走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定 事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントの サービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの 深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した 化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター