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AR(拡張現実)用ガラスウエハー　RealView(R)

PRSCHOTT RealView(R)はAR(拡張現実)向けに開発された…

SCHOTT RealView(R) は、拡張現実（Augmented Reality）向けに開発されたガラスウエハーです。拡張現実技術は、仕事中や休暇中、そしてコミュニケーションの仕方まで、私たちの日常生活を変えることが期待されています。ショットは材料メーカーとして、高い視野角と画質を可能にするRealView(R)を提案します。...【製品特性】・厚みを最小限に抑えることで、材料強度を...
メーカー・取り扱い企業：ショット日本株式会社
ソフトウェア『Silver Scan Tool』

PR世界中で使用されているOBD診断／開発ツール。使いやすい包括的機能を提…

『Silver Scan Tool』は、デスクトップ・ノートパソコンで動作する OBDII、EOBDおよびHD-OBD診断を実行するためのソフトウェアです。インストールして登録が完了次第すぐに使用可能。 v0202またはv0404ドライバを持つSAE J2534 PassThruデバイスのほか、 RP1210 APIを使用するデバイスもサポートしています。オプションにより、計...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Renas
【分析事例】GaN基板の表面形状分析

AFMによるステップ-テラス構造の可視化

ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、パワーデバイスや通信・光デバイスなどの幅広い分野で用いられています。デバイスを作製するうえで、ウエハ表面の形状と粗さはデバイス性能に大きく影響します。GaNウエハを成長させる際、支持基板との格子不整合などによる...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワーデバイスのHAST試験

パワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能！…

株式会社アイテスでは、『パワーデバイスのHAST試験』を承っております。【特長】 ■最大1000V印加での不飽和蒸気加圧試験が可能 ■高温高湿下での通電により、金属配線の腐食やマイグレーション等の評価を実施 ■試験中のモ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
パワーデバイスの故障解析

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・…

あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－　各種サンプル形態に対応します。　Siチップサイ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
SiCデバイスの裏面発光解析

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…

当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
実装ソリューションサービス

冷却構造設計や熱流体シミュレーション、評価環境構築など幅広く対応！

【取扱品目詳細】 ■設計　・冷却構造設計　・防水構造設計　・デバイス実装構造設計 ■試作　・LSI/デバイス実装試作サービス　・IoTデバイス試作サービス ■シミュレーション　・熱流体シミュレーション　・接合部寿命予測　・特殊シミュレーショ...

メーカー・取り扱い企業： NTTデバイスクロステクノロジ株式会社
【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析

GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案

GaN系のLEDと高周波デバイスについて、故障解析に有効な2つの手法の測定事例をご紹介します。 LED素子でロックイン発熱解析を行うことで、発光に伴う発熱の有無とそのタイミングを可視化することができるため、特異的な挙動・特性を...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
高温ラッチアップ試験

高温状態での動作が要求されるデバイスに！高温でのラッチアップ試験をご紹…

当社が行っている『高温ラッチアップ試験』についてご紹介します。近年､デバイスの最大使用周囲温度条件下でのラッチアップ試験の需要が増加。特に、車載部品用のAEC規格では、ClassII（最大使用周囲温度）の試験条件のみとなっており、高温状態での動作が要求されるデ...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
デバイスドライバ検証サービス

デバイスドライバでお困りではありませんか？品質向上を支援します

「技術者が少ないため、品質を上げるのが大変な上にコストがかかる」や「どうやって品質を上げれば良いかわからない」等、デバイスドライバでお困りではありませんか。開発会社であるからこそ、当社の第三者検証では上流工程（基本設計）から対応可能です。これにより検証にかかるコストだけではなく、製造にかかるコ...

メーカー・取り扱い企業：サイエンスパーク株式会社
【分析事例】電子デバイス内特異箇所の複合解析

デバイス内部の構造を複合的に評価します

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線C...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
モジュール試作と熱抵抗評価

ダイアタッチやTIM材などの評価に好適！試作から評価まで対応致します

株式会社アイテスでは、『モジュール試作と熱抵抗評価』を承っております。パワーデバイス及びパワーデバイスで使用する材料の評価において、実際に デバイスを組み立てての熱抵抗測定は、実力の把握に有効な方法です。試作から評価まで対応致します。ご興味がございましたら、是非お気...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
Amazon Alexa向け情報セキュリティ検証サービス

デバイスメーカー様にてAmazon Alexa搭載デバイスを開発される…

デバイスメーカー様において、Amazon社が提供するAmazon Alexa搭載デバイスを開発される際、Amazon社の規定により認定ラボ(全世界で7社のみ認定)でのセキュリティ検査が必須となっております。一般的にはお客様においてAmazon社の開発者サイトより先に開発申請をして頂きますが、その際のサポートもさせて頂きます為、Intakeformなどのご準備がない段階でもまずは弊社までご相談くだ...

