MOSFET | イプロスものづくり

パワーエレクトロニクス部品の高信頼性接合技術！ご興味頂いた方には装置の…

させるボイドが発生しやすい」や「高さが異なるチップや基板を均一に一括接合できない」といったお困りごとはございませんか？当製品は、基板上のすべてのコンポーネント（サーミスタ、IGBT、MOSFET、ダイ、チップなど）を個別に専用圧力でプレスすることが可能。　　　　　　　　 DBC、DBA、AMB、フレーム上の焼結ダイとクリップ、さらにはヒートシンク上の焼結パッケージへの統合...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Found Four

駆動用フォトカプラ『ACPL-W346-000E』

海外安全規格対応！ヒステリシス付きLED電流入力

路と光学的に結合された2.5Aピーク電流出力の高速ゲート駆動用フォトカプラです。パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供。電圧および高ピーク出力電流は、MOSFETを高速のスイッチング周波数で直接駆動して変換効率を高めるのに理想的です。【特長】 ■最大ピーク出力電流2.5A ■最小ピーク出力電流2.0A ■レールtoレール出力 ■最大伝...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバ…

且つ設計が容易。以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディパッケージが加わりました。【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

特殊プリント配線板『メタル基板』

メタル材料はアルミ・銅から選択可能！熱伝導性を利用して熱拡散性を強化

子部品の信頼性対策 ■金属のシールド性を利用したEMI対策 ■コストおよび衝撃耐性を重視したセラミック基板からの代替 ■冷却ユニットとの併用による高温環境での電子制御 ■IGBTやパワーMOSFETなど発熱量の大きいパワーデバイスの放熱対策・熱による　電子部品の信頼性対策 ■バスバー内蔵による組み立てコストの削減、省スペース化（銅コア基板） ■マイクロストリップ構造による低キャパシ...

メーカー・取り扱い企業：ＴＳＳ株式会社

パワー半導体　ICテスター　CTT3700

低価格、高精度を実現するために日本メーカーのテスターから海外メーカーの…

大きな市場でもある日本。電気的特性のテスターも日本メーカーが供給しているなかで、なかなかテスター自体の価格が下がってこないのが、現状。CCTECHの CTT3700は2000V/100A対応のMOSFET、ダイオード、電圧レギュレータ、IGBTデバイスのテストを可能にし、従来の日本国内メーカーが提示していた価格から、海外で開発、製造をすることで、低価格を実現しました。...

メーカー・取り扱い企業： CCTECH Japan CCTECH Japan（株）- 　日本法人

IGBTゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-302J-000E』

フル機能フォトカプラ！コンパクトな表面実装SO-16パッケージで提供し…

フォトカプラです。高速伝達遅延性能により、優れたタイミング制御と効率を実現します。産業用インバータ、モータ駆動、電源機器および再生可能エネルギー発電用途などでIGBTおよびパワーMOSFETを駆動するのに理想的です。【特長】 ■安定化出力電圧：20V ■広い入力電圧範囲：8～18V ■最大ピーク出力電流：±2.5A ■レール・ツー・レール出力電圧 ■ミラークランプ...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

無電解めっき（UBM）サービス

ウエハへの無電解めっき（UBM）なら当社にお任せください！

ことでボンディング配線の際、緩衝剤の役割もあり、更にAu膜を薄くすることも可能です。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。【めっきが必要なデバイス（代表例）】 ■パワーMOSFET ■IGBT ■ダイオード ■SiC ■GaN ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：アスカコーポレーション株式会社

インテリジェントロードスイッチ『XC6193 シリーズ』

GATE 端子搭載！防水/防滴機能を搭載したモバイル機器用途に使用可能…

ンの際のリーク電流は10nA(TYP.)と非常に小さい ■主電源SW用途だけでなく、機器の出荷後の長期保管の際の電池放電を　抑えるためにも有用 ■内蔵ハイサイドスイッチに加え外付Pch MOSFETを駆動するための　GATE端子を装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：トレックス・セミコンダクター株式会社

