• 【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか? 製品画像

    【論文誌進呈中】MOSFETとIGBTの違いをご存じですか?

    PR近年の電源装置はスイッチング・ロスを低減できる「MOSFET方式」の採…

    キセノンアークランプ用電源の回路構成における、「MOSFET方式」についてご紹介します。 スイッチング素子にはIGBT方式が多く採用されてきましたが、 こちらは高周波化が難しく、よって簡素化が難しいとされています。 当社では、大出力・簡素化の実現且つ高速スイッチングが可能な 「MOSFET方式」のご提案が可能となっております。 小電圧の入力で大電流を生み出すことができ、 また制御回路を簡素化す...

    メーカー・取り扱い企業: パワーコントロ―ル社

  • 『TPS22975』  製品画像

    『TPS22975』

    5.7V、6A、16mΩシングルチャネル・オン抵抗ロードスイッチ 『T…

    PS22975Nの2つのデバイスで構成されます。 いずれのデバイスもシングル・チャネルの負荷スイッチで、立ち上がり時間を構成して 突入電流を最小化できます。 このデバイスにはNチャネルMOSFETが搭載され、0.6V~ 5.7Vの入力電圧範囲で動作し、 最大で6Aの連続電流をサポートできます。スイッチはオン/オフ入力(ON)により制御され、 低電圧の制御信号と直接接続が可能です。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』 製品画像

    3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』

    3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』のご紹介

    ッチで、 ターンオン・スルーレートの制御と調整が可能で、パワーグッドインジケータが 内蔵されています。 このデバイスには、0.65V〜3.6Vの低入力電圧範囲で動作可能なNチャネル MOSFETが含まれており、最大連続電流3Aをサポートすることができます。 6.7mΩの低いオン抵抗により、電力損失と電圧降下が最小限に抑えられます。 ロード・スイッチの両端に接続し、低電圧制御信号...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 『UCC28881』  製品画像

    『UCC28881』

    700V、超低静止電流オフライン・スイッチャ『UCC28881』

    『UCC28881』は、コントローラと14Ω、700 VパワーMOSFETを1つのモノリシックデバイスに 集積しています。このデバイスはまた、高電圧電流源を内蔵しており、整流メイン電源電圧からの 直接起動および動作を可能にします。 当製品は「UCC28880...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 【オプトカプラと光アイソレータ】ハーメチック 製品画像

    【オプトカプラと光アイソレータ】ハーメチック

    ミリタリおよび航空宇宙用途に必要とされる過酷な環境向け!ハーメチック・…

    【その他の製品ラインアップ】 ■アイソレーション・アンプ ■パワーMOSFET ■トランジスタ出力フォトカプラ ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: ブロードコム(アバゴ・テクノロジー株式会社)

  • 『Central Semiconductor ベアダイ』 製品画像

    『Central Semiconductor ベアダイ』

    Bare Die Product Guide

    本カタログでは、ダイオード、トランジスタ、MOSFET、サイリスタなど製品カテゴリ別に多数のベアダイ(ベアチップ)をご紹介しております。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ミック株式会社

  • 『CSD22206W』  製品画像

    『CSD22206W』

    8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

    この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工 製品画像

    【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工

    これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します

    ンチ加工、メサ加工等に対応で きる装置を提供。 当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工を ご紹介しています。 【掲載内容】 ■はじめに ■トレンチMOSFETの模式図 ■GaNのトレンチ加工 ■エッチング結果 ■最後に ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

    メーカー・取り扱い企業: サムコ株式会社

  • 【英文市場調査レポート】世界のSGT MOSFET市場 製品画像

    【英文市場調査レポート】世界のSGT MOSFET市場

    Global Shielded Gate Trench (SGT) M…

    当レポートは、SGT(シールドゲートトレンチ) MOSFET (Shielded Gate Trench (SGT) MOSFET) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社グローバルインフォメーション

  • 【英文市場調査レポート】世界のプレーナー型高電圧MOSFET市場 製品画像

    【英文市場調査レポート】世界のプレーナー型高電圧MOSFET市場

    Global Planar High Voltage MOSFET M…

    当レポートは、プレーナー型高電圧MOSFET (Planar High Voltage MOSFET) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要企業のプロファ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社グローバルインフォメーション

  • 【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで! 製品画像

    【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで!

    汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ!SiCや…

    2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。 パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧~1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 <10V耐圧~100V耐圧MOSFET> CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。 <100V耐圧~1000V耐圧> Double Trench構造MOSFETやIG...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 【英文市場調査レポート】世界のデュアルMOSFET市場 製品画像

    【英文市場調査レポート】世界のデュアルMOSFET市場

    Global Dual MOSFETs Market Insights…

    当レポートは、デュアルMOSFET (Dual MOSFETs) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要企業のプロファイルなどの情報を提供していま...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社グローバルインフォメーション

  • 『MOSFET』セカンドソース品 製品画像

    MOSFET』セカンドソース品

    JSCJ社の各種MOSFETをご紹介!

    売店として各種電子部品を取り扱っています。 国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です! サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。 【MOSFETのラインアップ】 ■各種MOSFET ┗トレンチ型 ┗プレーナ型 ┗SGT ┗スーパージャンクション ┗異種複合トランジスタ 【JSCJ社について】 江蘇長晶科技有限公司(JSCJ)は半導体製...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価 製品画像

    【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

    デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

    近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • パワー半導体 2000V N チャネルパワーMOSFET 製品画像

    パワー半導体 2000V N チャネルパワーMOSFET

    高電圧 電力変換システム用!様々な電力交換システムに適しています。

    2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの...

    メーカー・取り扱い企業: ジェイレップ株式会社

  • 【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価 製品画像

    【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

    活性層の形状とドーパントを評価

    市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • MOSFET和IGBT栅极驱动器のグローバル分析レポート2023 製品画像

    MOSFET和IGBT栅极驱动器のグローバル分析レポート2023

    MOSFET和IGBT栅极驱动器に関するグローバル市場分析、市場規模、…

    2023年1月17日に、QYResearchは「グローバルMOSFET和IGBT栅极驱动器に関する調査レポート, 2023年-2029年の市場推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。MOSFET和IGBT栅极驱动器の...

    メーカー・取り扱い企業: QY Research株式会社 QY Research

  • ICE20N60 20A, 600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE20N60 20A, 600V POWER MOSFET

    ★在庫あり!即日出荷可能!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージ…

    アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージ です。 【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • 【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価 製品画像

    【分析事例】トランジスタ(MOSFET)の拡散層分布評価

    SCMによる特定箇所の拡散層評価

    市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。 【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタ...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • グローバル平面型MOSFETの分析レポート2022 製品画像

    グローバル平面型MOSFETの分析レポート2022

    グローバル平面型MOSFET市場の収益、市場規模、販売量、売上高、価格…

    2022年12月8日に、QYResearchは「グローバル平面型MOSFETに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。平面型MOSFETの市場生産能力、生産量、販売量、売上高、...

    メーカー・取り扱い企業: QY Research株式会社 QY Research

  • ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET 製品画像

    ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

    ★在庫はお問合せ下さい!電源メーカーに採用実績のある、 電源マネージメ…

    アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージ です。 【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタロ...

    メーカー・取り扱い企業: アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

  • 【資料】しるとくレポNo.99#SiCのMOSFETについて 製品画像

    【資料】しるとくレポNo.99#SiCのMOSFETについて

    MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較!メーカによって測定…

    ★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

  • MOSFET R9シリーズ 製品画像

    MOSFET R9シリーズ

    航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs(Hermetic MOSFE…

    ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg)の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト(SEE)耐性の向上 ■パッケージは、表面実装...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パナトロニック株式会社

  • SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』 製品画像

    SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

    評価用として供給!BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

    『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会社様より評価...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パルス工業株式会社

  • 【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET 製品画像

    【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

    搭載チップはトレンチゲートを採用!電流センサーと温度センサー内蔵の12…

    当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池(FC)昇圧コンバーターにデンソー 内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック

  • MOSFET 超小型パッケージ SMD-0.2 製品画像

    MOSFET 超小型パッケージ SMD-0.2

    航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs(Hermetic MOSFE…

    ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 超小型パッケージ SMD-0.2の特長 ■SMD-0.5の半分の大きさ(8mm × 5mm) ■SMD-0.5に比べ重さは1/4という軽量化に特化したパッケージデザイン(0.25g) ■100Vと250Vの耐圧の製品(現在約6品種取扱可能) ※...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パナトロニック株式会社

  • VENUSシリーズ【技術資料】#矩形波通電 製品画像

    VENUSシリーズ【技術資料】#矩形波通電

    VENUSシリーズは通常の矩形波通電ドライバにインダクターを内蔵し、コ…

    ィング・ロジックを搭載した統合ソリューションによって構成されます。これらは、モータ制御またはモーション制御システム・ホストからの動作命令によってBLDCモータを自律的に駆動します。 パワーMOSFETとそれに関連する駆動回路の集積化に加えて、過熱、過電流、減電圧状態に対する保護機能および診断機能を備えた堅牢で高信頼性の設計です。 3相BLDCモータ・ドライバは、省スペースで熱特性が強化...

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    メーカー・取り扱い企業: コアレスモータ株式会社 本社

  • DC/DCコンバータ『RKZ-xx2005Dシリーズ』 製品画像

    DC/DCコンバータ『RKZ-xx2005Dシリーズ』

    SiC MOSFETドライバー用のDC/DCコンバータです。

    『RKZ-xx2005Dシリーズ』は、特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 このコンバータ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • 【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート 製品画像

    【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート

    現行品でリードタイムの長い製品である製品群を18億個、8、000種類の…

    )より認定された正規販売代理店および製造メーカーであり、37億個以上の在庫と37、000個の製品群を保有しています。 包括的なオンセミポートフォリオには、パワーコントローラとレギュレータ、パワーMOSFETとIGBT、クロックジェネレータ、センサおよびその他多くが含まれています。 特に現在供給不足の影響を受けているパワーマネジメントおよびディスクリート製品を多数含んでおります。 ・スイッチレギュ...

    メーカー・取り扱い企業: Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部

  • パワー半導体用 大電流・狭ピッチ対応プローブ 製品画像

    パワー半導体用 大電流・狭ピッチ対応プローブ

    ワークの材質・形状に合う製品を提供し、ご希望の測定の実現をサポート!

    創業40年、様々な測定に使用されるコンタクトプローブを製作してきました。 パワー半導体用(パワーモジュール、電源制御用IC、パワーMOSFET、整流ダイオード)に対応したコンタクトプローブも提供しております。 ワークの材質・形状・表面処理や、測定条件(電流値・通電サイクル・環境温度・測定速度)などをお伺いした上で、使用条件に適し...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社サンケイエンジニアリング 本社

  • 『DRV832x』  製品画像

    『DRV832x』

    6~60V、三相スマート・ゲート・ドライバ『DRV832x』

    ミリのデバイスは、三相アプリケーション用の統合ゲート・ ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、 それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。 当製品は、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・ レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 出力可変型FM送信機『SA-200』 製品画像

    出力可変型FM送信機『SA-200』

    送信出力を1W~25W範囲で可変!コミュニティーFM 放送局用送信機に…

    『SA-200』は、送信出力を任意に可変できるFM送信機です。 豊富なプロテクション回路を搭載し、内的・外的に発生する ストレスから回路を保護。 送信部に大電力の POWER MOSFET を採用。出力に十分余裕を持たせ、 連続送信に余裕をもって耐えうる設計となっています。 【特長】 ■送信出力を1W~25W範囲で可変できる ■ステレオ変調部、送信部、電源部の全てを一...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社府中技研

  • 『CSD18541F5』  製品画像

    『CSD18541F5』

    60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

    54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、 スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、 フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。 標準の小信...

    メーカー・取り扱い企業: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

  • 【半導体継続供給】メーカー認定のトランジスタ製品ソリューション 製品画像

    【半導体継続供給】メーカー認定のトランジスタ製品ソリューション

    20億個以上のトランジスタ製品在庫を保有/製造中止品(EOL品)の再生…

    ンジスタは、3つの端子しかないためシンプルに見えますが、電圧、電流、電力損失、およびスイッチング速度など、様々な要件があるため、複雑で多様な選択が必要となります。 シリコンベースのバイポーラ、MOSFET、およびIGBTトランジスタは昔からほとんどのアプリケーションでの用途をカバーしてきましたが、最近ではSiC(シリコンカーバイド)やGaN(ガリウムナイトライド)も選択肢として追加されています。...

    メーカー・取り扱い企業: Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部

  • ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』 製品画像

    ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

    短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載!ローム製SiCパワーモジュール用…

    『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 【特長...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パルス工業株式会社

  • 【資料】しるとくレポNo.53#アバランシェ試験(2) 製品画像

    【資料】しるとくレポNo.53#アバランシェ試験(2)

    デバイスの過渡熱抵抗など図を用いて解説!適当なパラメータを持つMOSF…

    ★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 当レポートは、しるとくレポNo.52でお話ししたMOSFETのアバランシェ 耐量試験の続きとなります。 デバイスの過渡熱抵抗やアバランシェ動作時の損失と時間の関係について 図やグラフを用いて解説。 デバイス選定の際に、異なる条件で測定され...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

  • 【資料】しるとくレポNo.52#アバランシェ試験(1) 製品画像

    【資料】しるとくレポNo.52#アバランシェ試験(1)

    アバランシェ降伏、UIS試験回路と波形など!パワーMOSFETのアバラ…

    トでは、アバランシェ降伏やUIS試験回路と波形について 図を用いて解説。 万が一アバランシェモードに入った場合であっても問題ないかを 検証するために、パワエレ回路設計を行う際にはパワーMOSFETの アバランシェ耐量を調べておく必要があります。 【掲載内容】 ■アバランシェ降伏のイメージ図 ■アバランシェ耐量を測定する試験回路と波形 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

  • スイッチングノイズ解析 DCDCコンバータ部分の伝導ノイズ解析 製品画像

    スイッチングノイズ解析 DCDCコンバータ部分の伝導ノイズ解析

    MOSFETスイッチを用いてスイッチング特性を模擬

    DCDCコンバータがスイッチング動作時の伝導ノイズを検討。 電源端子の0.1uFを追加すると高域ノイズが下がるが、6.7MHz付近では増加することが確認できる。 【特徴】 ○MOSFETスイッチを用いてスイッチング特性を模擬 ○SPICEモデルによる非線形動作 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エム・イー・エル

  • 半導体電子部品『アナログIC』|セカンドソース 製品画像

    半導体電子部品『アナログIC』|セカンドソース

    定番ICを安定供給しているメーカーをお探しのかたにおすすめします!

    【その他、取り扱い製品群】 ■トランジスタ ■ダイオード ■MOSFET ■トライアック/サイリスタ ■デュアル・複合半導体 ■アナログIC ■水晶振動子/発振子 ※品番については、カタログをご覧いただくかお気軽にお問い合わせください。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 半導体電子部品『トライアック/サイリスタ』セカンドソース 製品画像

    半導体電子部品『トライアック/サイリスタ』セカンドソース

    中止品・長納期品の代替品をお探しの方におすすめします。

    【その他、取り扱い製品群】 ■トランジスタ ■ダイオード ■MOSFET ■トライアック/サイリスタ ■デュアル・複合半導体 ■アナログIC ■水晶振動子/発振子 ※品番については、カタログをご覧いただくかお気軽にお問い合わせください。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

  • 【半導体/継続供給】Nexperiaディスクリート、ロジック製品 製品画像

    【半導体/継続供給】Nexperiaディスクリート、ロジック製品

    20億個以上のNexperiaの現行品および製造中止品(EOL品)在庫…

    製品となっています。さらに、130万個のディスクリート製品在庫を保有しており、そのうち67%はリードタイムが長い製品となっております。ロチェスターのディスクリート製品の在庫には、バイポーラおよびMOSFETトランジスタ、整流器、ツェナーダイオード、多くのTVSおよびESD保護デバイスが含まれています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイ...

    メーカー・取り扱い企業: Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部

  • 【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート 製品画像

    【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート

    現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(E…

    重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます: ・産業用・車載用パワーマネジメント製品 ・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品 ・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサス エレクトロニクス、NXPな...

    メーカー・取り扱い企業: Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部

  • REF_ICL8820_LED_43W_JT 製品画像

    REF_ICL8820_LED_43W_JT

    LED照明アプリケーションの定電流コンバータとの併用を目的としたリファ…

    D照明アプリケーションの 定電流コンバータとの併用を目的としています。 デフォルトの設定として、リファレンスデザインボードは、非常に小さな アダプタボード上に、ディプレッションモードのMOSFET BSS126Iをベースにした 起動回路が形成されています。 【特長】 ■LED照明アプリケーション向けの定電圧2次側安定化リファレンスデザイン ■ICL8820はバーストモードを備...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • REF_ICL8810_LED_43W_BM 製品画像

    REF_ICL8810_LED_43W_BM

    低い待機損失を実現!起動回路を抵抗膜方式に変更することも可能なリファレ…

    コントローラICL8800を 搭載した43Wのリファレンスデザインです。 デフォルトの設定として、リファレンスデザインボードは非常に小さな アダプタボード上に、ディプレッションモードのMOSFET BSS126Iをベースにした 起動回路を形成。 低い待機電力が不要の場合は、起動回路を抵抗膜方式に変更することも可能です。 【特長】 ■LED照明アプリケーション向けの定電圧(...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • 半導体電子部品『トランジスタ』セカンドソース品 製品画像

    半導体電子部品『トランジスタ』セカンドソース品

    国内メーカーの互換品多数あり!希少なTO-92パッケージ品ございます。

    【その他、取り扱い製品群】 ■トランジスタ ■ダイオード ■MOSFET ■トライアック/サイリスタ ■デュアル・複合半導体 ■アナログIC ■水晶振動子/発振子 ※品番については、カタログをご覧いただくかお気軽にお問い合わせください。...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アクアス

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