• 資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】 製品画像

    資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】

    PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!

    エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...

    メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】

  • Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】 製品画像

    Smart LCDC【組込機器へ液晶を搭載されたいお客様に】

    PR「液晶」「LCDコントローラIC」でお困りのお客様、お気軽にご相談下さ…

    ◆必見◆ ・LCDコントローラICの入手でお困りのメーカー様 ・他社製LCDコントローラICの生産中止等でお困りのメーカー様 ・液晶の生産中止や仕様変更などでお悩みのメーカー様 〇小ロット、長期生産のお客様向けの製品です。 〇液晶の生産中止、LCDコントローラICのデバイスの生産中止に対して強力な解決案となっています。 〇弊社製品は基本的に1pcsからご購入可能です。 【S...

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    メーカー・取り扱い企業: 有限会社ケニックシステム 東京オフィス

  • SiC インバータ実験セット HEK-INV-A 製品画像

    SiC インバータ実験セット HEK-INV-A

    すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット

    SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバータセッ...

    メーカー・取り扱い企業: ヘッドスプリング株式会社

  • SiC Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200 製品画像

    SiC Hブリッジ回路ブロック HGCB-4A-401200

    SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能! 多彩な回路方式…

    本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ(単相インバータ)回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です...

    メーカー・取り扱い企業: ヘッドスプリング株式会社

  • 【Bourns】SiCショットキーバリアダイオード*低損失高効率 製品画像

    【Bourns】SiCショットキーバリアダイオード*低損失高効率

    高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適で…

    高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバーター 製品画像

    SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバーター

    5.2kVDC/1minの堅個な絶縁!ソーラーインバータやアーク溶接な…

    ます。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃~+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートドライバ用電源に特化 ■SiC、GaNトランジスタをカバーする為、  シングル...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • プリアンプ内蔵SiCフォトダイオードUVセンサTOCONシリーズ 製品画像

    プリアンプ内蔵SiCフォトダイオードUVセンサTOCONシリーズ

    使いやすい高性能UVセンサ

    ドイツ・sglux社製のプリアンプ内蔵SiCフォトダイオード TOCONシリーズです。SiC(炭化ケイ素)フォトダイオードは、高耐久・低暗電流・低温度依存で可視光不感(紫外線のみを検出する)の高性能なUVセンサです。TOCONシリーズはSi...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイ・アール・システム

  • SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバータ 製品画像

    SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバータ

    5.2kVDC/1minの堅個な絶縁!ソーラーインバータやアーク溶接な…

    ます。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃~+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートドライバ用電源に特化 ■SiC、GaNトランジスタをカバーする為、  シングル...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • Al-SiC ヒートシンクプレート(放熱基板) 製品画像

    Al-SiC ヒートシンクプレート(放熱基板)

    材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させたAl-SiCを採用! 低…

    こちらは湖南ハーベストテクノロジー社(中国 製)の Al SiC ヒートシンクプレートです。 湖南ハーベストテクノロジー社は中国長沙市にて 2007 年創業のAl-SiC を中心とした金属複合材メーカーです。 IGBTモジュール用の Al-SiC...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社双葉機工

  • 炭化ケイ素 SiC 製品画像

    炭化ケイ素 SiC

    炭化ケイ素(SiC)はJFCにお任せください

    耐食性に優れ、液中での摺動特性が良好な炭化ケイ素を、原料調合から焼成・加工・検査まで、弊社独自の技術により社内一貫生産しております。 少量試作から量産まで、ご要望にお答えいたします。 【特長】 ●他のファインセラミックスと比べ、高温域(1000℃以上)での機械強度の低下が小さく、耐摩耗性に優れる ●共有結合性が強いため、ファインセラミックスの中では最も硬く、耐食性に優れ、液中での摺...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ファインセラミックス株式会社

  • SiC MOSFET FMG50AQ120N6 製品画像

    SiC MOSFET FMG50AQ120N6

    高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

    50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package(Isolated)...

    メーカー・取り扱い企業: 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

  • SiCモジュール『EOシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『EOシリーズ』

    電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

    『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

  • 絶縁IGBT/Sicドライバ向け 強化絶縁型DC/DCコンバータ 製品画像

    絶縁IGBT/Sicドライバ向け 強化絶縁型DC/DCコンバータ

    非対称出力が可能で、最大8kVDCの高絶縁耐圧。短絡保護オプション有り…

    『RxxP2xx/Rシリーズ』は、医療規格に対応した絶縁IGBT/Sicドライバ向け強化絶縁型DC/DCコンバータです。 非対称出力が可能で、豊富なバリエーションを取り揃えております。 EN/UL60950-1、EN61010認証取得済みで、動作温度範囲は-40~85℃に対応しております。 【特長】 ■非対称出力が可能 ■6.4kVDCまたは8kVDCの高絶縁耐圧 ■短絡保護オプシ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • ME-SiCパワーモジュール  製品画像

    ME-SiCパワーモジュール

    SiCの特性により完成されたSiCパワーモジュール

    製品:MITSUBISHI ELECTRIC-SiCパワージュール-家電用600V/15A・25A超小型フルSIC DIPIPMは、電力損失の提言; 高温度動作; 高速スイッチング動作;高い放熱効果というSiCの特性を生かして製造された。 ...

    メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD

  • SiCモジュール『HPDシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『HPDシリーズ』

    高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

    『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗(RDC≦0.1mΩ)を 実現します。 【特...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

  • SiC小型高電圧直流電源 製品画像

    SiC小型高電圧直流電源

    可搬型X線診断装置に好適!X線耐性が高いため鉛シールド内に設置可能!

    ネクスファイ・テクノロジー株式会社が取り扱う 『SiC小型高電圧直流電源』をご紹介します。 当社オリジナルの超高電圧SiC SBDを使用。 小型軽量で、高速フィードバック回路を搭載しております。 また、中点接地により160kVまで対応可...

    メーカー・取り扱い企業: ネクスファイ・テクノロジー株式会社

  • 大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス&ストレージ】 製品画像

    大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス&ストレージ】

    産業機器にも最適な1200V !高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電…

    東芝デバイス&ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低...

    メーカー・取り扱い企業: マウザーエレクトロニクス

  • SiCモジュール『ED3Sシリーズ』 製品画像

    SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

    「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

    『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高...

    メーカー・取り扱い企業: エルピーエステック株式会社

  • SiC超高電圧直流電源 製品画像

    SiC超高電圧直流電源

    90%を超える高効率!直流300kV超高電圧発生部の小型自己シールドを…

    当社が取り扱う『SiC超高電圧直流電源』をご紹介します。 超高電圧直流絶縁技術により直流300kV超高電圧発生部の 小型自己シールドを実現。多出力対応が可能です。 また、過電圧、過電流、過温度、保護回路、...

    メーカー・取り扱い企業: ネクスファイ・テクノロジー株式会社

  • 鉄道用SiC VVVFインバータの世界市場レポート2023 製品画像

    鉄道用SiC VVVFインバータの世界市場レポート2023

    鉄道用SiC VVVFインバータに関するグローバル市場分析、市場規模、…

    2023年10月26日に、QYResearchは「グローバル鉄道用SiC VVVFインバータに関する調査レポート, 2023年-2029年の市場推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。鉄道用SiC VVVFインバータの市...

    メーカー・取り扱い企業: QY Research株式会社 QY Research

  • 『SiC素子搭載高周波電源』 製品画像

    SiC素子搭載高周波電源』

    高温環境下での連続稼働が可能!フルSiC素子採用による新しい高周波電源

    当社では、低損失デバイスSiCを採用した高周波電源を取り扱っています。 スイッチング素子の発熱を抑え、高温環境下での連続仕様および 耐久性を大幅に向上します。 冷却水が不要になり(インバータ部)、ユーティリティコ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社第一機電

  • 炭化ケイ素(SiC)基板の世界市場の調査レポート 製品画像

    炭化ケイ素(SiC)基板の世界市場の調査レポート

    『無料サンプル』を入手可能! 関連リンクから詳細をご覧になり、直接お申…

    2023年8月22日に、YHResearchは「グローバル炭化ケイ素(SiC)基板のトップ会社の市場シェアおよびランキング 2023」の調査資料を発表しました。本レポートでは、炭化ケイ素(SiC)基板の世界市場について、製品別、アプリケーション別、会社別、地域別、国別に分...

    メーカー・取り扱い企業: YH Research株式会社

  • 炭化ケイ素(SiC)エピタキシー装置の世界市場シェア2024 製品画像

    炭化ケイ素(SiC)エピタキシー装置の世界市場シェア2024

    炭化ケイ素(SiC)エピタキシー装置の世界市場:メーカー、地域、タイプ…

    グローバル市場調査レポート出版社であるQYResearchは「世界の炭化ケイ素(SiC)エピタキシー装置の供給、需要、主要メーカー、2024 ~ 2030 年レポート」レポートには、世界市場、主要地域、主要国における炭化ケイ素(SiC)エピタキシー装置の販売量と販売収益を調査してい...

    メーカー・取り扱い企業: QY Research株式会社 QY Research

  • ME-Sic SBD 製品画像

    ME-Sic SBD

    Sicの特性により製造されるSic SBD

    製品:MITSUBISHI ELECTRIC-SiC SBDは、Sicの特性である、JBS構造による高信頼性;高温度動作;高速スイッチング動作;高い放熱効果を生かして完成された。 ...

    メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD

  • ME-超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFC 製品画像

    ME-超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFC

    家電用超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFCである

    製品:MITSUBISHI ELECTRIC-家電用超小型ハイブリッド/フルSiC DIPPFC については、DIPPFCは、インバータ機器の電源高調波抑制、力率改善(PFC)用の昇圧チョッパ回路、及び駆動ICをトランスファーモールドパッケージに搭載したIPMで、ワイドバンド...

    メーカー・取り扱い企業: Home Shine ENT. CO., LTD

  • 【新製品まとめて紹介】エンジニアリングセラミックス 製品画像

    【新製品まとめて紹介】エンジニアリングセラミックス

    【新製品】高靭性SiN、高純度SiC、カーボン分散SiC

    エンジニアリングセラミックス】 ■炭化ケイ素 ■窒化ケイ素 ■アルミナ ■ジルコニア 【金属セラミックス複合材料MMC】 ■SAシリーズ 鋳造(SA301、SA401) アルミニウムにSiCセラミックス粒子を30~40vol%含有させた複合材料 ■SAシリーズ 浸透(SA701) SiCセラミックス多孔体(70vol%)にアルミニウムを含浸させた複合材料 ■SSシリーズ 浸透(...

    メーカー・取り扱い企業: 日本ファインセラミックス株式会社

  • 【POTENS】FET 低耐圧から高耐圧まで 各種製品紹介  製品画像

    【POTENS】FET 低耐圧から高耐圧まで 各種製品紹介 

    低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 …

    Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富! パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧~1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 <10V耐圧~100V耐圧M...

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    メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ

  • 株式会社トップ精工 事業紹介 製品画像

    株式会社トップ精工 事業紹介

    セラミックス、石英ガラス、高融点金属などの素材選定のご提案から新製品開…

    、耐摩耗性 ○ジルコニア (ZrO2) :耐摩耗性、低熱伝導 ○窒化アルミ (AlN) :高熱伝導率、絶縁性 ○窒化ケイ素 (Si3N4) :絶縁性、耐熱衝撃性、耐摩耗性 ○炭化ケイ素 (SiC) :絶縁性、高強度、高熱伝導率、耐腐食性 ○マシナブルセラミックス :絶縁性、耐熱性、被削性 ○その他の複合素材 ex:MMC (SiC+Si)、CMC (SiC繊維+マトリックス) ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トップ精工

  • EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x) 製品画像

    EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

    短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹…

    ィブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます...

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    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • DC/DCコンバーター『RxxP22005Dシリーズ』 製品画像

    DC/DCコンバーター『RxxP22005Dシリーズ』

    出力電力の共有の特別な機能!SiC MOSFETドライバーに好適。

    『RxxP22005Dシリーズ』は特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • 【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバーター 製品画像

    【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバーター

    SiC及びIGBTドライバ用のDC/DCコンバータ

    『RxxPxxyyDシリーズ』は、高絶縁耐圧と低い分離容量を誇ります。 SiCドライバの場合は+ 20/-5V及び+ 15/-3Vの非対称出力、 IGBTドライバの場合には+ 15 / -9V非対称出力です。 5、12、15、24vの入力電圧があり、連続短絡保護搭載...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • 【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバータ 製品画像

    【DC/DC】高絶縁耐圧と低い分離容量のDC/DCコンバータ

    SiC及びIGBTドライバ用のDC/DCコンバータ

    『RxxPxxyyDシリーズ』は、高絶縁耐圧と低い分離容量を誇ります。 SiCドライバの場合は+ 20/-5V及び+ 15/-3Vの非対称出力、 IGBTドライバの場合には+ 15 / -9V非対称出力です。 5、12、15、24vの入力電圧があり、連続短絡保護搭載...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • DC/DCコンバータ『RxxP22005Dシリーズ』 製品画像

    DC/DCコンバータ『RxxP22005Dシリーズ』

    出力電力の共有の特別な機能!SiC MOSFETドライバーに好適。

    『RxxP22005Dシリーズ』は特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • DC/DCコンバーター『RKZ-xx2005Dシリーズ』 製品画像

    DC/DCコンバーター『RKZ-xx2005Dシリーズ』

    SiC MOSFETドライバー用のDC/DCコンバータです。

    『RKZ-xx2005Dシリーズ』は、特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。 モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。 こ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アークテイク

  • 【資料】パワエレ電源の市場動向レポート進呈中 製品画像

    【資料】パワエレ電源の市場動向レポート進呈中

    パワーデバイス売上ランキング掲載!AC/DC、DC/DC、DC/AC変…

    当資料は、新しいパワエレ電源の動向について詳しくご紹介している ロジフル情報マガジンです。 パワーデバイスの市場規模(現状と予測)や、SiC/GaNデバイスの 適用範囲などを含めた、素子の動向を解説。 AC/DC、DC/DC、DC/AC変換技術概要も掲載し、これらの技術の今後に ついても触れておりますので、ぜひご一読ください...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ロジフル

  • 【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価 製品画像

    【分析事例】SNDMおよびSMMによる拡散層評価

    SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

    近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が...

    メーカー・取り扱い企業: 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST

  • CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ 製品画像

    CoolSiC MOSFET 650V、D2PAKパッケージ

    双方向のトポロジーに対応!より安く、よりシンプルで、より小さなシステム…

    CoolSiC MOSFET技術は、炭化ケイ素(SiC)の強力な物理的特性を活用し、 デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を追加しています。 コンパクトなSMD 7ピン パッケージの...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • R24C2T25 DC/DCコンバータ 製品画像

    R24C2T25 DC/DCコンバータ

    ゲートドライブに好適なDC/DCコンバータ

    非対称安定化出力はIGBT、Si、SiC、GaNカスコードゲートドライブに適しています。 RECOM社(オーストリア)の新しいR24C2T25 DC/DCコンバータによって、 IGBT、Si、SiC、およびGaNカスコードゲートドラ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社理経

  • ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』 製品画像

    ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

    SiCパワーモジュールに一体取付可能!システムの小型化に貢献するSiC

    『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの 小型化に貢献します。 ...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パルス工業株式会社

  • EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx) 製品画像

    EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

    デッドタイムを最小化!アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

    オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチン...

