化合物半導体ウエハ用非接触搬送装置「ＳＡＧ（ＩｎＰ）型」

化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）を気体供給操作を行い、ウ…

◎特徴 １．４５０℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 ２．化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2～４ｉｎ ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/4ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/2ウエハ ...高温化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）をベルヌーイチャック「フロートチャックＳＡＧ（ＩｎＰ）型」（特許）に気体供給のＯＮ－Ｏ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所

RIBER　MBEセル（蒸着源）

MBEセル（蒸着源、分子線セル）はエピタキシャル膜の品質において重要で…

分子線を作り出すMBEセルは、エピタキシャル膜の品質（均一性・組成・純度・モフォロジーなど）を左右する最も重要なコンポーネントです。RIBER社では、材料特性や用途に合わせて豊富なラインナップを用意しています。RIBERオリジナル装置のみならず、ありとあらゆるMBE装置の仕様に合わせてカスタマイズ提案が可能です。 ・標準型クヌーセンセル ・ヒ素、リン、アンチモン向けバルブドクラッカーセル ...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社

RIBER社 分子線エピタキシー（MBE）装置

パッシベーション用MBE装置は、レーザーファセットパッシベーション等の…

パッシベーション用MBE装置は、表面パッシベーションまたはレーザーファセットパッシベーションのために特別に設計された各種チャンバーで構成されております。表面やファセット面を保護するために、さまざまなコーティングを使用することが可能です。代表的な材料としてZnSe、SiN、酸化物等がある。 構成例として、クリーニングとパッシベーションを行うレーザーの両端でデバイスホルダーを反転させる機能が含むチャ...

メーカー・取り扱い企業： 伯東株式会社 本社