★中心粒径250nm～★焼結体向け超微粒SiCパウダー

PR【低温焼結・高密度化】焼結用材料に好適！超微粒α-SiCパウダー

当社独自のSiC(炭化ケイ素)微細化技術を活かしたα-SiCパウダー『GC#40000』をご提供 『Dv50（中心粒径）：0.25μm』の超微粒SiCによる、優れた焼結性を示します （GC#40000を焼結体原料に使用により期待されるメリット） 　・低温焼成：CO2削減、ランニングコスト低減 　・緻密化　：成形体強度の向上、ポアの抑制 ※プレス成型や金型における流動性が必要な場合、球状SiC造...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フジミインコーポレーテッド

半導体・センサパッケージング＆カメラモジュールの開発・製造

PR半導体・センサパッケージングや半導体モジュールの開発・試作、小中規模量…

当社では、半導体ベアチップ実装、マイクロ接合技術による小型実装モジュールの開発から、 小中規模の量産までワンストップでサポートします。 カメラの受託製造も承っています。 こんなことでお困りの方、お気軽にお問い合わせください！ 【モジュール開発・実装技術開発サービス】 ■実装基板の小型化をしたいが専門化がいない。 ■新たに実装工法を開発したい。 【試作サービス】 ■原理試作・エンジニアリングサ...

メーカー・取り扱い企業： マイクロモジュールテクノロジー株式会社

パワーデバイス『ウエハーレベル バーンイン』

完全なハードウェアで各回路を保護！最大6枚、または12枚のウエハーの同…

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。 最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適 ■治具ご...

メーカー・取り扱い企業： Semi Next株式会社

各種デバイス、素子向け『ウエハーレベル バーンイン』

完全なハードウェアで各回路を保護！最大6枚、または12枚のウエハーの同…

『wafer level burn-in』は、Si、GaN、SiC、セラミック等のデバイスをウェーハでバーンインでき、デバイスのバーイン効率を大幅アップ！ 最大6枚、または12枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。 また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで 各回路を保護します。 【特長】 ■Si、GaN、SiC、セラミック等のウェーハのバーン...

メーカー・取り扱い企業： Semi Next株式会社