SiC | イプロスものづくり

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業：ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカアンドカンパニー】

【カタログ進呈！】高性能オシロスコープ　PicoScope

PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…

高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。【特徴】・周波数帯域３ GHｚ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8－12ビット・メモリ４GS ・アナロ...

メーカー・取り扱い企業： Pico Technology Ltd.

面粗さRa1nm【精密研磨/ 鏡面加工】【ラッピング】

◆面粗さ　Ra1nm以下◆

～対応材質～金属：ステンレス、ニッケル、銅、アルミ、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、超硬鋼材全般　などセラミックス：アルミナ、SiC、Si3N4、チタニア、イットリア、PZT、PMN-PT　など樹脂：エンジニアリングプラスティックス全般、アクリル、ポリカ　　などガラス・結晶材料：石英、BK7、PYREX など半導...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ティ・ディ・シー

Pulsed IV システム

GaN HEMTs, LDMOS, SiC等のハイパワーデバイスの特性…

分解能 600V/1200V, 100A パワーエレクトロニクスユーザーのために強化されたオン抵抗精度 Sパラメータ　＆　パルスド・ロードプルオプション GaN HEMTs, LDMOS, SiCのようなハイパワーデバイス特性評価短パルス、高速立上り・立下り時間 - 自己発熱テストで等温をサポート ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アムテックス

【解析レポート】デンソー製パワーカードモジュール

チップサイズは自動車用途として最大クラス！200Aクラスの駆動電流で低…

当資料は、『2021 デンソー製パワーカードモジュール,SiC-MOSFETチップ』の解析レポートです。本製品は、2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターパワーモジュールに採用されているSiC-MOSFET搭載のパワー...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルテック

直流アンプ Kulite圧力センサのために設計された直流アンプ

三協インタナショナル/kulite/TE Connectivity/ユ…

ストレインゲージ用直流増幅器、各種センサと接続可能です。シンプルな機能で、安価、多チャンネルながら小型。歪ゲージ式センサであれば接続可能。容易な操作性。...1ch, 4ch, 8chの多チャンネルが可能。センサ供給電源2.5V, 5V, 10Vから1つ選択。ゲイン固定 x10, x20, x50, x100, x200から1つ選択。外形寸法：1CH(80.6(W)×40....

メーカー・取り扱い企業：三協インタナショナル株式会社

1200V MOSFETパワーモジュール

市場で特に幅広い産業用シリコンカーバイドのラインアップを提供！

『1200V MOSFETパワーモジュール』は、第1世代 CoolSiC MOSFETから進化したM1Hテクノロジーを搭載したリードタイプの製品です。推奨VGS(on)15V～18VおよびVGS(off)0V～5Vと、ゲート駆動電圧範囲を大幅に拡大。ま...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

半導体製造用高温ヒータ、静電チャックおよび耐熱衝撃セラミックス

シリコン半導体・SiCおよびGaN製パワー半導体製造プロセスに対応。高…

パイロリティックボロンナイトライド（PBN）やタンタルカーバイドは高い耐熱性や耐腐食性を有し、急速昇降温・超高温を容易に実現できるセラミックスです。 PBNは色々な形状に蒸着製造または加工が可能。超高温ヒータや高温静電チャック、グラファイト保護コーティングもございます。 PBN機能部品は有機ELの製造プロセス、半導体単結晶成長プロセス、その他の高温真空プロセスなどの改善に貢献します。 ...

メーカー・取り扱い企業：モメンティブ・テクノロジーズ・ジャパン株式会社

TO-220/TO-247各パッケージに対応可能なソケット！

高温下でも使用可能！高耐圧・大電流のニーズに応えるTOパッケージ対応！

『Cシリーズ』は、SiCやGaNなどを使用したパワーデバイスに求められる高耐圧・大電流に対応可能な、耐熱設計のソケットです。 TO-220/TO-3P/TO-247の各パッケージに適合し、 TO-247向けは...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ＳＤＫ

【バスバーの悩み】バスバーが幅を取るので装置が小型化できない

バスバー(ブスバー)を基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現！

社の特殊技術により基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現しています。長さ方向も、最大1,000mmまで対応します。また基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・基板化の最大のメリットは...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社

【バスバーの悩み】バスバーは取り扱いが難しい

バスバー(ブスバー)を基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現！

社の特殊技術により基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現しています。長さ方向も、最大1,000mmまで対応します。また基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・基板化の最大のメリットは...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社

バスバー(ブスバー)大電流基板

バスバー(ブスバー)を基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現！

社の特殊技術により基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現しています。長さ方向も、最大1,000mmまで対応します。また基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・基板化の最大のメリットは...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社

小冊子『第2回セラミックス入門～材料選定4つのキーワード』

4つの特性を基に材料選定のポイントを解説！技術ハンドブック第2弾を無料…

ルセラミックス＞ ◎「シェイパルHI Mソフト」 ◎「ホトベール」＜ファインセラミックス＞ ◎窒化アルミ(AlN) ◎アルミナ(AL2O3) ◎窒化珪素(Si3N4) ◎炭化珪素(SiC) ◎ジルコニア(ZrO2）　など ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。...

メーカー・取り扱い企業：ナラサキ産業株式会社メカトロソリューション部　機能材料課

DC/DCコンバータ『R24C2T25』

ゲートドライバDC/DCの範囲を拡大！過電圧や損傷のリスクを防ぎます

『R24C2T25』は、IGBT、Si、SiC、およびGaNカスコードゲートドライブ用の電力を生成することがこれまでより簡単になるDC/DCコンバータです。コンパクトな7.5 x 12.83mm、36ピンのSSOPパッケージのこの...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アークテイク

【バスバーの悩み】大電流設備で作業者の安全性を確保したい

バスバー(ブスバー)を基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現！

社の特殊技術により基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現しています。長さ方向も、最大1,000mmまで対応します。また基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・基板化の最大のメリットは...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社

FS3L400R10W3S7F_B11

EasyPACK 3B 950V TRENCHSTOP IGBT7およ…

7F_B11』は、EasyPACK パワーモジュール製品ラインアップに新たに加わった製品です。ブースター回路で、950V TRENCHSTOP IGBT7および 1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載。 SiCダイオードとの組み合わせにより、IGBTのスイッチング損失を低減します。【特長】 ■950V TRENCHSTOP IGBT7 ■12...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

【バスバーの悩み】組立時の工数を減らしたい

バスバー(ブスバー)を基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現！

社の特殊技術により基板化することで高い絶縁性と軽薄短小化を実現しています。長さ方向も、最大1,000mmまで対応します。また基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・基板化の最大のメリットは...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社

【電子部品、防衛システム】GeneSiC　会社案内

電子部品は低温で動作！再生可能エネルギー源の効率的な獲得を可能にします

産業および防衛システムの世界的な大手メーカー GeneSiC社の製品を使用することで、パフォーマンスと効率を高めています。 GeneSiCテクノロジーの製品は、さまざまな高電力システムでエネルギーを節約するための重要な役割を果たします。技術は再生可...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

【病院用】磁気・ICカードタイマーと関連製品

カードでスマートな入院ライフ！多機能、単機能、ランドリーなどのカードタ…

目的の用途やシーンに合わせてお選びください。【ラインナップ】（磁気カードタイマー） ■多機能：テレビ・冷蔵庫・電話・LAN(有線インターネット)の他　ご要望の機能がございましたらお気軽にお問い合わせください。　SCT-930R（縦型）、SCT-930RH（横型）（電流検知方式）　SCT-930R-K（縦型）、SCT-930RH-K（横型）（通信制御方式） ■単機能...

メーカー・取り扱い企業：三和ニューテック株式会社本社

スイッチング電源の基本Vol.5　セラコンを探すときの落とし穴

今さら聞けないセラコンを探すときの落とし穴とは？　※メルマガ会員募集中

ショットキーバリアダイオードは、スイッチング電源において出力側の整流に使われることが多いです。近年では新しい素材である炭化ケイ素（SiC:シリコンカーバイト）を使って、高価格とはなりますがシリコンを使ったショットキ－バリアダイオードの欠点を克服したデバイスが製品化されています。 ※技術的なご相談も大歓迎！　お気軽...

メーカー・取り扱い企業：加美電子工業株式会社

ゲート駆動用フォトカプラ『ACPL-352J』

高速伝達遅延と優れたタイミング・スキュー性能！

『ACPL-352J』は、5A出力インテリジェント・ゲート駆動用フォトカプラです。ピーク出力電流が大きく動作電圧範囲が広いため、モータ制御およびインバータ用途においてSiC/GaN MOSFETやIGBTを直接駆動するのに理想的です。安全規格IEC/EN/DIN、ULおよびCSAの認証を受けた強化絶縁を提供します。【特長】 ■最大ピーク出力電流：5...

メーカー・取り扱い企業：ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

ニョウブ酸リチウム基板（LN / LiNbO3）

単結晶ニョウブ酸リチウム（LN / LiNbO3）のインゴット、ウェハ…

　同人産業は半導体材料の素材から加工まで一貫して提供できる専門企業です。サファイア、シリコン、炭化ケイ素（SiC）、GaN、LN、LTを始めとしたその他結晶材料を加工も含めて提供しております。　同人産業では「半導体材料」という特化した専門分野で、長年の経験や専門知識を蓄積しており、長期間に亘って検証され...

メーカー・取り扱い企業：株式会社同人産業

大容量　半導体カーブトレーサ　CS-10000シリーズ

パワーデバイスの特性測定に最適！高速鉄道などで使われるパワーデバイスも…

【特長】 ○超大電流を必要とする、高速鉄道用インバータや、大規模太陽熱発電、風力発電などの大容量パワーコンディショナに使用するIGBTやMOSFET、SiCを用いた最新パワー半導体などの特性評価に大きく貢献します。 →CS-10800（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク電流8,000A） →CS-10400（最大ピーク電圧10kV）（最大ピーク...

メーカー・取り扱い企業：岩崎通信機株式会社

大電流基板

豊富な銅箔厚ラインアップで数アンペア～数百アンペアの電流値に対応可能！

電流を流すことができる厚銅箔のプリント基板です。従来の銅厚105～240μmを超える、300μm、400μm、500μmの銅厚を使用した「超厚銅大電流基板」や、小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも適した「異形銅厚共存基板」などをご用意しています。【特長】 ■300umの場合、同一層に50umの薄銅箔の共存が可能 ■500um以上は内層や外層から...

メーカー・取り扱い企業：大陽工業株式会社プリント回路カンパニー

Newson社製レーザ用スキャナシステム

デジタルクローズドループのサーボシステム！

【その他特長】 ■ミラーの材質選択可能：Si, BK7, FS, SiC ■3Dオンザフライ加工可能 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社インテック

インダクタ・リアクトル「トロイダルコイル」

定格電流・インダクタンス値・周波数・静音性など、ご要望に応じた最適設計…

リア周波数　～20kHz 【OZFSシリーズ】　■用途　1. 低価格品の平滑・昇圧回路　2. 推奨キャリア周波数　～30kHz 【OZSSシリーズ】　■用途　1. SiC, GaN半導体素子を適用した次世代インバータ　2. 共振インバータ、PFC回路　3. 推奨キャリア周波数　～100kHz ●詳しくはお問い合わせください。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社尾関

フェライトコア　UUシリーズ

DTTフェライトグループが生産するUUコアです。

パワーエレクトロ二クス機器へのSiCやGaNなど次世代半導体素子の採用が進み、フェライトコアを用いた大型高周波トランス、コイルの開発が進んでいます。大型コア：UU80 / UU120 が使用されています。 ...

メーカー・取り扱い企業：広州市小笠原貿易有限会社

回生機能付き双方向直流安定化電源『PBWシリーズ』

5kWで18kgの軽量・省スペース！直列モデルでは最大1000Vに対応…

『PBWシリーズ』は、変換効率最大92％の回生双方向直流電源です。パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと回生技術により、高い変換効率と従来の構成と比較して約80％の圧倒的な小型・軽量化を実現。これらにより、限られたスペースで大容量の直流安定...

メーカー・取り扱い企業：株式会社テクシオ・テクノロジー

導電性ダイヤモンド　コーティングサービス

従来方法では難しかった物質の分解や合成が可能です

【成膜仕様】 ■サイズ：Φ150mm（最大） ■基板：Si,SiC,Nb,Mo,Ti等 ■膜厚：～15μm ■結晶：多結晶ダイヤモンド ■抵抗率：10^(-2)～10^(-3)Ω・cm ■タイプ：P型 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、...

メーカー・取り扱い企業： DIAM株式会社

異型銅厚共存基板

小型化が進むパワーデバイスに適した大電流基板！

『異型銅厚共存基板』は、同一層に300μmの厚銅箔と70μmの薄銅箔を共存させ、途中で切り替えることができる大電流基板です。組立工数や部品点数の削減を実現。小型化の進むGaNやSiCに代表されるパワーデバイスにも好適です。【特長】 ■300μmと70μmを途中で切り替え可能 ■300μmと70μmは入り組んでいてもOK ■銅インレイの組み合わせ可能 ※詳し...

