高電流 | イプロスものづくり

PR高精度な電流制御で高い安定性を実現、産業機器や医療機器の組込み用として…

『CW LDドライバー TLA-514』は、小型で組込み用に好適です。安定性に優れ評価用から量産まで対応。量産時も長年構築した部材調達網で高品質な製品を少量から安定供給致します。電圧・電流の仕様範囲内で汎用的に使用でき、セミカスタムが可能です。デモ機貸し出しも行っておりますので、お気軽にお問い合わせ下さい。【LDドライバー　TLA-514仕様(抜粋)】 ■入力電圧：L...

メーカー・取り扱い企業：東北電子産業株式会社東京支店

2線式レーダーレベル計 Pulsar『REFLECT』

PR上下水・河川のレベル計測、及び潮位計測に好適。 ※御手頃価格です。

■電波計(マイクロ波式、技適認証番号：209-J00487) ■計測レンジ：8m、20mの2機種 ■周波数：63GHz ■ビーム角度：6° ■外径寸法：135mm(高さ) x 102mm(直径) ■重量(センサ本体)：1kg ■精度：2mm ■起動時間：ウォームブート5秒、コールドブート10秒 ■IOT接続に好適(河川レベル計測等) ■大気圧稼働温度：-40 °C ～ +80 ...

メーカー・取り扱い企業：デレーコ・ジャパン株式会社

【Bourns】高電圧・大電流アプリケーションに最適なIGBT◎

業界トップクラスの高パワー効率＊低スイッチング損失

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。＜特徴＞・FRD と一体形成されたディスクリート IGBT ・高度なトレンチゲートフィールドストップ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

大電流、高耐圧MOSFET

高速スイッチングが可能！大電流、高耐圧MOSFETラインアップご紹介！

当社で取り扱う、「大電流、高耐圧MOSFET」をご紹介します。高速スイッチングが可能であり、LEDやモーターの駆動、Li-Ion充電制御、 DC-DCコンバータ、ロードスイッチなどのアプリケーションに好適。 LED、小容量のモーター駆動、DC-DCコンバータ、ロードスイッチ、高速スイッチング、アナログスイッチ等の用途に適しています。【特長】 ■高速スイッチングが可能 ...

メーカー・取り扱い企業：イサハヤ電子株式会社

パワートランジスタ『CGD65A055S2』

簡単設計、高信頼性！センス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能

『CGD65A055S2』は、エンハンスメントモードのGaNオンシリコンパワートランジスタです。幅広い電子機器のスイッチング周波数に対して、互換性を実現する ICeGaNゲート技術には、事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップを搭載。電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要になります。【特長】 ■簡単設計 ■高信頼性 ■650V...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLTパッケージ』

ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以…

TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

パワートランジスタ『CGD65B130SH2』

事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能！

『CGD65B130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 GaNの特性により、高電流、高耐圧を実現し、広範囲の電圧と高いスイッチング周波数に対応。デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。 ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワーMOSFET『OptiMOS-TOLGパッケージ』

TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の…

当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能とシステム全体の効率化が可能です。【特長】 ■最高クラスのテクノロジ...

メーカー・取り扱い企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社

パワートランジスタ『CGD65A130SH2』

無負荷状態でのデバイス損失がゼロに近くなる！高電流、高耐圧を実現

『CGD65A130SH2』は、独自の材料を活用したエンハンスメントモード GaNオンシリコンパワートランジスタです。 ICeGaNゲート技術により、事実上すべてのゲートドライバーとコントローラーチップが利用可能。グランドプレーンを強化し、熱性能を向上させ、熱設計を簡素化します。また、デバイスは、大きな銅領域に直接はんだ付けできます。【特長】 ■簡単設計 ■高...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

パワートランジスタ『CGD65A130S2』

互換性を実現するICeGaNゲート技術！ゲートドライバーとコントローラ…

『CGD65A130S2』は、エンハンスメントモードのGaNオンシリコンパワートランジスタです。電流検出機能を内蔵することにより別個の電流検出抵抗が不要。外付けがないのでセンス抵抗が必要な場合は、デバイスを直接接続可能。グランドの広い銅領域にはんだ付けされているため、平面、熱性能の向上、熱設計を簡素化し、高周波をサポートする DFN 8x8 SMDパッケージです。 ...

メーカー・取り扱い企業： SUPREME COMPONENTS INTERNATIONAL

高出力IR光源 HISpower

TO-8パッケージの高出力赤外線源

Infrasolid社のHISpowerシリーズは高精度のガス検出やガスモニタリング、赤外分光法で使用可能なハイパワーで高効率の赤外線源です。広い面積の放射エリアと広帯域の放射率により、中赤外における非常に高い放射パワーが特徴です。ハーメチックハウジング技術により、はんだ付けされたサファイア、CaF2、BaF2ウィンドウは過酷な環境下での使用も可能です。ハーメチックシールにより、パッケー...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社

高出力IR光源 HISbasic

TO-39/TO-5パッケージの黒体放射源

Infrasolid社のHISbasicシリーズはリフレクタ構造により高効率の放射を実現した、黒体放射に近い放射特性を持つTO-39/TO-5パッケージエミッタです。広い波長範囲で幅広い用途に対応可能です。放射素子温度が600℃と低いため、長寿命です。他のCANタイプ、SMDエミッタの取り扱いもございます。詳しくは弊社担当まで。...波長範囲：2-12 um パッケージ：TO-39 ...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社

パワートランジスタ用ソケット

高電流、高温に対応

サイリスタ、トライアック、MOSFET、IGBTなどのパワー半導体のテスト用ソケットです。高電流、高温対応でTO-220,TO-3Pを含む多くのTOパッケージに使用できます。定格電流：30A 使用温度範囲：-55～+150℃...

メーカー・取り扱い企業：日本コネクト工業株式会社

【BOURNS】業界トップクラス高パワー効率・低スイッチング損失

【高電圧、大電流のアプリケーションに最適】現状リードタイム24週【IG…

BOURNSは新たにMOS構造のゲート入力と、出力スイッチとして機能するバイポーラ・パワー・トランジスタを組み合わせたIGBTをリリースしました。 TGFS 技術を採用することで、コレクタエミッタ間飽和電圧V CE(sat)の低減と、スイッチング損失の低減を図った動作特性を実現。サンプル依頼は正規代理店のセイワまで、お気軽にお問合せください。 ...＜特徴＞・FRD と一体形成され...

メーカー・取り扱い企業：株式会社セイワ

小型で高出力のIR光源 Infrasolid社HIS smd

2umから20umまでの幅広い波長範囲の小型IR光源

Infrasolid社のHIS smdシリーズは小型で強力なSMDパッケージの赤外線放射源です。ガス検査、呼気検査、スマートデバイスなど幅広い用途にお使いいただけます。独自の金ナノロッド構造により、広帯域で高効率の赤外線放射を提供します。必要のない波長域の出力をカットすることによって省エネルギー化を実現しました。ポータブルアプリケーションに最適です。特許を取得した独自の製造プロセス...

メーカー・取り扱い企業：オプトシリウス株式会社