MOSFET | イプロスものづくり

3V～65V入力、500mAの同期整流降圧コンバータ、超低IQ『LM5…

『LM5166』は小型で使いやすい、3V～65Vで超低IQの同期整流降圧コンバータで、広い範囲の入力電圧と負荷電流にわたって高い効率を維持します。ハイサイドとローサイドのパワーMOSFETが搭載されており、3.3Vまたは5Vの固定出力電圧、または可変出力電圧で、最大500mAの出力電流を供給できます。このコンバータは、実装を簡素化し、同時に対象アプリケーションに合わせて性...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『DRV8885』

センス・レジスタ内蔵1.5Aステッパ・モーター・ドライバ『DRV88…

『DRV8885』は、2つのNチャネル・パワーMOSFET Hブリッジ・ドライバ、マイクロステッピング・インデクサを搭載。最大1.5A（フルスケール）あるいは、最大1.0Aのrms出力電流を供給できます（24VおよびTA= 25℃の場合。放熱の...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【産業調査レポート】世界のゲートドライバIC市場

世界のゲートドライバIC市場2023年-2028年：トランジスタタイプ…

ブを生成するパワーアンプです。電動モーターへの電流供給に使用される外部パワー・トランジスタ・ゲートの性能を向上させます。ロジックレベルの制御入力とパワー金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の間のリンクとして機能します。パワー半導体を効率的に駆動し、トランジスタの内部抵抗を最小限に抑えるインテリジェントなソリューションを提供するため、堅牢で柔軟性に富んでいます。これとは別に、負荷...

メーカー・取り扱い企業： H&Iグローバルリサーチ株式会社

DRV10987

12V～24V、3相センサレス180°正弦BLDCモーター・ドライバ『…

低コスト、低ノイズで外付け部品点数の少ないファンやポンプ・アプリケーションに好適。パワーMOSFETを内蔵し、最大2Aの電流を連続駆動します。最小6.2Vの電源電圧でモーターに電流を供給します。電源電圧が28Vを超えるとモーターの駆動を停止し、回路を保護します。独自のセンサレス制御スキームを使...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『TPSM84A21』

8V～14V 入力、0.508V～1.35V 出力、10A SWIFT…

『TPSM84A21』は使いやすい統合電源ソリューションで、10AのDC/DC同期整流降圧型コンバータの「TPS54A20」を、パワーMOSFET、シールド付きインダクタ、入力および出力コンデンサ、受動部品とともに、低プロファイルのパッケージに搭載したものです。この総合的な電源ソリューションは、電圧を設定する1つの抵抗だけで動...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【産業調査レポート】世界のRFトランジスタ市場

世界のRFトランジスタ市場2023年-2032年：種類別（バイポーラR…

RFトランジスタ市場は、2022年に21億1,489万ドルと評価され、2023年から2032年までの年平均成長率は6.17%で、2032年には38億2,708万ドルに達すると予測されています。RF（Radio Frequency）トランジスタは、一般的にメガヘルツからギガヘルツ周波数までの無線周波数帯の信号を増幅またはスイッチングするように設計された半導体デバイスです。バイポーラ接合トランジスタ（...

メーカー・取り扱い企業： H&Iグローバルリサーチ株式会社

入手にお困りの半導体・電子部品を緊急調達(メーカー不問)

当社のルードでグローバルで電子部品の調達を行う

■当社は2008に中国シンセイ(深セイ)にで成立された、半導体業界で15年以上の従事経験がある貿易商社になります。 ■TOYOTA、NIKON、シークス、加賀、Enics、Jabil、Venture、Sanminaなどの有名なEMSやエンドユーザーに長期的に協力しております。 ■ISO9001|ISO14001|DUNS|ERAI認証を受けました。 ■購入ルートが多い、グローバルの正規代理店...

メーカー・取り扱い企業： EZKEY ELECTRONICS CO.,LIMITED

『TPS22975』

5.7V、6A、16mΩシングルチャネル・オン抵抗ロードスイッチ『T…

PS22975Nの2つのデバイスで構成されます。いずれのデバイスもシングル・チャネルの負荷スイッチで、立ち上がり時間を構成して突入電流を最小化できます。このデバイスにはNチャネルMOSFETが搭載され、0.6V～ 5.7Vの入力電圧範囲で動作し、最大で6Aの連続電流をサポートできます。スイッチはオン/オフ入力(ON)により制御され、低電圧の制御信号と直接接続が可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』

3.6V、3A、抵抗ロードスイッチ『TPS22971』のご紹介

ッチで、ターンオン・スルーレートの制御と調整が可能で、パワーグッドインジケータが内蔵されています。このデバイスには、0.65V〜3.6Vの低入力電圧範囲で動作可能なNチャネル MOSFETが含まれており、最大連続電流3Aをサポートすることができます。 6.7mΩの低いオン抵抗により、電力損失と電圧降下が最小限に抑えられます。ロード・スイッチの両端に接続し、低電圧制御信号...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

『UCC28881』

700V、超低静止電流オフライン・スイッチャ『UCC28881』

『UCC28881』は、コントローラと14Ω、700 VパワーMOSFETを1つのモノリシックデバイスに集積しています。このデバイスはまた、高電圧電流源を内蔵しており、整流メイン電源電圧からの直接起動および動作を可能にします。当製品は「UCC28880...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【オプトカプラと光アイソレータ】ハーメチック

ミリタリおよび航空宇宙用途に必要とされる過酷な環境向け！ハーメチック・…

【その他の製品ラインアップ】 ■アイソレーション・アンプ ■パワーMOSFET ■トランジスタ出力フォトカプラ ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

『Central Semiconductor ベアダイ』

Bare Die Product Guide

本カタログでは、ダイオード、トランジスタ、MOSFET、サイリスタなど製品カテゴリ別に多数のベアダイ（ベアチップ）をご紹介しております。 ...

メーカー・取り扱い企業：日本ミック株式会社

『CSD22206W』

8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD2…

この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた熱特性を持つよう設計されています。低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスはバッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工

これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します

ンチ加工、メサ加工等に対応できる装置を提供。当資料では、これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介しています。【掲載内容】 ■はじめに ■トレンチMOSFETの模式図 ■GaNのトレンチ加工 ■エッチング結果 ■最後に ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：サムコ株式会社

【英文市場調査レポート】世界のSGT MOSFET市場

Global Shielded Gate Trench (SGT) M…

当レポートは、SGT(シールドゲートトレンチ) MOSFET (Shielded Gate Trench (SGT) MOSFET) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要...

メーカー・取り扱い企業：株式会社グローバルインフォメーション

【英文市場調査レポート】世界のプレーナー型高電圧MOSFET市場

Global Planar High Voltage MOSFET M…

当レポートは、プレーナー型高電圧MOSFET (Planar High Voltage MOSFET) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要企業のプロファ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社グローバルインフォメーション

【POTENS】『MOSFET』低耐圧から1000V以上まで！

汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップ！SiCや…

2012年9月に設立された台湾のFABレスメーカーです。パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧～1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。＜10V耐圧～100V耐圧MOSFET＞ CSP MOSFETやDouble Trench構造MOSFETを中心に、300品種以上を保有。＜100V耐圧～1000V耐圧＞ Double Trench構造MOSFETやIG...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

【英文市場調査レポート】世界のデュアルMOSFET市場

Global Dual MOSFETs Market Insights…

当レポートは、デュアルMOSFET (Dual MOSFETs) 市場について調査しており、市場規模や予測、動向、成長要因および課題、タイプ・用途・企業・地域別の市場分析、競合情勢、主要企業のプロファイルなどの情報を提供していま...

メーカー・取り扱い企業：株式会社グローバルインフォメーション

『MOSFET』セカンドソース品

JSCJ社の各種MOSFETをご紹介！

売店として各種電子部品を取り扱っています。国内では生産が終了してしまった、ダイオードやトランジスタ等もご用意が可能です！サンプル対応も承っておりますので、お気軽にお問い合わせください。【MOSFETのラインアップ】 ■各種MOSFET ┗トレンチ型 ┗プレーナ型 ┗SGT ┗スーパージャンクション ┗異種複合トランジスタ【JSCJ社について】江蘇長晶科技有限公司（JSCJ)は半導体製...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アクアス

【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価

デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

パワー半導体　2000V N チャネルパワーMOSFET

高電圧電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。

2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの...

メーカー・取り扱い企業：ジェイレップ株式会社

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

MOSFET和IGBT栅极驱动器のグローバル分析レポート2023

MOSFET和IGBT栅极驱动器に関するグローバル市場分析、市場規模、…

2023年1月17日に、QYResearchは「グローバルMOSFET和IGBT栅极驱动器に関する調査レポート, 2023年-2029年の市場推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。MOSFET和IGBT栅极驱动器の...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

ICE20N60　20A, 600V POWER MOSFET

★在庫あり！即日出荷可能！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60 は20A,600VのTO220 パッケージです。【特長】 ■TO220パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【EOL品再生産】オンセミ製品の継続供給サポート

現行品でリードタイムの長い製品である製品群を18億個、8、000種類の…

)より認定された正規販売代理店および製造メーカーであり、37億個以上の在庫と37、000個の製品群を保有しています。包括的なオンセミポートフォリオには、パワーコントローラとレギュレータ、パワーMOSFETとIGBT、クロックジェネレータ、センサおよびその他多くが含まれています。特に現在供給不足の影響を受けているパワーマネジメントおよびディスクリート製品を多数含んでおります。・スイッチレギュ...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価

SCMによる特定箇所の拡散層評価

市販LSI 内MOSFETのSCM分析事例を紹介します。まず、特定のトランジスタの断面を機械研磨で露出します。この時、Si面はnm オーダーまで平坦に研磨されています。SCM像では層の分布が二次元的に確認できます。定量的...

メーカー・取り扱い企業：一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

ICE20N60B 20A, 600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE20N60Bは20A,600VのTO263-2L, D2PAK パッケージです。【特長】 ■TO263-2L (D2PAK)パッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

グローバル平面型MOSFETの分析レポート2022

グローバル平面型MOSFET市場の収益、市場規模、販売量、売上高、価格…

2022年12月8日に、QYResearchは「グローバル平面型MOSFETに関する市場レポート, 2017年-2028年の推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。平面型MOSFETの市場生産能力、生産量、販売量、売上高、...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

ICE10N60FP 10A,600V POWER MOSFET

★在庫はお問合せ下さい！電源メーカーに採用実績のある、電源マネージメ…

アイスモス・テクノロジーのICE10N60FP は10A,600VのTO220 Full Pak パッケージです。【特長】 ■TO220Full Pakパッケージ ■低オン抵抗 ■超低ゲート電荷重 ■耐高dv/dt ■高いUIS特性 ■耐高ピーク電流 ■増相互コンダクタンス・パフォーマンス...※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタロ...

メーカー・取り扱い企業：アイスモス・テクノロジー・ジャパン株式会社

【資料】しるとくレポNo.99＃SiCのMOSFETについて

MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定…

★★しるとくレポ　知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという特長を持っています。この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が多く見られます。今...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

MOSFET　R9シリーズ

航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFE…

ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装...

メーカー・取り扱い企業：日本パナトロニック株式会社

【MOSFET出力タイプ】DC負荷用　ソリッドステートリレー

「S1Dシリーズ」負荷電圧DC50V～450V・最大負荷電流5A～40…

ソリッドステートリレー「S1D」は、電磁リレー（EMR）と同様に入力側と出力側が絶縁され、入力と出力のON、OFFが一致する機能を電気回路開閉部に半導体素子を使用して無接点化した半導体制御部品です。光結合素子（フォトカプラ）が回路内部に使用されて、電磁リレー（EMR）と比較して、高信頼性・高速性・高頻度制御・小型化を可能にしました。小信号で動作し、耐振動、耐衝撃、耐湿性に優れ、無騒音で環境...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。リファレンスボード「BM60052-EVK-001」同仕様品で、実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。当製品は、ローム株式会社様より評価...

メーカー・取り扱い企業：日本パルス工業株式会社

【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

搭載チップはトレンチゲートを採用！電流センサーと温度センサー内蔵の12…

当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 SiC-...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルテック

MOSFET　超小型パッケージ　SMD-0.2

航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFE…

ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。超小型パッケージ　SMD-0.2の特長 ■SMD-0.5の半分の大きさ（8mm × 5mm) ■SMD-0.5に比べ重さは1/4という軽量化に特化したパッケージデザイン(0.25g) ■100Vと250Vの耐圧の製品（現在約６品種取扱可能） ※...

メーカー・取り扱い企業：日本パナトロニック株式会社

【半導体継続供給】メーカー認定のトランジスタ製品ソリューション

２０億個以上のトランジスタ製品在庫を保有/製造中止品(EOL品)の再生…

ンジスタは、3つの端子しかないためシンプルに見えますが、電圧、電流、電力損失、およびスイッチング速度など、様々な要件があるため、複雑で多様な選択が必要となります。シリコンベースのバイポーラ、MOSFET、およびIGBTトランジスタは昔からほとんどのアプリケーションでの用途をカバーしてきましたが、最近ではSiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）も選択肢として追加されています。...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

【半導体/継続供給】Nexperiaディスクリート、ロジック製品

20億個以上のNexperiaの現行品および製造中止品(EOL品)在庫…

製品となっています。さらに、130万個のディスクリート製品在庫を保有しており、そのうち67％はリードタイムが長い製品となっております。ロチェスターのディスクリート製品の在庫には、バイポーラおよびMOSFETトランジスタ、整流器、ツェナーダイオード、多くのTVSおよびESD保護デバイスが含まれています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ロチェスターでは、アナログ・デバイ...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

【EOL品/半導体】STマイクロ認定の継続供給サポート

現行品および製造中止品(EOL品)への継続供給サポート/製造中止品(E…

重要な部品のサポートや、下記の製品における製造中止品(EOL品)の継続的な供給が含まれます：・産業用・車載用パワーマネジメント製品・パワートランジスタ(IGBT、シリコンカーバイド・パワーMOSFETなど) ・保護製品・アンプ ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか？ロチェスターでは、アナログ・デバイセズ、インフィニオン、オンセミ、ルネサスエレクトロニクス、NXPな...

メーカー・取り扱い企業： Rochester Electronics, Ltd.

DC/DCコンバータ『RKZ-xx2005Dシリーズ』

SiC MOSFETドライバー用のDC/DCコンバータです。

『RKZ-xx2005Dシリーズ』は、特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。このコンバータ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アークテイク

パワー半導体用大電流・狭ピッチ対応プローブ

ワークの材質・形状に合う製品を提供し、ご希望の測定の実現をサポート！

創業40年、様々な測定に使用されるコンタクトプローブを製作してきました。パワー半導体用（パワーモジュール、電源制御用IC、パワーMOSFET、整流ダイオード）に対応したコンタクトプローブも提供しております。ワークの材質・形状・表面処理や、測定条件（電流値・通電サイクル・環境温度・測定速度）などをお伺いした上で、使用条件に適し...

メーカー・取り扱い企業：株式会社サンケイエンジニアリング本社

『DRV832x』

6～60V、三相スマート・ゲート・ドライバ『DRV832x』

ミリのデバイスは、三相アプリケーション用の統合ゲート・ドライバです。このデバイスには、3つのハーフ・ブリッジ・ゲート・ドライバがあり、それぞれがハイサイドとローサイドのNチャネル・パワーMOSFETを駆動できます。当製品は、内蔵のチャージ・ポンプを使用してハイサイドMOSFET用の、リニア・レギュレータを使用してローサイドMOSFET用の、適切なゲート駆動電圧を生成します。 ...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。日本国内での不具合解析や...

メーカー・取り扱い企業：旭テック株式会社大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

出力可変型FM送信機『SA-200』

送信出力を1W～25W範囲で可変！コミュニティーFM 放送局用送信機に…

『SA-200』は、送信出力を任意に可変できるFM送信機です。豊富なプロテクション回路を搭載し、内的・外的に発生するストレスから回路を保護。送信部に大電力の POWER MOSFET を採用。出力に十分余裕を持たせ、連続送信に余裕をもって耐えうる設計となっています。【特長】 ■送信出力を1W～25W範囲で可変できる ■ステレオ変調部、送信部、電源部の全てを一...

メーカー・取り扱い企業：株式会社府中技研

『CSD18541F5』

60-V N チャネル FemtoFET MOSFET『CSD1854…

54mΩ、60V Nチャネル FemtoFET MOSFETテクノロジ『CSD18541F5』は、スペースに制約のある多くの産業用ロードスイッチ・アプリケーションで、フットプリントを最小限にするよう設計され、最適化されています。標準の小信...

メーカー・取り扱い企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

VENUSシリーズ【技術資料】#矩形波通電

VENUSシリーズは通常の矩形波通電ドライバにインダクターを内蔵し、コ…

ィング･ロジックを搭載した統合ソリューションによって構成されます。これらは、モータ制御またはモーション制御システム･ホストからの動作命令によってBLDCモータを自律的に駆動します。パワーMOSFETとそれに関連する駆動回路の集積化に加えて、過熱、過電流、減電圧状態に対する保護機能および診断機能を備えた堅牢で高信頼性の設計です。 3相BLDCモータ･ドライバは、省スペースで熱特性が強化...

メーカー・取り扱い企業：コアレスモータ株式会社本社