パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

ALD（アトミックレイヤーデポジション）　アプリケーション例

ALD（アトミックレイヤーデポジション）　アプリケーション例を写真付き…

当社では、フィンランド・Picosun社のALD成膜装置を取り扱っております。 ALD (アトミックレイヤーデポジション)は、既存のPVD, CVD,蒸着等の 成膜技術より、段差被覆性に優れ、膜厚が1原子層レベルで制御でき、 バリア性が高く膜質が良いなどの特長があります。 当資料では、アプリケーション例を写真でご紹介しています。 【アプリケーション例】 ■トレンチの成膜 ...

メーカー・取り扱い企業： PICOSUN JAPAN株式会社

サファイアウエハー及びインゴット

研究用や真空装置のビューイングポートでの使用に最適！少量販売も可能です

◆研究用や真空装置のビューイングポートでの使用に最適 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。 サファイアとは サファイアは結晶化されたアルミナ（Al2O3)を2050℃以上で溶解し、種結晶につけ引き上げながらゆっくり冷やして行くことで生成します。 引き上げ方法にはキロプロス法、CZ（チョクラスルキー）法、ベルヌーイ法、EFG法などありますが、当...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社マツボー

【研磨加工素材】酸化物材料　研磨加工

様々な酸化物半導体結晶の研磨加工が可能です。

弊社では、加工技術を量産で対応出来る能力を持ち合わせております。 又、青色発光ダイオードやレーザーダイオードに用いられる基板の研磨加工も行っています。 用途に応じた加工スペックを満足すべくラッピング、ポリッシング加工を量産ベースで行っています。 【加工詳細】 ■材料名：LiTaO3（LT）、LiNbO3（LN）、ZnO、 水晶、サファイア、サファイア再生、etc. ■加工素材：LiN...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

酸化物単結晶

移動体通信を中心としたIT分野向け各種酸化物単結晶ならお任せください

当社は、長年にわたって培ってまいりました酸化物単結晶製造技術を基盤に、 お客様より信頼と満足を得られる高品質な製品を提供いたします。 結晶の大型化と高品質化が求められる中で早くから5インチφ（125mmφ）、 6インチφ（150mmφ）の単結晶開発に着手。単結晶育成条件の高精度化を 追求し、1998年に6インチφニオブ酸リチウム単結晶の量産化に成功、 2001年に5インチφ、6インチ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社山寿セラミックス

カーフロスゼロで高速切断！ドライ加工のスクライブ＆ブレイク工法

水を使わないスクライブ＆ブレイク工法！ガラスやセラミックなどの硬脆性材…

三星ダイヤモンド工業の「スクライブ＆ブレイク工法」は、ガラス(Glass)、アルミナ(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、サファイア(Sapphire)、シリコン(Si)などを基材に金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を切断加工（個片化）する技術です。　 独自の技術である「スクライブ＆ブレイク」によって、カーフロスゼロ・高速・高品質・完全ドライ加工を実現します。製品取数の増...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社