• リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置  製品画像

    リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置 

    PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

    ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

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    メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社

  • オーダーメイド型スパッタリング成膜装置 製品画像

    オーダーメイド型スパッタリング成膜装置

    PR難しい材料、様々な基板形状、用途にも!非常に幅広い基板サイズに対応可能

    当社では、研究・試作から量産まで対応可能な「オーダーメイド型 スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 フレキシブルエレクトロニクス、光通信技術、薄膜太陽電池や バッテリー等の薄膜デバイスの研究開発から量産まで装飾や 表面保護のためのコーティングにも対応。 サンプルサイズ、成膜対象マテリアル、バッチプロセス等、お客様の 用途に応じて組み立てることが可能です。 ...

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    メーカー・取り扱い企業: プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

  • 【瞬時電圧低下補償装置TSP】なぜ保護が必要なのか? 製品画像

    【瞬時電圧低下補償装置TSP】なぜ保護が必要なのか?

    瞬時電圧低下による製品不良の発生と装置故障の損害からラインを守る『TS…

    モーターなどが瞬時電圧低下の影響を受けて 動作に支障をきたす可能性があります。 シリコンメーカ様では研磨、エッチング、洗浄工程等で影響を受ける 可能性があり、デバイスメーカ様ではCVD、スパッタ、フォトリソ、 エッチング、イオン注入、拡散、洗浄工程での影響が想定されます。 このため半導体の製造設備に対し「SEMI-F47」の規格では 電圧低下50%継続時間0.2秒以下、または電...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社シナジー

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