メーカー・取り扱い企業： ONWARD SECURITY JAPAN株式会社
【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価

PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察

グでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察を実施しました。...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
『X線・超音波を用いた非破壊分析の基礎と事例』※希望者全員に進呈

非破壊分析の手法（超音波顕微鏡法・X線CT法）の基礎的な解説や、代表的…

　・in situ X線CT測定 ■分析事例　・炭素繊維強化プラスチック（CFRP）内部の繊維配向解析　・発泡ウレタン内部の空隙率評価　・発泡ゴムの引っ張り試験CT測定　・電子デバイス内特異箇所の複合解析　・トランジスタ内部の状態評価　など ※冊子をご希望の方は「お問い合わせ」より、　“カタログ送付希望”の欄にチェックを入れてお申し込みください。（ダウンロード...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワーサイクル試験

自社開発の通電試験制御ユニットにより、価格をおさえたパワーサイクル試験…

パワー半導体モジュールの信頼性テスト、パワーサイクル試験を受託いたします。弊社では、「通電試験制御ユニット」を自社開発し、汎用電源を自社開発制御ユニットでコントロールすることで比較的安価なパワーサイクル試験を実現しました。パワーサイクル試験を低コストで行いたい、試験にかけられる予算があまり確保できないというお客様、ぜひご相談ください。 ...ショートタイムとロングタイムのパワーサ...

メーカー・取り扱い企業：大分デバイステクノロジー株式会社
デバイス、基板の特性評価、機能評価　「EVA100」

測定したい環境に持ち込み、ICや実機の機能・特性評価が可能に。アナ…

当社は、アドバンテスト社製の複合型計測器「EVA100」を用いた ICや実機、基板、モジュールのテスト・評価サービスを提供しています。デジタルICに加え、アナログICや、ADC/DACを搭載したミックスドシグナルICのテスト・評価に対応。「EVA100」には評価作業に必要な複数の機能が搭載されているため1台で作業を完結でき、工期短縮やコスト削減に貢献します。【特長】 ■...

メーカー・取り扱い企業：株式会社プリバテック
【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価

Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です

パワーデバイス・光デバイスとして実用化されているGaNは六方晶ウルツ鉱構造をとり、c軸方向に結晶学的な非対称性（Ga極性とN極性）が存在します。Ga極性とN極性ではエピタキシャル膜の成長プロセスが異なるほか、結...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
分析事例トレンチ型Si-MOSFETのIDSSリーク箇所複合解析

デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供

パワーデバイスは高電圧・大電流のスイッチとして電力/省エネの観点で注目されています。パワーデバイスでは、高電圧がかかるゆえの配線の不良や電気的な不良が生じます。また製品の信頼性向上のためには、不良要因の特定およ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
非破壊分析サービス　2018年4月より開始のお知らせ

樹脂やカーボン素材等、有機系の分析に強い装置を揃えました。

2018年4月2日、MSTは最新型の加工・分析装置を導入し非破壊分析サービスを開始します。電子デバイス・医薬品・食品の製品開発・品質管理など幅広い分野を対象に分析サービスを提供します。非破壊分析は、製品を破壊することなく内部の状態を可視化する技術です。 MSTはこれまで電子顕微鏡観察・質...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
パワーモジュール向けアジレント・カーブトレーサー先着5社対象！

最大電流1500Aを150μ秒で連続パルス通電が可能。アジレントB15…

【Agilentパワーデバイス向けカーブトレーサB1505A導入キャンペーン】を実施中！キャンペーン期間中にB1505Aを使用する実験・測定サービスをご利用の場合、先着5社に限り、測定料が【無料】です。お早めにホームページから...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サンケイエンジニアリング本社
技術情報誌 202001-02 酸化ガリウムの結晶構造解析