大容量　半導体カーブトレーサ　CS-10000シリーズ

パワーデバイスの特性測定に最適！高速鉄道などで使われるパワーデバイスも…

【特長】 ○超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 →CS-10800（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク電流8,000A） →CS-10400（最大ピーク電圧10kV）（...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

パワーマネジメントIC

MPSは電源ICソリューションのプロフェッショナルです。ぜひお気軽にお…

【パワーマネジメントIC製品例】　■ スイッチングコンバータ / コントローラ　■ スイッチングレギュレータ　■ LDO / 電圧監視　■ PMIC 　■ PoE 　■ MOSFETドライバ　■ 電源モジュール　■ マルチフェーズコントローラ / Intelli-Phase 　■ USB用電源　■ 48Vデータセンター用　■ 電力保護　■ ディスプレイ...

メーカー・取り扱い企業： MPSジャパン合同会社

SiCデバイス搭載インバータユニット

専用コントローラと組み合わせることで、実験環境の構築が短期間で整います

SiCデバイス搭載インバータユニット「MWINV-1044-SIC／MWINV-5044-SIC」は、ローム株式会社製SiC-MOSFETを用いた実験用インバータユニットです。ゲートドライバを搭載し、外部信号だけで、スイッチング周波数200kHzのインバータ駆動が可能。専用コントローラと組み合わせることで、実験環境の構築が...

メーカー・取り扱い企業： Mywayプラス株式会社

ゲートドライブユニット『VLB512/VLB519-01R』

モジュール自身から出力されるRTC信号と協調し、短絡保護機能を実現！

『VLB512-01R/VLB519-01R』は、三菱電機株式会社製RTC回路内蔵SiCMOSFETモジュール用ゲートドライブユニットです。【特長】 ■シンプルで扱いが容易な2回路入りゲートドライブシステム ■モジュール内RTC回路に対応した短絡検出回路内蔵 ■短絡保護回路内蔵 ...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社

FPGA電源基板『WFPG-20』

面倒なFPGAの電源回路設計を解決！

電源レール基板採用によるポイントオブロード　（POL）・レギュレーションが可能 ■出力電圧の同時トラッキング機能搭載 ■電流モードレギュレーションと高速スイッチング・スピードパワー　MOSFETで1～2MHzにて高速過渡応答機能を改善 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：有限会社ユニバーサル電子

ゲート駆動用フォトカプラ『ACNW3430』

モータ制御インバータで使用されるIGBTやパワーMOSFETの駆動に理…

『ACNW3430』は、パワー出力段を備え集積回路に光結合された LEDを内蔵しているゲート駆動用フォトカプラです。 100kV/μsの雑音耐性を備え、雑音が多い産業環境での誤駆動を防止。出力電圧および高ピーク出力電流により、IGBTの直接駆動に理想的です。また、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5における最大動作絶縁電圧 VIORM=1414 Vpeakを備えてい...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

SiC(炭化ケイ素,シリコンカーバイド)

小さなオン抵抗！発光ダイオードの基板としても使用されています。

も 3倍以上（4.9W/cm･k）、絶縁破壊電圧は約10倍（2.8MV/cm）という特性を持ち、 Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオード（SBD）等に好適。半導体の他、発光ダイオード（LED)の基板としても使用されております。【特長（SiCパワー半導体素子）】 ■小さなオ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社新陽

負荷専用型・高周波誘導加熱電源『IMC-ASH/AFHシリーズ』

分離型の整合部。全ての周波数で97％以上の高いインバーター効率

量産設備に適した電源装置です。ある程度限定された加熱対象物や加熱コイルの変化を前提とすることで、小型化・低廉化を達成しました。低ON抵抗、高速スイッチング特性を有すIGBT/MOSFETモジュールを採用し、全ての周波数で97％以上のインバーター効率を誇ります。温度制御ユニット搭載、ユーザー制御盤内に電源単体を配置するなど、多様で便利な使い方が選べます。【...

