フォークリフト安全支援システム『BFV202』

PRディープラーニングAI推論処理により、接近する作業者を検知し運転者にモ…

フォークリフトの前方2カメラ、後方2カメラを進行方向により切り替えて撮像し、AI推論処理します。 ■運用中のフォークリフトに後付け可能 ■高速処理によるリアルタイム判定 ■検知エリアを任意で設定可能 ■移動速度、旋回方向に連動して検知エリアが変化 　※当該機能の有効/無効は前方・後方のカメラ毎に選択可能 ...【仕様】 　電　源　：DC9～16V(標準) 　　　　　　DC9～7...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パル技研

チップ抵抗ネットワーク1005×4

PR実装コストの低減を実現！電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワーク

当製品は、電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワークです。 部品搭載回数の減少による実装コストの低減を実現。 最高使用電圧は25V、定格電力は1/16Wです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【仕様(抜粋)】 ■素子数：4 ■回路記号：D（独立回路） ■包装数量：10,000 アイエイエム電子ではチップ抵抗ネットワークを始め各種厚膜チップ抵抗器を製造販売しております。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： アイエイエム電子株式会社

【POTENS】600V以上高耐圧品　MOSFET相当品情報多数

汎用の低耐圧から1500V高耐圧MOSFETなど豊富なラインナップ！ …

POTENS(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレス、パワー半導体メーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしております。 高耐圧600V～1500V製品まで、クロスリファレンスを作成しました。 是非、ダウンロードして頂き、新規、代替品検討、EOL対策や、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

逆導通IGBT『600 V RC-D2』

低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提…

SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリ...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ

IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内…

Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V

ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーM…

『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

ICE8S65FP 8A,650V POWER MOSFET

2023年1月より量産リリース！　GEN2　スーパージャンクションMO…

アイスモス・テクノロジーのICE8S65FP は8A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE25S65FP 25A,650V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　25A , 650V　 TO220FullPak…

アイスモス・テクノロジーのICE25S65FP は25A,650VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15S60FP 15A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　15A , 600V　GEN2　スーパージャンクシ…

アイスモス・テクノロジーのICE15S60FP は15A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE32S60FP 32A,600V POWER MOSFET

GEN2 シリーズ　32A , 600V　 フルパックで0.1ohm…

アイスモス・テクノロジーのICE32S60FP は32A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。Qgが低く、省エネに貢献できます！ 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60FP 20A,600V Power MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネー…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60FPは20A,600Vのフルパックデバイスです。 【特長】 ■TO220 Fullpakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コン...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE22N60B 22A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE22N60Bは22A,600VのTO-263(D2PAK) パッケージ です。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE15N73FP 15A,730V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE15N73FPは15A,730VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE11N70FP 11A,700V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい。電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE11N70FPは11A,700VのTO220Fullpak パッケージ です。 【特長】 ■TO220 FullPakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

パワートランジスタ『CGD65B240SH2』

H2シリーズ ICeGaNで高度なNL3回路を搭載！無負荷状態でのデバ…

プが利用可能。デバイスは、大きな銅領域に 直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-7.0AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

可能。グランドプレーンを強化し、 熱性能を向上させ、 熱設計を簡素化します。 また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

周波数に対応。 デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。 グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

各種サンプル形態に対応します。 　Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ 　IR-OBIRCH解析：～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　エミッション解析：～2kV　まで対応 　＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

RF パワートランジスタ

高出力、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは、…

、高利得、高効率低ノイズを特長とするハイパワートランジスターは 1Ghzまで使用可能で、通信衛星、ECMトランジスター、レーダー無線機などに 適しています。 【製品ラインアップ】 ■28V RF MOSFET's ■12V RF MOSFET's ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： アスコット株式会社

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、 熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B130S2』

高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージ！平面、熱性能の向…

イバーと コントローラーチップを搭載。 グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、 平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化します。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-12AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65B200S2』

幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現！

域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、 熱設計を簡素化します。 高周波をサポートするDFN 5x6 SMDパッケージです。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-8.5AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

、事実上すべてのゲートドライバーと コントローラーチップを搭載。 電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。 【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V-27AeモードGaNパワースイッチ ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

汎用MOSFET

汎用MOSFET(VDSS＝~60V、ID=～0.7A)ラインナップ紹…

ため様々な用途に使用できます。 ターゲットアプリケーションとしてはLED駆動、モーター駆動、リチウムイオン充電制御、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ等が挙げられます。 製品のスペックとしてはVDSS最大60V、ID最大0.7A、閾値電圧は0.5～2.0Vと様々な特性の汎用MOSFETとなります。 またパッケージもSC-75A、SC-70、SC-59と超小型のパッケージも取り揃えておりま...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

バイポーラトランジスタ ELM2N5401FA

汎用高耐圧増幅用の PNP エピタキシャルプレーナ型トランジスタ

・小型パッケージのSC-70を採用しています。 ・高耐圧：BVceo = -160V です。 ・ELM2N5551FAとコンプリメンタリです。 ・Pb フリー、ハロゲンフリーです。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

【Potens Semiconductor Corp】紹介ページ

ポテンツセミコンダクター社は2012年9月台湾にて設立された FAB…

構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決して まいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

Microsemi社　シリコンカーバイド製品ラインアップの紹介

使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動...

