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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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標準品 最小ピッチ 0.15mm~、製品全長最短 1mm~。標準品以外…
・新メッキ技術によるプローブ性能の向上 現状のスプリングテストプローブの課題の一つに、接触抵抗の経時的上昇やバラツキがあります。その対策として、Au-COメッキより電気特性に優れる硬質純金メッキをAu-COメッキとほぼどうようの硬度で実現する、次世代純金メッキの開発を行なっており、接触抵抗の改善を目指しております。 ・プレスパイプを利用したスプ...
メーカー・取り扱い企業: ミクナスファインエンジニアリング株式会社
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