メーカー・取り扱い企業：アイメックス株式会社本社

半導体カーブトレーサ　CS-12800/CS-15800

最大ピーク電圧15kV、電流8000A！パワーデバイスの特性測定に最…

実現し、高耐圧の測定をカバーする半導体カーブトレーサです。超大電流を必要とする高速鉄道用インバータや大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パ―ワ―コンディションに使用する IGBT や MOSFET、SiC、GaN を用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。【特徴】 ■最大ピーク電圧15kV、最大ピーク電流8000A（CS-15800） ■4つのコレクタ・サプラ...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

ネツレン高周波電源

ネツレンは、高効率、コンパクト、高安定性にこだわった高周波電源装置を幅…

誘導加熱のパイオニアとして高度な技術と豊富な実績から高効率で信頼性の高い高周波電源装置を商品化し、各種用途にご使用いただいております。ネツレン高周波電源装置MKシリーズは、SCR、IGBT、MOSFETおよびSiC半導体を使用した出力(2.5～2,000kW)、周波数(0.3～400kHz)の豊富なラインナップを取り揃えています。【特長】・業界トップレベルの安定性・高い信頼性・...

メーカー・取り扱い企業：ネツレン　高周波熱錬株式会社

※大幅な小型化に成功『GaNFET　アダプター』90W～450W

GaN(窒化ガリウム)ベースのGaNFETを利用することでアダプターの…

【特長】 ■GaNFET搭載によりスイッチング時の損失を抑えることができ、　最大95%の高効率を実現。(MOSFET対比) ■同容量の従来のACアダプターと比較すると最大約50%のサイズダウンに成功。 ■90W・120W・160W・200W・300W・450W対応 ※詳しくは資料をダウンロードいただ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エスエムアイ本社

ゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-W349-000E』

最大定格1200V/100AのMOSFETおよびIGBTを直接駆動する…

『ACPL-W349-000E』は、AlGaAs LEDを内蔵し、パワー出力段を有する集積回路に光結合する2.5A出力高速ゲート駆動フォトカプラ・デバイスです。このデバイスは、電力変換アプリケーションで使用されます。パワー段の広い動作電圧範囲は、ゲート制御素子に必要な駆動電圧を提供します。【特長】 ■最大ピーク出力電流：2.5A ■広い動作電圧Vcc範囲：15～30V...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

回生機能付き双方向直流安定化電源『PBWシリーズ』

5kWで18kgの軽量・省スペース！直列モデルでは最大1000Vに対応…

『PBWシリーズ』は、変換効率最大92％の回生双方向直流電源です。パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと回生技術により、高い変換効率と従来の構成と比較して約80％の圧倒的な小型・軽量化を実現。これらにより、限られたスペースで大容量の直流安定化電源として...

メーカー・取り扱い企業：株式会社テクシオ・テクノロジー

VPX電源装置（VPX-3U-1D500）

VPX-3U-1D500は18?36 Vの連続入力電圧で動作し、500…

このVPX電源は、+ 12V_MAIN、+ 5V_MAINおよび+ 3.3V_MAINでのアクティブ電流共有も特長。 3つすべての補助出力は、並列動作をサポートするために、内蔵のOR-ing MOSFETまたはOR-ingダイオードを備えています。このNetPower VPX電源装置は、VITA 62、MIL-STD-704（B-F）、MIL-STD-461、およびMIL-STD-810Gに...

メーカー・取り扱い企業：日本パナトロニック株式会社

半導体カーブトレーサ　CS-5000シリーズ

3300Ｖ耐圧のパワーデバイスのブレークダウン測定に最適。

「半導体カーブトレーサ　CS-5000シリーズ」は、IGBTやMOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定に最適です。 V-Iカーブ観測及び、電圧、電流の印加波形も観測することができます。測定項目は、最大ピーク電圧:5000V（高電圧モード...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

伝導放熱小型3500W電源『HCAシリーズ』

産業機械向け大電力アプリケーションなどに！耐環境性が求められる装置に対…

やMRIなどの大電力アプリケーション用高周波アンプの先進デバイス駆動電源として使用でき、より高効率なシステムを実現できます。また、高耐圧部品にワイドバンドキャップ半導体(SiC-MOSFET)を採用することで高効率を実現しています。【特長】 ■ファンレス構造 (伝導冷却タイプ) ■低背型で1.5Uサイズに対応 (高さ65mm) ■ワイド入力　3Φ　180～528V...

