『３Ｄ溶接検査装置システム』高速ビート検査

PR『溶接対象形状をロボットで正確にトレース！　寸法検査・形状検査も可能』…

『3D溶接ビード検査装置』は、ライン状のレーザ光源を検査ワークに 照射し、その反射光を高さデータとして取得する「光切断法」を 採用しています。 ロボットに取付けた3Dカメラでスキャンニングすることにより 三次元形状を計測できます。 また、検査中、通信でロボット位置・姿勢 情報を取得しているため、 加減速や姿勢変化にも対応可能です。 【特長】 ■自動での高速ビード検査 M...

メーカー・取り扱い企業： 東日本イワタニガス株式会社 開発本部

CNC同期式ギヤホーニング盤『LUXIS GH256』

PREV向けギヤの最終仕上げで需要が高まる、同期式ギヤホーニング盤! ノイ…

『LUXIS GH256』は、歯車の最終仕上げに特化した、 CNC同期式ギヤホーニング盤です。 噛み合い率の悪い少歯数ワークにも対応。 累積ピッチ精度、歯面修正能力なども向上し、 歯車の高精度化に貢献します。 ノイズの低減、歯面強度の向上にも効果を発揮。 加工法の特性から、歯研では加工が困難とされる段付きギヤなども対応が可能です。 【特長】 ■高剛性設計、同期精度、加工軸トルクが向上 ■少歯...

メーカー・取り扱い企業： 清和ジーテック株式会社 本社・工場

スパッタリング成膜

高エネルギーを利用して材料そのものを叩き出す、再現性に優れた成膜技術！

スパッタリング法は、プラズマ等により高いエネルギーをもった粒子（アルゴン）を成膜材料（ターゲット）に衝突させ、 その衝撃で材料成分をたたき出し、ガラスやシリコンウエハーなどの基板上に堆積させることで、薄膜を形成す...

メーカー・取り扱い企業： 東邦化研株式会社

導電性カーボン薄膜形成装置（アーク放電スパッタリング装置）

導電性カーボン薄膜をスパッタリングで形成。低温（４００℃以下）で不活性…

独自高密度スパッタ法　アーク放電型マグネトロンスパッタリング法（ＡＤＭＳ法）によりメタル成膜と同等のプロセスで導電性カーボン薄膜を形成。 従来のスパッタカーボン薄膜に比べて格段に緻密で高い密着性が特徴。 導電特性と...

メーカー・取り扱い企業： 神港精機株式会社 東京支店

リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体ターゲットや誘電体ターゲットも安定した製膜を実現します。 イオン源とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能と...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

【資料DL可/EBSD】EBSD を用いたアルミスパッタ膜の評価

電子線後方散乱回折法EBSDはアルミスパッタ膜の性能評価や下地材料の選…

電子線後方散乱回折法EBSD（Electron Backscatter Diffraction Pattern）は走査電子顕微鏡SEMと組み合わせることで以下が可能です ●微小領域の結晶粒の形状および方位の測定 ...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

高レート イオンビーム・スパッタ高速成膜装置（HR-PVD）

誘電体、強磁性体成膜を高レートかつ高品位に高速成膜

体の成膜で力を発揮する高速イオンビームスパッタ（IBD)装置です。　 ヘリコンプラズマソースをイオン源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加によって加速させる画期的な方法により、高レートかつ直進性の高い成膜を実現します。 ターゲット面全体を高効率で利用するため、貴重・希少なターゲットを用いる成膜工程でのコスト削減にも貢献します。 ＜特長＞ ■高速・高効率イオンビー...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

【書籍】薄膜の応力・密着性・剥離トラブルハンドブック

＜Ｑ＆Ａ集付＞ 手元に欲しい一冊！

場トラブルを解決する30以上のＱ＆Ａ付き！ ●表面・界面を評価、分析するポイント！ ●現場では聞けない＆聞く人がいない ●膜の剥離・剥がれ・割れにはどう対応するの？ ●良質の膜とは、その作製法とは！ ●薄膜プロセスによる応力の発現機構を理解！ ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社情報機構

シリンジ、薬液容器などの医療品や自動車にも対応！「DLC成膜」

スパッタリングで硬度なDLC（ダイヤモンドライクカーボン）を成膜し、医…

RAM CATHODEは、ターゲットを4面対向式にすることで、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、硬度なta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 ４面に対...

メーカー・取り扱い企業： 京浜ラムテック株式会社

粉体スパッタリング装置

お客様ご依頼サンプルによる受託成膜、立会実験にも対応いたします！

『粉体スパッタリング装置』とは、直径数μmまでの粉の表面に真空・ プラズマを使って薄膜をコーティングする装置です。 バレルスイング動作を基本とした攪拌機構を有し、 RFまたはDCスパッタ法による成膜が可能。 粉体材料の劣化防止や、粉体表面の電気伝導性の制御、 希少材料の薄膜化による省資源化などへの応用が期待できます。 【特長】 ■撹拌機構で均一な成膜 ■化学反応不要...

メーカー・取り扱い企業： エイ・エス・ディ株式会社 技術研究所

【多目的真空蒸着装置】抵抗加熱蒸着源

多目的真空蒸着装置HEXシステム用抵抗加熱蒸着源

多目的真空蒸着装置HEX／HEX-L用の抵抗加熱蒸着源です。 抵抗加熱蒸着法は、最も一般的な真空蒸着プロセスです。ボート型やルツボ型の加熱容器に材料を置き、加熱容器に電流を流すことで抵抗熱を発生させ、材料を加熱します。加熱容器の温度が充分に上昇すると、容器内の材料が蒸発し始...

メーカー・取り扱い企業： テガサイエンス株式会社

独自技術のスパッタリング成膜でハイレベルなDLC成膜を実現！

DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率：…

RAM CATHODE（4面対向式カソード）により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC（ta-C）の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 ４面に対向する...

メーカー・取り扱い企業： 京浜ラムテック株式会社

コンビナトリアル・マグネトロンスパッタシステム CMS-6420

1辺25mmトライアングルの有効エリア！単一基板に数百条件分の組成分布…

『CMS-6420』は、PLD法では実現しにくかった成膜面積の拡大を図るべく 開発された6元コンビナトリアル・マグネトロンスパッタ装置です。 有効エリアは1辺25mmトライアングル。 4インチウエハを標準基板とするた...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社コメット