資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

PRmm単位を超える広い面内測定範囲！多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

SiC インバータ実験セット　HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット

SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバータセッ...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！ 多彩な回路方式…

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社