GAAS | イプロスものづくり

ソーラシミュレータ法を用いた基準太陽電池の校正に。分光感度特性が類似し…

GaAs型（III–V族化合物半導体）セルは、従来のSi型セルに⽐べ、はるかにペロブスカイト型セルと似た分光感度特性を有しており、安定性においても優れています。 GaAs型セルは、ペロブスカイト型のリファレンスとして一般的に用いられる「Si型セル」と「色ガラスフィルタKG-5」の組み合わせによる測定と比較して、スペクトルミスマッチがはるかに優れています。オランダのReRa Solutions は...

メーカー・取り扱い企業：石川産業株式会社

GaAsフォトダイオード　OSI optoelectronics

◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ …

アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。一般的に400から850nmに感度があります。【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用にデザインされた4 から 12素子のGaAs PINフォトディテクターアレイです。 ●仕様［モデル名：アクティブエリア・応答性・キャパ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オプトロンサイエンス

GaAs / InGaAs フォトミキサー(光伝導アンテナ)

TeraBeam用エミッタ―/レシーバーモジュール

・最先端のフォトミキシング技術を採用・GaAs および InGaAsベースの発振器 / 検出器・SM/PMファイバーピッグテイルを装備した完全なパッケージモジュール・最大 100 µW の高出力・別途 TeraBeam 780 または TeraBeam 1550 が必要です。...世界各地のテラヘルツ分野に関わる研究機関向けにトプティカ社では最高クラスの品質を持つ GaAs および...

メーカー・取り扱い企業：トプティカフォトニクス株式会社営業部

【KTM】GaAs半導体レーザ　レーザ測距モジュール IM300

エムディーエル（MDL）社製　GaAs半導体レーザレーザ測距モジュー…

幅7.8cm、奥行き15.4cm、重量950gのコンパクトなモジュールです。最大300mまでの距離をノンターゲットで測定します。...【特徴】 ○発振波長：905nm ○測距範囲：5m～300m ○ビーム拡がり角：3×2.3mrad ○測距周波数：9Hz／1,000Hz ●詳しくはお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：カンタム・ウシカタ株式会社

非接触厚さ測定装置　ＯＺＵＭＡ２２　

半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・ガリウム砒素砒素）、…

半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・ガリウム砒素（Ga)砒素(As)）、ガラス、金属等の高精度非接触厚さ測定装置のOZUMAが新しくなりました。非接触厚さ測定装置OZUMA22は半導体用ウエハー（Siシリコンウエハー・GaAs・ガリウム(Ga)砒素(As)）等の裏面研磨工程における厚さ管理用として、あるいは各製造工程における厚さ管理用として非接触測定で御使用いただけます。...エア...

メーカー・取り扱い企業：佐々木工機株式会社

ガウスメーター『HGM3-3000P』

スイッチ切替により交流磁界測定対応モデル！

『HGM3-3000P』は、独自技術のスイッチング駆動方式により、測定の基準である経年変化が補正できるガウスメーターです。プローブ交換によるゼロ調整が容易。交流磁界の過度現象測定にも対応しています。【特長】 ■ピークホールド機能を搭載 ■コストパフォーマンスに優れる ■スイッチ切替により交流磁界測定にも対応 ■独自技術により、標準磁石による日常の校正は不要 ■Ga...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エーデーエスデンケングループ

非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性！三次元グラフィックマップとしてPCモニター…

『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。【...

メーカー・取り扱い企業：日本セミラボ株式会社新横浜本社

【NDT X線検出器】X-Spectrum社 LAMBDAの紹介

NDT(非破壊検査)用のX線検出器としてもご使用いただくことが可能です…

当社で取り扱う、X-Spectrum社の主力検出器『LAMBDA(ラムダ)』の「NDT(非破壊検査)での使用」についてご紹介いたします。バッテリー、電子部品、PCBなどの製造工程に用いて、部品の欠損・欠陥の早期発見に役立ちます。また、特に目視では発見することができない、小さい欠損やコンポーネント内部の欠損の発見に役立てることができます。【使用概要】 ■ご使用方...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ジェピコ本社、大阪支店、名古屋支店、練馬支店

カソードルミネッセンス分光装置　SPARC

マイクロフォトニック構造研究用の高感度で複合機能を持つ高分解能角度分解…

SPARCの能力 SPARCはディープ・サブ波長の分解能でナノ・マイクロ構造のフォトニック研究に適した真に独特な分析手法です。金属質（プラズモニック、Ag、Au、etc）、誘電体（SiO2、Si3N4、TiO2、etc）や半導体（Si、GaAs、CdTe、etc）のマイクロ・ナノフォトニック構造およびその関連材料の研究に有用です。...カソードルミネッセンス(CL)分光装置 SPARCは、S...

メーカー・取り扱い企業：エルミネット株式会社

非接触式超低抵抗レンジシート測定システム『PVE-80』

PCによる簡単な測定操作、データ保存・管理！測定表示単位の変更が可能な…

『PVE-80』は、パルス電圧励磁法を測定原理に採用しており、サンプルにダメージを与えず測定が可能な超低抵抗レンジシート測定システムです。省スペース設計の本体筐体、ポータブル対応の取外し可能ステージを搭載。 PC(専用ソフトウェア)による簡単な測定操作、データ保存・管理を実現します。また、お客様の要望に応じ、様々にカスタマイズ可能です。【特長】 ■千葉大学との共...