メーカー・取り扱い企業： リチャードソン・アールエフピーディー・ジャパン株式会社

CMOS高速ロジックIC（ELM7SHシリーズ)

低電圧で超高速動作、低消費電力のため長時間の機器動作が可能

【特長】 • 低消費電流　　　　 : Idd=1.0μA(最大)(Top=25℃ ) • 広い電源電圧範囲 : 1.65V～5.5V • 広い入力電圧範囲　 : Vih=5.5V(最大)(Vdd=0～5.5V) • 高速動作 : Tpd=3.8ns(標準)(Vdd=5.0V) • 小型パッケージ　　 : SOT-...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

パワーデバイスのトータルソリューションサービス

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

車載向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタ

AEC-Q101規格もクリアしている高Vthの650V GaN(窒化ガ…

車載向けに高Vth、高信頼性、高パワーのGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタをご用意しました。...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

MOS FET シングルPチャンネル(ELM43401CA)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

【特長】 ・ Vds=-30V ・ Id=-4.3A ・ Rds(on) = 65mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) = 75mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) = 100mΩ (...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

MOS FET シングルNチャンネル(ELM43400CB)

【おすすめ】低入力容量、 低電圧駆動、 低ON 抵抗という特性を備えた…

【特長】 ・ Vds=30V ・ Id=5.8A ・ Rds(on) = 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルムテクノロジー

小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd

2umから20umまでの幅広い波長範囲の小型IR光源

（はんだ付け）：無し、Si-ARC、サファイア、ZnSe 放射エリア：0.32mm2, 1mm2, 1.8mm2 最大パワー（DC）：175mW, 290mW, 330mW 最大電圧：1.25V, 1.7V, 2.6V 最大電流：140mA, 170mA, 125mA 評価用ボード、ブレークアウトボードの用意もございます。 詳しくは弊社担当まで。...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

【POTENS】低耐圧から高耐圧まで　MOSFET　代替検討に！

パワー半導体FET　低耐圧　MOSFET　高耐圧　SJ　MOSFET　…

構成した応用技術チームが連携し、 お客様が採用する過程で発生しうる技術的な課題（回路構成、効率、ノイズ、発熱等）に対してもお客様と一緒に解決してまいります。 また低耐圧製品から高耐圧製品（600V - 1500V)まで幅広いラインナップを取り揃えています。 製品ラインナップ製品は、 低耐圧から高耐圧品まで用意しています。 ・MOSFET ・IGBT　 ・Super Junction　 ・S...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 ＜特徴＞ ・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチ ゲート フィールド ストップ (TGFS...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

フォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(max) ~ 480mΩ(max) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88、PQFN56　など ※詳しくはPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

GaNデバイス ハイエンドPC用ATX電源に

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

新たにMOS構造のゲート入力と、 出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを 組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、 スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。 サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

電源用パワー半導体・IC『家庭用エアコン室内機』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、エアコン室内…

用IC 4 整流用ダイオード 5 パワークランパ/スナバダイオード 6 二次整流用ダイオード 　・ショットキーバリアダイオード（SBD） 　・ファストリカバリダイオード（FRD） 7 TVSダイオード 8 三相インバータ回路 9 サイダック 　・双方向型（K1Vシリーズ） 　・片方向型（G1Vシリーズ） ★詳細は関連リンクをご覧ください★ https://www.sh...

メーカー・取り扱い企業： 新電元工業株式会社

高信頼性GaN(窒化ガリウム)パワートランジスタTO-247

汎用品向けのJEDEC規格高信頼GaN(窒化ガリウム)パワートランジス…

ハイパワー向けGaN(窒化ガリウム)パワートランジスタです。 安全にドライブできるように高Vthとなっております。...

メーカー・取り扱い企業： トランスフォーム・ジャパン株式会社

CMUDM7004　MOSFET

Central Semiconductor MOSFET CMUDM7…

VDS ドレイン・ソース間電圧：30V VGSゲートしきい値電流：8.0V ID 連続ドレイン：450mA 消費電力（最大）：250mW 動作温度：-65～+150°C...

メーカー・取り扱い企業： 日本ミック株式会社

パワー半導体専業メーカー：Potens(ポテンツ)

お客様ニーズに応じた技術サポートを実施するパワー半導体専業メーカーで日…

他社からの置き換えをお考えの方・低オン抵抗品をお探しの方・パッケージラインナップが豊富なメーカーをお探しの方がおられましたらお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ・豊富なパッケージ品種と12Vから1,500Vまでの幅広い耐圧製品で950品種以上を展開 ・産業や車載など幅広い用途に対応 ・IGBTはHalf Bridge品をご用意 ・SiCは量産開始、GaNは2024年量産開始予定 ...

