一酸化ケイ素（SiO）塊・粉末

PRサブミクロンから塊状まで幅広くカスタマイズ可能なSiOパウダー。LiB…

当社は、リチウムイオン電池（LiB）負極材料などとして活用可能な 『一酸化ケイ素（SiO）』を提供しています。 粉末状（1～100μm）、粒状（1～5mm）、塊状（50～200mm）に対応し、 サブミクロンレベルまでカスタマイズ可能です。 1μmの粉末でSiO純度99.8％、5μmの粉末でSiO純度99.9％などの製品事例があります。 【特長】 ■製造方法：結晶化学気相成長法 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本NER株式会社

結晶欠陥検査装置『EnVision』

非破壊/非接触！nmスケールのウェハー内部の拡張欠陥の検出とモニタリン…

『En-Vison』は、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の 結晶欠陥を非接触・非破壊で測定・評価ができる結晶欠陥検査装置です。 欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方で ハイダイナミックレンジを提供。 ウェハー深さ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

プローブに原子を採用した表面分析装置（CAICISSの発展版）

結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可…

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置(非接触、非破壊式)

結晶欠陥分析装置 SIRM-300は、非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。 様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属　堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

結晶欠陥測定装置　(光散乱断層撮影式)

シリコンウェハーの結晶欠陥が高速測定可能。...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

パワー半導体の解析サービス

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…

【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】 ■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定 ■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工 ■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス

【DL可STEM/EDS】STEM/EDSによる半導体絶縁膜評価

STEM-EDS観察は半導体のPoly-Si(ポリシリコン)間の絶縁膜…

ることで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 加えて以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEM-EDSによる半導体絶縁膜評価」 を紹介しています。 本事例は問題なしの結果でしたが、異常検...

メーカー・取り扱い企業： セイコーフューチャークリエーション株式会社

SiC半導体評価装置「SemiScope」

フォトルミネッセンス(PL)イメージング法を用いたSiC半導体評価装置

できるPLイメージング装置です。 試料を移動させながらイメージング測定を行うタイリング機能を用いることで、約33億画素の解像度で6インチウェハ全面のPL画像を得ることができます。 SiCウェハの結晶欠陥を可視化。非接触・非破壊検査がPLイメージング法で短時間測定可能です。 【特徴】 ○SiC半導体評価装置 ○SiCウェハの結晶欠陥を可視化 ○非接触、非破壊検査 ○PLイメージング...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトンデザイン

超高感度DLTS　バルク内欠陥・界面準位測定装置

不良及び結晶欠陥の解析に有効！幅広いクライオスタット用のインターフェイ…

【その他の特長】 ■簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの分布状態、元素及び欠陥の特定ができる ■不良及び結晶欠陥の解析に有効 ■測定結果をライブラリーにある汚染物質のDLTS信号の羅列と比較することで、 　容易に汚染物質の特定が可能 ■高感度アナログ／デジタルロックイン平均法を採用したユニークなシス...

メーカー・取り扱い企業： 日本セミラボ株式会社 新横浜本社

測定装置『SemiScope PLIS-TEC』

拡張欠陥も測定可能！スペクトル線分析ができるSemiScope

『SemiScope PLIS-TEC』は、PLによる結晶欠陥の研究において 画期的な測定装置です。 PLイメージング画像で選択した線分において、その線分を1000点に分割した 各スペクトルを同時に測定することができます。 また、線分をスペ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社フォトンデザイン

分子線エピタキシー（MBE）装置

コンパクトなサイズ（１インチ〜２インチ）対応のMBE装置です。

●特徴 本装置は10-8Pa以下の超高真空中に置いた基板を加熱し、基板上に堆積させたい原料を独立に供給して基板上に結晶を成長させる真空蒸着法で、蒸発原料に固体を使用して分子線蒸着源（クヌーセン・セル）により原料の蒸発を行う固体ソースMBE装置と、原料に気体や有機金属を使用するガスソースMBE装置などがございます。...

メーカー・取り扱い企業： 北野精機株式会社

飛行時間型原子散乱表面分析装置『TOFLAS-3000』

結晶方位・極製は15分で一目瞭然！帯電の影響がなく安定した表面分析が可…

『TOFLAS-3000』は、金属、半導体、絶縁体などの固体表面の結晶構造および 元素分析を同時に行うことができる原子散乱表面分析装置です。 本装置は同軸型直衝突イオン散乱分光法（CAICISS）を発展させ、電気的に中性なHe(Ne、Ar)等の原子ビームを探査...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社パスカル