高抵抗 | イプロスものづくり

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【新規開発品】低温/無加圧で緻密な銀焼結層を実現するOS銀微粒子

PR低温/無加圧で緻密な銀焼結層を実現！ナノ～サブミクロン径の銀微粒子をラ…

株式会社大阪ソーダの新規開発品『OS銀微粒子』をご紹介します。銀ナノ粒子合成技術の応用により、高い低温焼結性を維持したまま従来市販品に無い粒径域の銀ナノ粒子をラインアップしました。活用例として、市販の銀粒子と組み合わせ最密充填設計とすることで、低温/無加圧の接合条件でも、緻密かつ低収縮の焼結接合層で高い信頼性・接合強度・導電率を実現できます。【OS銀微粒子を添加した銀焼結層の特徴】...
メーカー・取り扱い企業：株式会社大阪ソーダ事業開発本部＆ヘルスケア事業部
＜無料サンプル進呈＞電子基板用防水防湿コーティング

PR非有機溶剤で安心安全。電子部品の防水や絶縁など、コンフォーマルコーティ…

電子基板用保護コーティング剤『フロロサーフFG-3650シリーズ』は、電子部品の防水や絶縁保護、実装基板の防湿防水コーティング（コンフォーマルコーティング）に適しています。 ▼フロロサーフFG-3650シリーズの優れた性能高防湿・防水性　/　耐リチウム電池電解液　/　耐酸性・耐酸化ガス高絶縁抵抗・低誘電率　/　非引火性・非危険物～　　　　法人様限定で【無料サンプル】を進呈しています！...

メーカー・取り扱い企業：株式会社フロロテクノロジー
【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。＜特徴＞・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチゲートフィールドストップ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ
窒化ガリウム次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にもつながります。インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。【特長】 ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメントモードのGaNオンシリコンパワートランジスタです。幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップを搭載。電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
GaNデバイスハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社はGaNの重要な特許はすべて保有。 GaN HEMTの開発及び、量産からアプリケーションまで自社で技術を保有。ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済み。高品質、高信頼性を確保した製品日本国内での不具合解析、技術対応可能...トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所
パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

『CGD65A130S2』は、エンハンスメントモードのGaNオンシリコンパワートランジスタです。電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL
パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－　各種サンプル形態に対応します。　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－　IR-OBIRCH...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
【ディスクリート】IGBT　ラインアップ一覧

バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デ…

『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの電力制御用途によく使われています。【ラインアップ(抜粋...
メーカー・取り扱い企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズのリ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージです。Qgが低く、省エネに貢献できます！【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...GEN1シリーズよりさらに進化したGEN2シリーズ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいた...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社
ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージです。【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス ...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社