メーカー・取り扱い企業：大陽工業株式会社プリント回路カンパニー

ウエハ　開発サービス

ELO(epitaxial lateral overgrowth)にも…

当社では、GaN、Sapphire、SiC基板上へのMOCVDによるエピ成長に対応できるウエハを開発しております。高周波デバイスをはじめ、パワーデバイス、照明など様々な用途にご利用頂けます。ご要望の際はお気軽にご連絡く...

メーカー・取り扱い企業：株式会社パウデック

真空蒸着法

50種類以上もの薄膜コーティングを1個からでも対応可能！薄膜形成ならお…

3、SiO2、TiO2、Cr2O3、ITO、MgO、NbO、Ta2O5、WO3、ZrO2、ZnO　など　窒化膜：AlN、BN、CrN、MoN、NbN、SiN、TaN、TiN　など　炭化膜：SiC、TiC、BC　など ■最大搭載可能サイズ：800×1000mm　※小型装置から大型装置まで幅広く保有しております。 ■対応可能基板　・Si Wafer 　・ガラス　・フィルム　...

メーカー・取り扱い企業：東邦化研株式会社

総合カタログ『絶縁デバイス』

アイソレーションアンプ・ゲートドライバーなどを多数ご紹介

SA205SF/ISA205DF 　・高機能アイソレーションアンプ　ISA218-RI 　・高性能アイソレーションアンプ　ISA219/ISA223　他 ■ゲートドライバー　・120A SiCパワーモジュール用ドライバー　GDUSC12 　・大容量高速ゲートドライバー　GDU40 　・IGBT一体取付型ゲートドライバー　GDU51　他 ■DC-DCコンバータ　・高耐圧DC-D...

メーカー・取り扱い企業：日本パルス工業株式会社

【オンライン講座】パワーデバイスの基礎

お客様からご要望が多かった講座を準備！現役エンジニアが講師を務めます！

ありましたら、ご相談下さい。【オンライン講座内容】 ■パワーデバイスの概要 ■ダイオード ■MOSFETとIGBTの基本機能・動作原理 ■パワーMOSFETとIGBTの諸特性 ■SiCデバイスの物性とパワーデバイスとしての優位点 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：株式会社Wave Technology

プレスフィット端子・ピン(線材)

自社オリジナルの圧造加工機で製造！お客様のコスト削減と利益創出が図れま…

います。圧造加工では金属屑が発生せず、製品1個当りの加工速度を他の加工法よりも上げることができ、お客様のコスト削減と利益創出が図れます。民生・車載コネクタやIGBTモジュール、SiCモジュール用として、お客様のご要望に応じた製品を作ることが可能です。ご質問等お気軽にご相談下さい。【特長】 ■プレス加工：形状の自由度が高い為、幅広い形状に対応可能 ■線材加工：ロ...

メーカー・取り扱い企業：ファインネクス株式会社本社、東京支店、大阪支店、名古屋支店、ベトナム工場、シンガポール営業所

【資料】電子・機械装置へのスペアー部品

部品メーカーの一例もご紹介！当社のスペアー部品取扱製品の一覧を掲載して…

当資料では、アル株式会社の電子・機械装置へのスペアー部品の取扱製品をご紹介しております。「真空ゲージ,真空スイッチ,イオンゲージ」をはじめ、「ベアリング」「拡散ポンプ,クライオポンプ」「スロットルバルブ,シリンダ」などの部品メーカーの一例も掲載。ぜひ、ご一読ください。【取扱製品】 ■He-Neレーザー,YGAレーザー,Arレーザー,UVレーザー,エキシマレーザ...

メーカー・取り扱い企業：アル株式会社本社

パワーモジュール用パッケージの市場調査報告書

パワーモジュールのパッケージング市場は、2033年までに年平均成長率9…

によってもたらされます。例えば、2018年1月、三菱電機株式会社は、1.7kVから6.5kVまでの定格の他のパワー半導体モジュールの中で最も高い電力密度を提供すると考えられる6.5kVフルSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体モジュールを開発したと発表した。このモジュールは、高圧鉄道車両や電力系統の電源装置の小型化、省エネルギー化につながると期待されています。また、さまざまな産...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

RF GaN（高周波窒化ガリウム）市場調査報告書

RF GaN市場は、予測期間（2023年～2033年）において、年平均…

窒化ガリウム（GaN）技術の継続的な進化により、GaNはフェーズドアレイ、レーダー、ケーブルテレビ（CATV）のベーストランシーバー局、VSAT、防衛通信など、より複雑なアプリケーションでより高い周波数を可能にしつつあります。 5G技術に関する企業の投資の増加は、市場の成長にさらに拍車をかけると予想されます。For Instance, According to Ericsson's Mobi...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

ケース - 小型IoTプラスチックケース SICシリーズ

高級感のある鏡面仕上げでありながら、低価格のコストパフォーマンスの良い…

丸みのあるデザインでIoT機器に適した小型ケースです。表面処理は高級感のある鏡面仕上げでありながら、低価格のコストパフォーマンスの良い製品です。カバーはスナップインのはめ込み式で付け外しがし易い構造で、小型サイズですがネジを使用しない分、内部スペースが広く使える多用途ケースです。丸みのあるデザインでありながら、フラットな側面が確保できているデザインで、穴加工・印刷等のカスタマイズも...

メーカー・取り扱い企業：株式会社タカチ電機工業

【構造・プロセス解析レポート】デンソー製 SiC-MOSFET

搭載チップはトレンチゲートを採用！電流センサーと温度センサー内蔵の12…

当資料は、『デンソー製 SiC-MOSFET』の構造・プロセス解析レポートです。 2021年型トヨタMIRAI水素燃料電池（FC）昇圧コンバーターにデンソー内製としてSiC-MOSFETが採用、搭載されています。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エルテック

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-…

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。リファレンスボード「BM60052-EVK-001」同仕様品で、実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。当製品は、ローム株式会...

メーカー・取り扱い企業：日本パルス工業株式会社

SICドライバ専用DC/DCコンバーター

1.超低セラミックコンデンサ 2.ゼロ負荷使用可能 3.高効率：83% 4.短絡保護、自動回復機能付き 5.超小型SIPパッケージ...1.絶縁耐圧：3500VDC 2.入力電圧（V）：5 3.出力電圧（V)：＋20、－4 4.動作温度：-40℃～+105℃...

メーカー・取り扱い企業：広州金昇陽科技有限会社

DC/DCコンバータ『RKZ-xx2005Dシリーズ』

SiC MOSFETドライバー用のDC/DCコンバータです。

『RKZ-xx2005Dシリーズ』は、特にSiC MOSFETドライバー用の DC/DCコンバータです。モジュールは、5、12、15、24VDCの入力電圧で使用可能で、 +20VDCと-5VDCの非対称出力を持っています。こ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社アークテイク

ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用…

『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに対応します。 ...

メーカー・取り扱い企業：日本パルス工業株式会社

高出力産業および鉄道3ph6000W DC / ACインバーター

6000W DC / ACインバーターをご紹介します！

ODX-6000工業用及び鉄道インバータは、最大94.3パーセント効率にシリコンカーバイド（SiC）、オファー高密度その技術とを使用します。ユニットは、高温、高電力、高周波で動作できます。潜在的なエネルギー損失を回避することが重要であり、この新しいシリーズの6000W純粋な正...

メーカー・取り扱い企業：株式会社エスエムアイ本社

「Yano E plus」2018年1月　IoT向け電源デバイス

定期刊行物「Yano E plus」の 2018年1月号です。

センサーの動向　内界用5：温度センサー関連市場 ◆IoT向け電源デバイスの動向～最小限の動作電圧で駆動させる必要がありカスタマイズニーズが増加～ ◆次世代パワー半導体用接合技術の動向～SiCやGaNなど、次世代パワー半導体の動作に欠かせないキーテクノロジーに！～ ◆車載エッジ・コンピューティングと市場動向(2) ◆酸化ガリウム（Ga2O3）単結晶市場資料体裁：B5判約10...

メーカー・取り扱い企業：株式会社矢野経済研究所

厚銅バスバー基板・コイル基板【銅厚3.0mmまで実績あり】

大電流用途で使用されるバスバー・コイルを基板化することで高い絶縁性と工…

重電や自動車業界で大電流用途として使用されているバスバー・コイルを基板化しました。基板化したことで以下の効果が見込めます。・IGBTやSiCといったパワーデバイスの基板実装・基板実装後に装置への取付が可能→組立時の工数削減と誤配線の防止・基板化、配線の簡易化による省スペース化→装置全体の小型化・一般的に厚銅基板というと...

メーカー・取り扱い企業：共栄電資株式会社