メーカー・取り扱い企業：ナプソン株式会社

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能！マイウロウェーブ反射による非…

半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターになります。『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチ...

メーカー・取り扱い企業：日本セミラボ株式会社新横浜本社

走査型マイクロ波顕微鏡法_SMM

Scanning Microwave Microscopy

SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

卓上型アライナー『GA2400』

極単純構造で製造コストを削減！4インチウェハ対応エッジグリップ仕様アラ…

『GA2400』は、PEEK樹脂製クランプでウェハ外周を把持するエッジグリップ仕様アライナーです。ウェハ外周を把持し、光センサによる位置決めが可能。極単純構造にすることにより、製造コストを大幅に削減できます。また、2相ステッピングモータを使用しています。【特長】 ■ウェハセンタリング：PEEK樹脂製クランプでウェハ外周を把持 ■ノッチ位置決めウェハ外周を把持し...

メーカー・取り扱い企業：アテル株式会社

抵抗率／シート抵抗測定器【NC-80MAP】

ナプソン株式会社は、半導体ウエハやFPD基板の各種測定システムを開発・製造・販売しております。抵抗率/シート抵抗に関するあらゆるニーズにお応えし、仕様設計からアフターケアまで、最新の技術と豊富な経験を活かして、高精度・高性能なシステムをご提供いたします。その他製品ございますので、詳細はお問い合わせ下さい。...【化合物GaAsエピ層、GaP、GaNなどの非接触シート抵抗多点測定器】 ...

メーカー・取り扱い企業：ナプソン株式会社

スクラッチ装置

高精度・精密計測！任意のしきい値設定から欠陥に対してOK/NG判別を全…

『スクラッチ装置』は、ウエハーを複数枚乗せる事が可能で、極微少なスクラッチ（傷）、異物、カケの外観検査を全自動で行います。ワークまでの距離を自動で測るレーザー変位計を装備しておりウエハーの厚みに依存しません。画像記録のほか任意のしきい値設定から欠陥に対してOK/NG判別を、全自動で行います。アプリケーションとして、透明体、半透明のSiCやGaN、 GaAs、サファイア...

メーカー・取り扱い企業：ソフトワークス株式会社

卓上型顕微鏡ローダー『SYAR110』

2、3、4インチまでのそりの大きなGaAsや各種ウェハ対応！顕微鏡ロー…

『SYAR110』は、卓上型ロボットと照明観察ユニット、顕微鏡ステージからなる顕微鏡ローダ装置です。照明観察ユニットにて、ウェハ表面のマクロ観察が可能。ワークは2～4インチまでのそりの大きなGaAsを始め、各種ウェハに対応します。【特長】 ■ウエハをカセットから抜き取り、顕微鏡ステージに供給 ■ワークは2～4インチまでのそりの大きなGaAs、各種ウェハに対応 ...

メーカー・取り扱い企業：アテル株式会社

固体表面ゼータ電位測定装置SurPASS 3　半導体ウェハ用

表面特性の分析を直接評価。表面特性の解明と改良、及び新しい材料開発に貢…

流動電位及び流動電流の測定原理に基づき、半導体ウェハのゼータ電位を評価します。クランプセルは、SurPASS 3を用いて半導体ウェハ等の平面形状サンプルを測定するためのツールです。独自のメカニズムで設定した接触圧力によってサンプルを装着し、再現性の高い測定を実現します。高い柔軟性・電解液の流路を挟んで同一のサンプル表面を向かい合わせ、そのサンプルのゼータ電位を求める構成と、リフ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アントンパール・ジャパン

sMIMによる半導体拡散層の解析

濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…

株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。反射率から得られ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス

株式会社アムテックス Monthly Review2020-06

5G向けHPA・LNA製品をはじめ、トータルGNSSナビゲーションなど…

当資料は、RF、ミリ波、THzとGNSSセンサー製品を取り扱う株式会社アムテックスが発行する『Monthly Review』2020年6月版です。 GaN or GaAsデバイスで構成された「5G NR Ka帯 HPAシリーズ」をはじめ、「マイクロ波フェライト・アイソレータ」や「トータルGNSSナビゲーション」などを掲載しています。 "Monthly Review"配信希望...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アムテックス

化合物半導体系超格子サンプルにおける深さ分解能測定事例集

化合物半導体系超格子サンプルを使用した深さ分解能測定の結果を掲載！

当事例集は、イオン注入、成膜・分析、研究・事業化マネジメントのサービスなどを提供している株式会社イオンテクノセンターの深さ分解能測定の結果を掲載している事例集です。 Q-pole SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、 Al0.28Ga0.72As/GaAsを50nmずつ分子線エピタキシー(MBE)で成膜した化合物半導体サンプルを試料として用いて、深さ分解...

メーカー・取り扱い企業：株式会社イオンテクノセンター