メーカー・取り扱い企業：コーセル株式会社

電源『WFPG-20シリーズ』

5V入力電圧の立ち上がりを検知し、RESET信号を出力する機能を搭載し…

EMC)性能を改善 ■コア電源レール基板、I/O電源レール基板の採用によるポイントオブロード(POL)・レギュレーションが可能 ■電流モードレギュレーションと高速スイッチング・スピードパワーMOSFETで1～2MHzにて高速過渡応答機能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ウイスターエレクトロニクス

パワーデバイスプリドライバーカプラー『TLP5231』

低消費電力化を実現するパワーデバイスプリドライバーカプラー

『TLP5231』は、IGBT/パワーMOSFET向け絶縁プリゲートドライバーです。絶縁＋プリドライブ、デュアル出力の自動タイミング制御、独立したソフトターンオフ回路、保護動作オートリセット機能、過電流検出、電源電圧検出異常検出...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

半導体カタログ 2021-2022

確かな経験と蓄積された技術により開発！各種整流ダイオードや高圧ツェナー…

【その他の掲載内容（抜粋）】 ■高圧ツェナー ■ショットキバリアダイオードモジュール ■SiCショットキーバリアダイオード/MOSFET ■超高速ソフトリカバリダイオード ■超高速ソフトリカバリダイオードモジュール ■スナバーモジュール ■カスタムスナバーモジュール ■スナバーサージクランパ ■シリコンサージクランパ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社オリジン半導体デバイス部

Analog Power Inc

低電圧MOSFET

アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパ...

メーカー・取り扱い企業：リバウンドエレクトロニクス株式会社本社

ベクトル制御モーターMCU『TMPM37A』

BLDCモーターシーリングファンソリューション

リングファン特有の復帰処理を実装。 ACモータからの置き換えで電力総使用量を削減することが可能です。【特長】 ■BLDCモーターソリューション ■モーターMCU“TMPM37A”とMOSFET TPC8208 ■ギアレス（ダイレクト）ドライブソリューション ■センサーレスベクトル制御：シングルシャント可能 ■低速時ローター位置検出技術：高トルク維持 ※詳しくはPDFをダウ...

メーカー・取り扱い企業：東芝デバイス&ストレージ株式会社

DC/DCコンバータ『LTM4693』

必要な外付け部品はごくわずか！標準3.3V～5Vをはじめとするさまざま…

『LTM4693』は、スイッチングコントローラ、パワーMOSFET、インダクタ、サポートコンポーネントがパッケージに格納されている DC/DCコンバータです。高度トポロジによって、すべての動作モードでの連続転送が実現。 2.6V～5.5VのVI...

メーカー・取り扱い企業：マウザーエレクトロニクス

GaNデバイス ACアダプタのパワー向上とサイズダウンを実現

大容量ACアダプタの小型化に。45WのACアダプタと比較し約40％のパ…

『TP65H300G4LSG』はトランスフォーム社の第4世代GaNパワーデバイスです。汎用のMOSゲートドライバで駆動でき、Si-MOSFETと同様に使用可能。スイッチングロスが少なく、高周波の電源機器の小型化に適しており、 65Wの小型ACアダプタの開発で採用実績があります。【仕様】 ■パッケージ：8×8 PQFN ...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【半導体】量産向け半導体用レチクルが欲しい

熟練した技術スタッフが特殊なご要望にもチャレンジ！EBデータでもGDS…

【対応デバイス】 ■アナログIC/バイポーラ型IC/MPU/ディスプレイドライバ－用IC/ミックスドシグナルIC/ 　バイポーラトランジスタ/ダイオード/パワーMOSFET/IGBT/etc ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：日本フイルコン株式会社

負荷専用型・高周波誘導加熱電源『IMC-AFH103/203』

整合器は分離型！コンパクトな電源部と組み合わせ、自由度の高いレイアウト…

『IMC-AFH103/203』は、低ON抵抗、高速スイッチング特性を有す IGBT/MOSFETモジュールを採用し、全ての周波数で97％以上のインバーター効率を誇る負荷専用型・高周波誘導加熱電源です。高機能型IMC-ADHシリーズをベースに、予め設定された専用負荷(被処理物)を...