    メーカー・取り扱い企業: インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社

  • CUSTOMIZED DC-LINK CAPACITORS 製品画像

    CUSTOMIZED DC-LINK CAPACITORS

    フラットで省スペースな設計!10nH 未満の低い漏れインダクタンスを実…

    は、 WIMA 低インダクタンス (LI) DC リンク コンデンサです。 自己インダクタンスが特に低い、フラットで省スペースな設計が特長。 一般的な用途に加え、特にシリコンベースのSiCパワー半導体と 組み合わせた用途に適しています。 【特長】 ■フラットで省スペースな設計 ■シリコンベースのSiCパワー半導体と組み合わせた用途に好適 ■10nH 未満の低い漏れイン...

    メーカー・取り扱い企業: SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

  • 【資料】しるとくレポNo.12 #ダイオードの種類と特長 製品画像

    【資料】しるとくレポNo.12 #ダイオードの種類と特長

    SiCデバイスを使って電源を効率化!ダイオードの種類と特長について簡単…

    ★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリア ダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで 使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology

  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化 製品画像

    次世代パワー半導体の開発・評価と実用化

    SiC、GaN、ダイヤモンド、酸化ガリウムを材料としたパワー半導体の特…

    価と実用化」 ■体裁:B5判 414頁 ■定価:54,000円+税 ■発行:エヌ・ティー・エス 序論  次世代パワー半導体の研究開発動向 第1編 次世代パワー半導体の開発  1章 SiCパワー半導体  2章 GaNパワー半導体  3章 ダイヤモンドパワー半導体  4章 Ga2O3(酸化ガリウム)パワー半導体 第2編 次世代パワー半導体の実装技術と信頼性  1章 パワー半...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社エヌ・ティー・エス

  • 【パンフレット進呈】2023年3月開催 製造業向けウェビナー5種 製品画像

    【パンフレット進呈】2023年3月開催 製造業向けウェビナー5種

    3月開催分 トリケップス製造業向け市場動向ウェビナー 『自動車の騒音と…

    動車市場の成長と、リチウムイオン電池のリユース・リサイクルの動向』 →47,300円(税込) / 1名*62,700円(税込) / 1口(3名まで) 3/3『電力変換回路・装置設計の基礎とSiC / GaNパワーデバイスの使い方・技術市場動向』 →49,500円(税込) / 1名*62,700円(税込) / 1口(3名まで) 3/14『量子アニーリング入門:基礎から最先端まで』 ...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トリケップス

  • 【資料】ゲートドライバー テクニカルシート 製品画像

    【資料】ゲートドライバー テクニカルシート

    IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて…

    料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバー...

    メーカー・取り扱い企業: 日本パルス工業株式会社

  • 水素火炎検知用 UVセンサ 製品画像

    水素火炎検知用 UVセンサ

    長寿命・高速・高感度!水素火炎を検出するためにはUVセンサが有効とされ…

    当社では、火炎のON/OFF検出に好適な「TOCON_ABC1」をはじめとする、 様々な『水素火炎検知用 UVセンサ』を取り揃えています。 【ラインアップ(一部)】 <プリアンプ内蔵 SiCフォトダイオード(TOCON)> ■TOCON_ABC1 ■TOCON_ABC2 ■TOCON_NC1F ■TOCON_F ■TOCON_N steel housing ※詳しくは...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイ・アール・システム

  • 面粗さRa1nm【精密研磨/ 鏡面加工】【ラッピング】 製品画像

    面粗さRa1nm【精密研磨/ 鏡面加工】【ラッピング】

    ◆面粗さ Ra1nm以下◆

    ~対応材質~ 金属:ステンレス、ニッケル、銅、アルミ、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、超硬鋼材全般 など セラミックス:アルミナ、SiC、Si3N4、チタニア、イットリア、PZT、PMN-PT など 樹脂 :エンジニアリングプラスティックス全般、アクリル、ポリカ  など ガラス・結晶材料:石英、BK7、PYREX など 半導...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社ティ・ディ・シー

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