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】酸化ガリウム（Ga2O3）は次世代パワー半導体材料として注目を集めており、近年研究が盛んになってきている。半導体デバイスの信頼性、特性改善にはプロセス技術の最適化が必要であり、その評価方法が重要となる。本稿ではエピタキシャル膜の品質評価に必要な結晶構造解析と、デバイス特性への影響が大きいイオン注入プロセスにおける不...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
パワーサイクル試験と特性評価

パワーサイクル試験装置を使用したパワーサイクル試験の受託！故障解析・分…

テスでは、シーメンス製（メンター製）のパワーサイクル試験装置を使用した、パワーサイクル試験の受託を行っています。試験に必要な各種治具の作成から対応する事も可能です。また、パワーデバイスの各種観察・測定にも対応しています。パワーサイクル試験などの試験前後の変化を捉えることができます。【特長】 ■試験に必要な各種治具の作成から対応する事も可能 ■パワーデバイスの各種...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
技術情報誌 201901-01 Ga2O3膜の分析評価技術

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
高電圧絶縁信頼性評価装置　HVU-3000

最大５０ＣＨの独立電源を採用！　絶縁信頼性試験、評価試験装置

最大５０チャンネルまでの、高電圧での絶縁信頼性試験ができる、評価試験装置です。 ◆特徴◆ ◇最大３０００Ｖまでの高電圧出力　高電圧デバイスの評価が可能。 ◇独立電源を採用　１つのサンプルが短絡しても、他のサンプルが継続試験できます。 ◇多チャンネル　最大５０個　１筐体で５０個までのサンプル評価ができるため、　デバイス...

メーカー・取り扱い企業： J-RAS株式会社
顔認証システムの機能、セキュリティー試験

顔認証を使用したデバイスやシステムの機能試験、パフォーマンス試験、セキ…

顔認証は非接触で本人認証が行える強力な認証手段の一つです。Fime では顔認証デバイスやシステムに対する機能試験やセキュリティー試験を提供します。 FIDOやISOで定義されているテスト手法に加え、カスタマイズ試験が可能です。カスタマイズ試験では、顔認証デバイスが実際に使用される...

メーカー・取り扱い企業： FIME JAPAN株式会社
短絡耐量試験の概要および特長

パワー半導体の信頼性試験における短絡状態や試験の設計、測定回路について…

「短絡耐量試験」は、負荷短絡の状態でデバイスをオン状態にし、破壊に至るまでの時間Tscを測定する試験です。破壊の過程で、パッケージが大音響で破裂する場合もあり、危険を伴います。パワー半導体を使った機器を設計する場合に...
メーカー・取り扱い企業：株式会社クオルテック
【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価

発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます

キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。一方、発光寿命とは試料からの発光強度が...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析

様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です

SIMS分析で不純物濃度を求めるためには、分析試料と同じ組成の標準試料を使うことが必要です。紫外LEDやパワーデバイスに使われているAlGaNについて、様々なAl組成のAlGaN標準試料を取りそろえることで、MSTではより精度の高い不純物の定量が可能です。市販深紫外LEDを解体後、SIMS分析を行い、ドーパン...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定

ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析

半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板につい...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
技術情報誌 201903-01 最先端SIMS分析装置

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

ング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。【目次】１．はじめに２．分析装置の概要３．毛髪断面の分析事例４．SiC半導体デバイスの分析事例５．まとめ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
技術情報誌 202001-01 in-situ STEM

技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…

【要旨】近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ（magnetic tunnel juncti...

メーカー・取り扱い企業：株式会社東レリサーチセンター
SIMS分析データの再現性

再現性の高い不純物量評価が可能です

半導体デバイスの製造において、ドーパント等の不純物の制御は重要な工程となります。イオン注入に着目した場合、僅かな差が品質や性能に影響を及ぼすため、正確な制御が必要となります。SIMS分析の高い再現性は、それ...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価

ドーパントの活性化率に関する評価が可能

SRA（Spreading Resistance Analysis）はサンプルを斜め研磨し、その研磨面に2探針を接触させ、広がり抵抗を測定する手法です（図1）。キャリア濃度分布を評価することで、ドーパントの活性化状況についての知見を得ることが可能です。一例として、パッケージ開封後のダイオードチップ表面中央部と外周部(図2)についてSRAを行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタロ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
高感度検出システム開発のご紹介

マイクロ流路による唾液中のバイオマーカー測定デバイスの開発！

株式会社KRIでは、唾液を検体としたバイオチップによる高感度検出システムの開発を行っております。 μTASシステムにより小型化・高感度化・高速化し、 デバイスを自社技術で開発。また、唾液による非侵襲の検査は、家庭内で簡便に実施でき、病気の予防や管理・支援が可能ですご要望の際はお気軽にお問い合わせください。【保有技術】 ■微細加...

メーカー・取り扱い企業：株式会社KRI
クロスビームFIBによる断面観察

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法：クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察

SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…

拡散層の観察を行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた二次電子（SE2）をInlens検出器で検出。 FIB断面でのSEM観察で拡散層の形状が可視化で...
メーカー・取り扱い企業：株式会社アイテス
【分析事例】撥水箇所の成分分析

TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です

密着不良などの不具合の原因を探るためには、ウエハやデバイスの表面の知見を得ることは重要です。今回、シリコンウエハ上に撥水箇所が確認されたため、TOF-SIMSで広域イメージングを実施しました。その結果、撥水箇所からはシリコーンオイル、CF系グリース、パラ...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT 二次元電子ガス層評価

製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です

GaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層（2DEG）が得られ、電子移動度が高くなります。その特性を用いて急速充電器などで活用されています。本資料では、ノーマリーオフ型のGaN HEMTデバイスを解体・評価しました。分析手法を複合的に活用し、試料の総合的な知見を収集した事例をご紹介いたします。測定法：SIMS・TEM・SCM・SMM 製品分野：パワーデバイス 分析目的：微量濃...
メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価

Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能

gh Electron Mobility Transistor）」は、AlGaN/GaNヘテロ構造によって二次元電子ガス層が得られ、電子移動度が高くなります。本資料では、市販のGaN HEMTデバイスを解体し評価した事例をご紹介します。 HAADF-STEMにより、AlGaN/GaN界面近傍の結晶整合性を確認しました。また、EELSにより組成分布の評価を行いました。測定法：TEM・EEL...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価

シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価

シリコン酸化膜はMOSデバイスやリチウムイオン二次電池の負極材料として広く利用されていますが、中間酸化物の有無や界面での結合状態がデバイス特性に大きな影響を与えることが知られています。放射光を用いたXAFS測定では試料表面...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価

断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能

窒化ガリウムGaNは、熱伝導率が大きい点や高耐圧といった特性のため、LEDやパワーデバイスなどの材料として用いられます。それら製品の製造工程では、デバイス特性に影響を与える結晶欠陥の無い、高品質なGaN結晶の作製が求められます。本資料では、c面上に形成したGaN基板（c-GaN基板...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】貼り合わせウエハ内部の空隙調査

超音波顕微鏡による内部空隙の観察事例

パワーデバイスやMEMSデバイスなどに用いられる、貼り合わせシリコンウエハを作成する際、貼り合わせ工程において界面に局所的に空隙が発生する事があります。 300mm貼り合わせウエハ内部を超音波顕微鏡を用いて観...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法）および結合状態をXPS（X線...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST
テストソリューション

フレキシブルに対応！「不具合防止」と「テスト効率化」を実現するテストソ…

ご相談ください。【支援内容（一部）】 ■第三者検証・専門会社のテスト設計/テスト実施によって、バグを早期検出・テストを分業することによる開発効率化・コストダウンを実現 ■マルチデバイステスト・スマートフォンを中心とした6,000台を超えるテスト用実機を保有・網羅性の高いマルチデバイステストで、端末依存不具合の抑止に貢献 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽...

メーカー・取り扱い企業：株式会社デジタルハーツ
SIM像　3D再構築解析受託サービス

SIM像3D再構築解析の受託スタート！※材料開発や半導体、基板のトラブ…

ＦＩＢ加工観察装置によるＳＩＭ像の３Ｄ再構築解析の受託を始めました！材料開発や半導体、基板のトラブル原因解明など、様々な分野で、お役にたちます！【半導体デバイスの故障解析やワーク断面・積層構造を高精度高分解能で観察】集束イオンビーム(FIB)加工装置には微小で等間隔ピッチでのスライス加工が出来る他、都度画像を取得できる機能があります。この機能を利...

メーカー・取り扱い企業：東レ・プレシジョン株式会社