メーカー・取り扱い企業： ミカサ商事株式会社

NTD20N06LT4G ON SEMICONDUCTOR

オン・セミコンダクターNTD20N06LT4Gトランジスター

・トランジスタータイプ：N-MOSFET ・極性：ユニポーラ ・ドレインーソース電圧：60V ・ドレイン電流：20A ・電力損失：60W ・ケース ：DPAK ・ゲートーソース電圧：±15V ・ON抵抗値：39mΩ ・マウント：SMD ・ゲート電荷：32nC ...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

IXDD609YI IXYS

IXDD609YI IXYS MOSFET/IGBTドライバ

・ケースTO220-5 ・出力電流：9A ・チャンネル数：１ ・供給電圧：4.5V〜35V ・マウント：SMD ・動作温度範囲：-40°C〜 + 125°C ・出力種別：非反転 ・ターンオン時間：115ns ...

メーカー・取り扱い企業： Transfer Multisort Elektronik株式会社

『CSD15380F3』

20V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD15380…

『CSD15380F3』 は、20V、990mΩ、N-チャネルの FemtoFETMOSFETで、多くのハンドヘルドおよび モバイル・アプリケーション向けに、フットプリントを最小化するよう設計され、最適化されています。 容量が...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

ンドウ（はんだ付け）：無し、サファイア、CaF2、BaF2 ※ウィンドウ付きはガス充填のオプション可 放射エリア：40mm2 放射率：>0.9 最大パワー（DC）：1 W 最大電圧：3.8V 最大電流：660mA 操作温度：-25℃～+85℃...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

波長範囲：2-12 um パッケージ：TO-39 / TO-5 放射エリア：11mm2 放射率：>0.8 最大パワー（DC）：700mW 最大電圧：4.0V 最大電流：175mA...

メーカー・取り扱い企業： オプトシリウス株式会社

電源用パワー半導体・IC『ヒートポンプ給湯器』向け

高信頼電源メーカー『新電元工業』が開発するパワー半導体で、ヒートポンプ…

ック回路を専用電源ICで構成することにより、部品を減らしてスッキリと小型化できます。絶縁電源ですので、二次側整流回路には低損失なダイオードをご提案。 モーター駆動用には、ゲート用ダイオードと600V高耐圧のドライバICをセットでご提案できます。 エネルギー変換効率が高く再エネ利用でも期待される「ヒートポンプ給湯器」には、電源回路の省資源＆低損失がベストマッチ！ 新電元パワー半導体は家電製品...

メーカー・取り扱い企業： 新電元工業株式会社

高圧アーク電源『ARMS-5』

アップダウンスロープ等の設定が可能！小型で高性能な高圧アーク電源をご紹…

【仕様（抜粋）】 ■回路方式：トランジスター式 ■入力電圧：単相AC100V/AC200±10％ ■最大消費電力：約550W ■出力制御方式：定電流/コンデンサー ■標準条件設定：1条件 ■出力周波数：DC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ブロステック

スーパージャンクションMOSFETカタログ2023Ver

スーパージャンクション MOSFET は、ほとんどの電源アプリケーショ…

【特長】 ■高耐圧600V以上 ■耐高dv/dt ■高耐アバランシェ特性 ■高ピーク電流特性 ■増相互コンダクタンス特性　など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【解析レポート】デンソー製パワーカードモジュール

チップサイズは自動車用途として最大クラス！200Aクラスの駆動電流で低…

。 本製品は、2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーター パワーモジュールに採用されているSiC-MOSFET搭載のパワーカードです。 昇圧コンバータは、出力電圧Vo＝650Vおよび入力電流Iin＝570Aです。 【掲載概要（抜粋）】 ■製品、解析概要 ■レポート内容 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで！

汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや…

Potens(ポテンツ)は2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 ＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パ...

メーカー・取り扱い企業： アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

GaN パワーデバイス サーバー用電源

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

高信頼性 GaN パワーデバイス

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイス。 製品耐圧：650V、900V オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

フォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチングに好適 ■製品耐圧：650V、900V ■オン抵抗：15mΩ(typ) ~ 480mΩ(typ) ■パッケージ：TO-220、TO-247、TO-263、PQFN88　　など ※詳しくはPDFダウンロード、またはお問...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され...

メーカー・取り扱い企業： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

搭載チップはトレンチゲートを採用！電流センサーと温度センサー内蔵の12…

当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-MOSFETチップは200Aクラスの駆動電流で低ON抵抗（LTECで測定）と なっており、チップサイズは自動車用途としては最大クラスです。 【掲載概要（抜...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック