• セラミックス製 構造部品【ミクロンオーダーにも対応可能】 製品画像

    セラミックス製 構造部品【ミクロンオーダーにも対応可能】

    新東独自の成形技術「浸透Vプロセス」で大型形状品や複雑形状部品の一体成…

    浸透Vプロセスは、鋳造で用いられている「Vプロセス法」をセラミックスの成形に応用した技術で、 大型で複雑形状の部品をセラミックスで高品質に製作できる鋳込み成形技術です。 セラミックスの特性を活かし、半導体、FPD、電子部品をはじめとした製造/検査装置の部品から 超精密測定器具など、様々な分野で高い評価を得ています。 お客様の用途や課題に合わせ、材質選定からご提案いたします。 【特...

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    メーカー・取り扱い企業: 新東Vセラックス株式会社

  • パワーデバイス(SiC)をチップ化 製品画像

    パワーデバイス(SiC)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化 製品画像

    高周波デバイス(GaNonSiC、GaAs)をチップ化

    ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

    三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ&ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、アルミナ(Al2O3) 、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素(Si3N4)、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工(個片化)する技術です。  MDI独自技術であるSnB「スクライブ&ブレーク」によっ...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

  • 韓国製 スパッタリングターゲット(AZO,ZnO,GZOタイプ) 製品画像

    韓国製 スパッタリングターゲット(AZO,ZnO,GZOタイプ)

    太陽電池用・ディスプレイ等で採用実績多数の透明導電用スパッタリングター…

    *TCO(透明導電膜)ターゲット材 *ナノ粒子を用いた緻密なセラミックコート素材 *AZO(ZnO(酸化亜鉛)+Al2O3(酸化アルミニウム))系、  ZnO(酸化亜鉛)系、GZO(ZnO(酸化亜鉛)+Ga2O3(酸化ガリウム(III))系  がございます。  AZO・ZnOターゲットは理論密度99.5%以上の高密度。  GZOターゲットは99%以上の高密度 *ターゲット表面抵抗:5...

    メーカー・取り扱い企業: 蝶理株式会社 無機ファイン部

  • カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法 製品画像

    カーフロスゼロで高速切断!ドライ加工のスクライブ&ブレイク工法

    水を使わないスクライブ&ブレイク工法!ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

    三星ダイヤモンド工業の「スクライブ&ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工(個片化)する技術です。  独自の技術である「スクライブ&ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

    メーカー・取り扱い企業: 三星ダイヤモンド工業株式会社

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