資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』

PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…

機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 　【資料概要】 　　■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 　　■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 　　■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 　　※ 本ページのPDFダウンロード...

メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -

超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

半導体装置に最も適した材料！様々な用途で発揮されるソリッド SiC

ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。 ソリッド SiCは、東海カーボン独...

メーカー・取り扱い企業： 東海カーボン株式会社

SiCダミーウェハ「超高純度、高耐熱性、高耐摩耗性を実現」

独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱…

超高純度で耐食性及び耐熱性に優れているSiCダミーウェハは、長期のリサイクル使用が可能で、LP-CVD、高温拡散、CMP工程にてご使用頂けます。 ◆コストダウンに貢献 　・長期のリサイクル使用が可能 　・超高純度で耐食性及び耐熱性...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

常圧焼結SiCセラミックス (CERASIC)

優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます！

CERASIC常圧焼結SiCセラミックスは耐磨耗・耐食性が要求される機械部品に最適な材料です。 半導体及びFPD製造用部材としても様々な用途開発が進められており、高純度品としてCVD被膜を施した製品の供給も可能です。 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は 中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics...

メーカー・取り扱い企業： 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を 実現します。 【特...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

を超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、 IGBTおよびSiC/GaN MOSFETの駆動効率の向上に貢献します。 【特長】 ■単一チャンネルSO-12パッケージ、沿面・空間絶縁距離は約8mm ■材料クラスIで、CTI≧600V対応 ■立ち上がり...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

【その他の基本仕様(一部)】 ■結晶構造：GaN on Sapphire/GaN on Silicon/GaN on SiC ■Sub墓板：サファイア基坂/シリコン基板/SiC基板/GaAs基板 ■梱包：クリーンルーム(クラス100)、25枚入りカセットケース、シングルケース ※詳しくはPDF資料をご覧いただ...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

SiCデバイス市場は、2023年に10億米ドルの市場価値から、2035年までに110億米ドルに達すると推定されています。シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています。SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家庭用電...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

SiC / 単結晶炭化ケイ素 / シリコンカーバイド

高品質・低価格な単結晶SiCウェハー★1枚から対応♪

高品質と価格競争力を両立した中国製SiC基板と国内加工のカスタマイズ 製品をご提供いたします。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社同人産業

高純度黒鉛製品「半導体をはじめ様々な産業で活躍」

半導体をはじめ様々な産業で活躍 　高密度/高純度な特殊炭素材料 　Si…

高純度黒鉛材料は、半導体製造工程で幅広く使用されています。 さらに、厳選された黒鉛基材の表面にSiCコーティングを施したクリアーカーボンは、エピタキシャル用サセプターや各種治具で使用されており、その優れた特性は国内外で高く評価されています。 【特徴】 　・半導体をはじめ様々な産業で利用（...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

ゲート駆動フォトカプラ『ACPL-355JC』

出力ピーク電流10A。IGBT/SiC/GaNモジュール駆動に。保護機…

』は、10Aのピーク出力電流と広い動作電圧に対応したゲート駆動フォトカプラです。 高い同相ノイズ除去特性（100kV/μs）によりモーター制御およびインバーターアプリケーションにおけるIGBT、SiC/GaN MOSFETなどのモジュール駆動に適しています。 優れたタイミングスキュー性能を持ち、伝搬遅延時間は140ns。 過電流からモジュールを保護し、コントローラーへ状態をレポートする...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

CZ/高抵抗FZ 各種ウェーハ販売(評価・開発・テスト用)

少量ウェーハに対応！研究・テスト用途に便利なウェーハ販売サービス！ ハ…

【取扱商品】 ＊CZ・FZ・拡散ウェーハ・SiC・SOI・EPI・GaAs・SiGe・GaSb・サファイア・ゲルマニウムなど様々な半導体用ウェーハを扱っております。 ＊プライム・テスト・モニター用ベアウェーハ(高精度ウェーハ・パーティクル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

パワー半導体デバイス

脱炭素社会の実現に貢献するパワー半導体デバイス

道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献するパワー半導体デバイスを提供しています。 ●パワー半導体モジュール、SiCパワー半導体デバイス 　 モーター制御や電力変換などのパワーエレクトロニクス機器のインバータ化により効率化や省エネ化に最適です。 DIPIPM、IGBTモジュールや制御回路、保護回路を搭載し...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社カナデン 本社

CZウェーハ　成膜加工

2インチから12インチウェーハへの成膜が可能です。

iN、LP-SiN 、LP-CVD、PE-CVD 金属膜系： TaN、Ta、Cu、Al、AlN、Al-Si、Al-Si-Cu、Ni、W、W-Si-Cu その他 Poly-Si、a-Si、SiC、Low-k(SiOC系、有機化学系）、グラフェン膜、グラファイト ＊SiO2,SiN,SiONなど膜種により1枚からでも対応が可能です。 ＊Suputter成膜にてTi,Cu,Cr,...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エナテック 東京本社

DC-DCコンバーター『REF-DAB11KIZSICSYS』

リファレンスデザイン！双方向のパワーフロー機能を有したSiC DC-D…

『REF-DAB11KIZSICSYS』は、EV充電およびESSアプリケーション向けの SiC DC-DCコンバーターです。 本リファレンスデザインは、11kW、最大800Vの双方向DC-DCコンバータを 迅速に実現するための基本構成を提供。 ソフトスイッチング トポロジーと...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

制御ソフトウェア開発用コントローラボード　HECS-B/A

コンパクトサイズに多彩な機能を搭載

T-KIT-B ＜制御器/オプション＞ ■HECS用拡張インターフェースボード：HC-EXIF-A ■HECS用操作ボード：HC-OP-A ＜主回路/ハーフブリッジ・双方向スイッチ＞ ■SiCパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2A-401350 ■GaNパワーデバイス搭載回路ブロック：HGCB-2B-401150 ■双方向スイッチ回路ブロック(SiC)：HGCB-2C-40...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

半導体材料『酸化ガリウム』

日本発の新しい半導体材料！世界中の研究・開発機関へ優れた材料を届けます

『酸化ガリウム』は、融液成長法でバルク結晶の製造を行うため、 高速な成長が可能な半導体材料です。 気相成長法でバルク結晶を製造するGaNやSiCと比べ、基板の低コスト化が 可能とされています。 また、絶縁破壊電界強度がGaNやSiCより大きいことが予測されており、 スイッチング損失を小さく保ったまま、6000V以上の大きな耐圧を...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 本社

ワイドギャップ半導体

SiC、GaNなど半導体技術・製品の提供

当社では、SiCウエハ、GaNウエハ、DLTS測定装置などの 「ワイドギャップ半導体」を取り扱っております。 シリコン半導体を凌ぐポテンシャルを持つ、半導体である ワイドバンドギャップ半導体の製品・サー...

メーカー・取り扱い企業： セラミックフォーラム株式会社

ゲートドライバファミリー『2L-SRC Compact』

ゲート抵抗の調節が可能！入力フィルター内蔵のため、外付けのフィルターが…

可能。最大ピーク出力電流は18A（typical）です。 当ドライバーICは、幅広い出力電源電圧で動作し、2300Vの電圧にも対応しているため、 従来のIGBTやSi MOSFETのほか、SiC MOSFETやIGBT7の用途にも適しています。 【特長】 ■2レベルのスルーレート制御機能（2L-SRC） ■650V/1200V/1700V/2300VのIGBT、SiおよびSiC...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

モジュール『HybridPACK Drive』

コンパクトなデザイン！車載用SiC-MOSFET 1200V Hybr…

プ数の異なる1200V/400Aと1200V/200Aの2種類があり、 ハイブリッド車や電気自動車に好適。 当パワーモジュールには、電動ドライブトレイン用に最適化された 新製品「CoolSiC Automotive MOSFET 1200V」が実装されています。 シリコンからシリコンカーパイドへのアップスケー ルが容易で、 インバータの設計において、最大250kWの高出力化、航...

メーカー・取り扱い企業： インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社

シリコンカーバイドパワー半導体市場の調査レポート

炭化ケイ素パワー半導体市場は、予測期間2022年から2031年にわたっ…

て課された国ごとの封鎖は、製造業の大部分が生産性を高めるために協力しながら密接に接触している工場現場での作業を含むため、世界中のサプライチェーンと製造業務に打撃を与え、混乱をもたらしました SiC(炭化ケイ素)は、広いバンドギャップにより、高出力アプリケーションに使用されます。SiCには様々なポリタイプ(ポリモルフ)が存在するが、4H-SiCはパワーデバイスにとって最も理想的である。強化さ...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

GaN RF半導体デバイス市場の調査レポート

GaN RF半導体デバイス市場は、予測期間(2021-2026)にわた…

SiCとの競争の激化は、SiCがGaNよりも高い熱伝導率を有するため、GaN RF半導体の市場シェアを妨げる可能性があり、SiCデバイスは理論的にはGaN. よりも高い電力密度で動作することができる。 COVID-19による進行中の危機は、業界が直面する課題にもかかわらず、技術進歩の原動力として機能する可能性があります。一方、場合によっては、5Gはすでにその価値を証明しています。例えば、武漢(中国...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

短絡耐量評価・解析レポート

短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！

株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック

次世代型パワーモジュール汎用パッケージ 【FLAP】

SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワ…

通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。 弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタン...

メーカー・取り扱い企業： 大分デバイステクノロジー株式会社

平面度　30nm【超精密ラップ】【鏡面研磨

極限の平面度を追求します！

～対応材質～ 金属：ステンレス、ニッケル、銅、アルミ、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、超硬鋼材全般　など セラミックス：アルミナ、SiC、Si3N4、チタニア、イットリア、PZT、PMN-PT　など 樹脂 ：エンジニアリングプラスティックス全般、アクリル、ポリカ　　など ガラス・結晶材料：石英、BK7、PYREX など 半導...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー