資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

SiC インバータ実験セット　HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット

SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバータセッ...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！ 多彩な回路方式…

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

【Bourns】SiCショットキーバリアダイオード＊低損失高効率

高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適で…

高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバーター

5.2kVDC/1minの堅個な絶縁！ソーラーインバータやアーク溶接な…

ます。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃～+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートドライバ用電源に特化 ■SiC、GaNトランジスタをカバーする為、 　シングル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

プリアンプ内蔵SiCフォトダイオードUVセンサTOCONシリーズ

使いやすい高性能UVセンサ

ドイツ・sglux社製のプリアンプ内蔵SiCフォトダイオード TOCONシリーズです。SiC（炭化ケイ素）フォトダイオードは、高耐久・低暗電流・低温度依存で可視光不感（紫外線のみを検出する）の高性能なUVセンサです。TOCONシリーズはSi...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイ・アール・システム

SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバータ

5.2kVDC/1minの堅個な絶縁！ソーラーインバータやアーク溶接な…

ます。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃～+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートドライバ用電源に特化 ■SiC、GaNトランジスタをカバーする為、 　シングル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

Al-SiC ヒートシンクプレート（放熱基板）

材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させたAl-SiCを採用！ 低…

こちらは湖南ハーベストテクノロジー社（中国 製）の Al SiC ヒートシンクプレートです。 湖南ハーベストテクノロジー社は中国長沙市にて 2007 年創業のAl-SiC を中心とした金属複合材メーカーです。 IGBTモジュール用の Al-SiC...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社双葉機工

炭化ケイ素　SiC

炭化ケイ素（SiC）はJFCにお任せください

耐食性に優れ、液中での摺動特性が良好な炭化ケイ素を、原料調合から焼成・加工・検査まで、弊社独自の技術により社内一貫生産しております。 少量試作から量産まで、ご要望にお答えいたします。 【特長】 ●他のファインセラミックスと比べ、高温域（1000℃以上）での機械強度の低下が小さく、耐摩耗性に優れる ●共有結合性が強いため、ファインセラミックスの中では最も硬く、耐食性に優れ、液中での摺...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package(Isolated)...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

絶縁IGBT/Sicドライバ向け　強化絶縁型DC/DCコンバータ

非対称出力が可能で、最大8kVDCの高絶縁耐圧。短絡保護オプション有り…

『RxxP2xx/Rシリーズ』は、医療規格に対応した絶縁IGBT/Sicドライバ向け強化絶縁型DC/DCコンバータです。 非対称出力が可能で、豊富なバリエーションを取り揃えております。 EN/UL60950-1、EN61010認証取得済みで、動作温度範囲は-40～85℃に対応しております。 【特長】 ■非対称出力が可能 ■6.4kVDCまたは8kVDCの高絶縁耐圧 ■短絡保護オプシ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

ME-SiCパワーモジュール

SiCの特性により完成されたSiCパワーモジュール

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-SiCパワージュール-家電用600V/15A・25A超小型フルSIC DIPIPMは、電力損失の提言； 高温度動作； 高速スイッチング動作；高い放熱効果というSiCの特性を生かして製造された。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を 実現します。 【特...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

SiC小型高電圧直流電源

可搬型X線診断装置に好適！X線耐性が高いため鉛シールド内に設置可能！

ネクスファイ・テクノロジー株式会社が取り扱う 『SiC小型高電圧直流電源』をご紹介します。 当社オリジナルの超高電圧SiC SBDを使用。 小型軽量で、高速フィードバック回路を搭載しております。 また、中点接地により160kVまで対応可...

メーカー・取り扱い企業： ネクスファイ・テクノロジー株式会社

大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】

産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電…

東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低...

メーカー・取り扱い企業： マウザーエレクトロニクス