メーカー・取り扱い企業：アイメックス株式会社本社

高温動作パワートランジスタの解析レポート

STMicroがどのように高温(Tj=200℃)連続動作を実現したのか…

当社では、『高温動作パワートランジスタの解析レポート』をご提供しております。本レポートは、SiC系のSTMicro製のパワーMOSFET(SCT30N120)がどのようにして高温(Tj=200℃)での動作を実現したのかについて着目して解析を行った技術レポートです。【解析技術】 ■半導体チップ構造/材料(デバイス...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルテック

太陽電池充電コントローラ　SunKeeperシリーズ

簡単接続。屋外で使用可能。

来ます。0Vのバッテリーでも充電を始めます。 ●高信頼性：太陽電池温度が70℃の高温でも正常に動作します。ジャンクションボックスに接続し、そのまま屋外で使用できます。また、オン抵抗が低いパワーMOSFETを使用しています。逆流防止の必要はありません。 ●簡単接続：標準的な太陽電池モジュール用ジャンクションボックスのノックアウトホールM20に合います。SunKeeperのワイヤーの先端はY端子に...

メーカー・取り扱い企業：株式会社電菱

世界のHTCC2024-2030：成長・動向・市場予測

HTCCの世界市場調査レポート:規模、現状、予測2024-2030

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

パワー半導体ウェーハ同時測定テストシステム

パワー半導体のウェーハを32個まで測定が可能

に対応しており、それぞれ異なったメーカーのプローバでも接続が可能です。また、本体のテストシステムは、最大、2000V/30Aにまで対応しており、パワー半導体、IGBT, FRD, SBD, MOSFETなどを測定するのに最適です。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社シバソク

ノイズ線量計の世界市場レポート2023-2029

ノイズ線量計市場概要

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

半導体カーブトレーサ　「CS-3100」

各種半導体の特性測定に最適

半導体カーブトレーサ　「CS-3100」は、IGBT、MOSFET、トランジスタ、ダイオードなど各種半導体の特性測定に最適です。詳しくはカタログをダウンロードしてください。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社マックシステムズ

アルミナ連続繊維の世界市場レポート2023-2029

アルミナ連続繊維市場概要

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

遺伝子合成サービスの世界市場レポート2023-2029

遺伝子合成サービス市場概要

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

接続箱の世界市場レポート2023-2029

接続箱市場概要

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

デスクトップ自動イムノアッセイ分析装置の世界市場レポート2023

デスクトップ自動イムノアッセイ分析装置市場概要

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

アナログデバイセズ（アナデバ）半導体デバイス

汎用A/Dコンバータ、汎用オペアンプ、汎用D/Aコンバータ、加速度セン…

LDOレギュレータ、MOSFET ドライバ、シーケンサ、スイッチド・キャパシタ・コンバータ、スイッチング・レギュレータ、バッテリ管理、電圧監視 / リセットIC、電力モニタ、アナログ・マイクロコントローラ、Blackfinプロ...

メーカー・取り扱い企業：フルタカパーツオンライン　（フルタカ電気株式会社

ヒータージャケットの世界市場シェア2024

ヒータージャケットの世界市場調査レポート:規模、現状、予測2024-2…

は半導体デバイス、材料、装置を専門とするテクノロジー＆マーケットシニアアナリスト。半導体分野で9年の経験を有し、IC、半導体材料、パッケージ＆テスト、パワー半導体（IGBT、SiC、ダイオード、MOSFET、モジュール、ディスクリート）、化合物半導体（SiC、GaNなど）、パワー、RF、オプトエレクトロニクス、セラミック基板（HTCC、LTCC、DBC、AMB、DPC、DBA）、CMP、装置＆部品...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research