単結晶GaAsウエハ　GaAsポリ　

中国製GaAs　単結晶GaAsウエハ　高純度GaAsポリ

高純度のGaAsポリ（Poly）をご提供いたします。 又、Φ2”～Φ4”の単結晶GaAsインゴット、ウェハーもご提供いたします。 ...＜GaAs単結晶＞ 製法：VGF サイズ：Φ2”～Φ4” タイプ：N 結晶方位：（100）、他 Mobility：≧2000cm2/v.s（アンドープ型は、≧4000cm2/v.sなど） 厚み：295μm（ご指定可能です） 表面仕上げ：エピー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

高周波デバイス（GaNonSiC、GaAs）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

GaAs Based Epi Wafer

化合物半導体エピタキシャル InP基板上にカスタム構造のMBE / …

2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています...◆赤外線LD 波長範囲(808nm, 980nm and others in 800~1064nm) ◆垂直共振器面発光レーザ(VCS...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社GLORY 東京営業所

量子ドットレーザー

温度による出力変動が小さい特長を持っており、様々な分野への展開が可能！…

当製品は、GaAs基板を使った『量子ドットレーザー』です。 温度による出力変動が小さい特長を持っており、様々な分野への展開が可能。 また、MBE装置を使った化合物半導体ウエハや量子ドットウエハの作製を 承ります。カスタム製造も承りますので、ご相談ください。 【ウエハ製作概要】 ■ウエハ径：2インチ ■使用可能元素：Ga、In、Al、As、Sb、Si（n型ドーパンド）、Be（...

メーカー・取り扱い企業： YITOAマイクロテクノロジー株式会社

化合物半導体ウエハ用非接触搬送装置「ＳＡＧ（ＩｎＰ）型」

化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）を気体供給操作を行い、ウ…

◎特徴 １．４５０℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 ２．化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2～４ｉｎ ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/4ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/2ウエハ ...高温化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）をベルヌーイチャック「フロートチャックＳＡＧ（ＩｎＰ）型」（特許）に気体供給のＯＮ－Ｏ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所

ウェハーサービス

用途に合わせてウエハをカスタマイズ！フルラインアップのサイズでご要望に…

当社は、2インチ～12インチの各種ウエハ販売を行っています。 徹底した品質管理と優れた技術により、お客さまの用途に合わせてウエハを カスタマイズ。フルラインアップのサイズでご要望にお応えしております。 石英ウエハ、GaAsウエハ、Geウエハも扱っております。 ご用命の際はお問い合わせください。 【概要(抜粋)】 ■シリコンウエハ ・2インチ～12インチまでのダミーウエ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ヒューズテクノネット

【評価用パターンウェハー】小ロット～カスタマイズオーダーまで対応

数枚の試作加工でも問題無く受け付けており、マスクの設計から断面の寸法測…

株式会社アイテスが取り扱っている「評価用パターンウェハー」「シリコンウェハー販売」「化合物半導体」をご紹介します。「評価用パターンウェハー」は、CMP/成膜装置/洗浄装置/各種素材の評価用として、様々な構造のテスト用パターンウェハーを作成。 数枚の試作評価でも問題無く受け付けており、マスクの設計から断面の 寸法測定に至るまで、非常に柔軟な対応に定評があります。 【特長】 ＜評価用パ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【研磨加工素材】化合物材料　研磨加工

弊社では化合物半導体結晶の研磨加工が可能です。定形品に限らず、少量から…

化合物の場合、シリコン・酸化物と異なり非常に軟質な材料であり、薄くする事は困難と云われておりますが、日本エクシードではパターン形成済み化合物ウエーハについても薄く仕上げる事が可能となり、お客様への納品方法を含め対応が可能です。 「臭素を含まない研磨剤による鏡面研磨の開発」として1996年に特許を取得。 定形品に限らず、少量から量産加工まで幅広く対応しています。 パワーデバイスなどに用...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

エピウェハ(半導体レーザ／VCSEL／PD／RCLEDなど)

半導体レーザ、VCSEL、PD、DBR 各種光半導体デバイスのエピウェ…

■MOCVDによる結晶成長(3/6インチウェハ) ■対応波長：650nm～1060nm、高出力／低出力タイプ ■半導体レーザ・VCSEL・RCLED・PD・DFB・DBR各種構造に対応...■MOCVDによる結晶成長また各種のデバイスプロセスも承ります ■カスタムウェハにも1枚から対応 【対応可能なエピウェハ種別(デバイス別)】 ・ファブリペロー型　半導体レーザ ・面発光半導体レー...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス

ウェハへのめっき

1個の試作から量産まで対応！各種ウェハへのめっき承ります！

回路基板・シリコンウェハ等に使用される酸性系の銅めっきです。(光沢剤使用) ■めっき可能ウェハ素材：GaAs、Si等 ■めっき可能電極素材：シード層がCu、Au等 ■量産可能ウェハサイズ：3インチ、4インチ ■量産可能キャパ：1,000枚/月 ■試作ウェハサイズ：3、4、8インチ ■めっき種：電化銅めっき、電解･無電解ニッケルめっき、電解･無電解金めっき、電解･無電解パラジウムめっ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社三ツ矢

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

【技術資料進呈中！】ウェーハ研磨加工プロセスと加工素材&技術紹介

数百種類以上の半導体素材の研磨を扱っている技術を紹介！各種ウェーハの研…

当資料では、日本エクシードの各種ウェーハの研磨プロセス・洗浄・加工技術を写真や分析事例などで紹介しています。 長年にわたる研磨加工の経験の上に独自の研究開発を幾度も繰り返し、単結晶と名の付く様々な素材を手掛ける技術力を 高次元で実現し、今では数百種類以上の半導体素材の研磨を扱う存在となりました。 研磨加工プロセスの研磨工程をはじめ、薄化加工技術を用いたSi特殊加工や加工素材などを掲載...

メーカー・取り扱い企業： 日本エクシード株式会社

ウェハー加工

「評価用パターンウェハー」「シリコンウェハー販売」「化合物半導体」のご…

株式会社アイテスが取り扱っている「評価用パターンウェハー」「シリコンウェハー販売」「化合物半導体」をご紹介します。「評価用パターンウェハー」は、CMP/成膜装置/洗浄装置/各種素材の評価用として、様々な構造のテスト用パターンウェハーを作成。 数枚の試作評価でも問題無く受け付けており、マスクの設計から断面の 寸法測定に至るまで、非常に柔軟な対応に定評があります。 【特長】 ＜評価用パ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス