化合物半導体ウエハ用非接触ピンセット

マニュアル操作により化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）を非…

◎特徴 １．４５０℃の高温ウエハの非接触搬送が可能である。 ２．化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）の下記の切り欠きウエハの非接触搬送が可能である。 ・Φ2～４ｉｎ ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/4ウエハ ・Φ２～４ｉｎｘ1/2ウエハ ...高温化合物半導体ウエハ(GaAs,ＩｎＰ,ＧａＰ）をベルヌーイチャック「フロートチャックＳＡＧ（ＩｎＰ）型」（特許）に気体供給のＯＮ－Ｏ...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社ソーラーリサーチ研究所 大阪事業所

石英アンプル真空封着炉『MAT-200VS』

PBN坩堝等を入れた石英アンプルを封着！高真空排気装置で真空引きをしま…

『MAT-200VS』は、1ゾーン式・2分割型の石英アンプル真空封着炉です。 事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用。 溶融GaAs多結晶、種結晶、As金属、PBN坩堝等を入れた石英アンプルの 封着を行います。 詳しくは、お問い合わせください。 【特長】 ■事前にアンプル溶着機で上下アンプルを溶接した石英アンプルを使用 ■溶融GaAs多結晶、種結晶...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社マテルズ 本社工場

6インチ用縦型VGF製造炉『MAT-200VGFHQ』

容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉…

『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。 ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが 可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。 また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■育成後の...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社マテルズ 本社工場

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』

ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能！オプションにて第三のガ…

『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社マテルズ 本社工場

4インチ用縦型VGF製造炉『MAT-150VGFHQ』

PBNるつぼと石英アンプルは再使用が可能！炉体移動式のVGF炉をご紹介…

『MAT-150VGFHQ』は、炉体移動式のVGF炉で、かつヒ素圧1atm中で 育成するので容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る 4インチ用縦型VGF製造炉です。 育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 また、PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る ■育...

メーカー・取り扱い企業： 有限会社マテルズ 本社工場