サイリスタモジ…

ジェルシステムでは、サイリスタ及びダイオードのパワーモジュールを取り扱っており、4端子・3端子の2in1パッケージをラインアップしています。パッケージング技術と独自の構造設計により放熱特性を向上し接続パターンによって様々な回路に対応します。 【サイリスタモジュール】 ◇平均オン電流150A・200A ◇繰り返しピークオフ電圧800V・1600V ◇パッケ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【分析事例】ワイドギャップ半導体β-Ga2O3のドーパント存在

ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能

や酸化物半導体の材料として期待されています。近年、β-Ga2O3はSiまたはSnのドーピングでn型化することが報告されています。本資料では、β-Ga2O3にSiもしくはSnをドープしたモデルに対して構造最適化計算を実施し、各ドーパントが結晶中でどのサイトを占有しやすいかを評価しました。続いて、得られた構造モデルから状態密度を計算し、ドーピングによる電子状態の変化を調査しました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST