リモートプラズマ・イオンビームスパッタリング装置　

PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…

ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...

メーカー・取り扱い企業： ティー・ケイ・エス株式会社

超音波複合振動接合機『Ellinker 20k-HP/20k』

PR狭いところに手が届く接合を実現。楕円形の軌跡により、高強度・低ダメージ…

『Ellinker 20k-HP/20k』は、振動拡大ホーンと 楕円形の軌跡を描く複合振動を生み出すスリット入りホーンを備えた超音波複合振動接合機です。 加圧・加振のムラや減衰が少なく、ワークへのダメージやバリの発生を抑えた高品質な接合が可能。 ロングホーンチップを使用でき、円筒型LiBの底部など様々な形状・接合位置のニーズに対応可能です。 はんだなどの介在物を使用せず、母材の変質リスクも少な...

メーカー・取り扱い企業： 千代田交易株式会社

【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去

表面汚染を除去してXPSによる評価を行います

法のため、大気等による有機付着物由来のCが主成分レベルで検出されます。こういった有機付着物由来のCの影響を減らすことは、膜本来の組成を評価する上で重要です。 通常、有機付着物の除去にはArイオンスパッタを用いますが、スパッタによるダメージにより膜本来の組成,結合状態が評価できない場合があります。Arイオンスパッタを使用せず、表面酸化層をウェットエッチングを用いて除去することで、有機付着物由来のC...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】XPSにおける吸着酸素の影響

XPS： X線光電子分光法

XPSは試料表面(数nm程度の深さ)の組成・結合状態に関する知見を得る手法ですが、イオン照射によるスパッタエッチングを組み合わせることで、試料内部や深さ方向分布の評価も可能です。 但し、スパッタエッチングを伴う評価ではXPSの原理及び測定機構から、吸着酸素の影響を受けて酸素量が本来の組成より過大評価...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

［GDMS］グロー放電質量分析法

特定の質量イオンを解離・フラグメント化させ、質量分析計で検出

Ar雰囲気下で、試料をマイナス極としてグロー放電を行います。Arガスが試料に衝突することにより試料構成元素がスパッタされます。スパッタにより放出された元素は大部分が中性ですが、Arプラズマ中でイオン化されます。 イオン化された原子を二重収束型質量分析器で測定し、元素の定性及び濃度の算出を行います。 試料...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析

TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評…

から、電子部品をはじめとして様々な分野で用いられている材料です。表面改質を行うことで他の材料との密着性を高めることができることから、改質層の状態を把握することが重要です。今回、有機成分が壊れにくいスパッタ条件にてTOF-SIMS測定を行い、深さ方向にポリイミド成分を評価しました。GCIB（Arクラスター）をスパッタに用いると着目する有機成分を深さ方向に測定することが可能です。※GCIB：Gas C...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】角度分解XPS（ARXPS）による極薄膜組成分布評価

基板上の極薄膜についてデプスプロファイルを評価可能です

分解XPS（ARXPS）はX線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いてサンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価する手法です。従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜（数nm程度）のデプスプロファイル評価に有効です。 本資料...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【半導体向け】解析シミュレーションソフト　※カタログ進呈

工数・コスト削減に！薄膜生成、スパッタリング、プラズマエッチングなどの…

当社では、半導体関連装置向けに特化した解析ソフトを取扱っています。 希薄流体解析ソフト、プラズマ解析ソフトをラインアップし、 有機ELやマグネトロンスパッタのシミュレーションで活躍中です。 「新商品開発をしたい」「製品改善時に実機(装置)を作って検証したい」 「事前検証,装置との比較検証をしたい」などでお困りの方に。 また、自社開発製品...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ウェーブフロント 本社

［FIB］集束イオンビーム加工

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで試料表面を走…

FIBは、数nm～数百nm径に集束したイオンビームのことで、試料表面を走査させることにより、特定領域を削ったり（スパッタ）、特定領域に炭素（C）・タングステン（W）・プラチナ（Pt）等を成膜することが可能です。また、イオンビームを試料に照射して発生した二次電子を検出するSIM像により、試料の加工形状を認識できます。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

表面処理の特性予測ソリューション

複数の解析ソフトウェアを駆使した表面処理の特性予測ソリューションを提案…

たとえば、調べたい材料表面の作成/処理過程＆材料特性など プラズマプロセス装置の解析と表面状態の特性予測をまとめて提供します！ 【解析対象となる物理現象】 ・結合と活性化 ・成膜 ・スパッタや浸食 ・脱離や洗浄　　　など 【評価可能な表面特性例】 ・原料ガスやプラズマの入射量やエネルギー、あるいは浸食/成膜速度の評価 ・物質の原子/分子データに基づきその材料特性を評価 ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ウェーブフロント 本社

【事例】GCIBを用いたSiO2中アルカリ金属の深さ方向濃度分布

SiO2膜の不純物の評価

アルカリ金属であるLi,Na,Kは半導体における各種故障原因の要の元素です。これらは測定時に膜中を移動してしまう可動イオンと言われており、正確な分布を得ることが困難とされてきました。 今回、スパッタイオン源にGCIB(Arクラスター)を用いたTOF-SIMSの深さ方向分析を行うことにより、常温下の測定でもアルカリ金属の移動を酸素スパッタガンに比べ抑えられることがわかりました。この測定を行うこ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】高分子フィルムの多層構造の解析

GCIBを用いた低ダメージスパッタリングで多層フィルムの層構造を明瞭に…

ラップフィルムとして一般的に用いられるポリエチレン系多層フィルムの層構造を評価しました。 FT-IRで主にポリエチレンで構成されていることを確認したフィルムに対し、GCIB（Arクラスター）をスパッタに用い、TOF-SIMSで深さ方向に測定することで、10μmの厚みの中でポリエチレンとナイロン6とが積層されている構造を明瞭に可視化することができました。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】界面および深さ方向分解能について

SIMS：二次イオン質量分析法

異種材料間の界面のSIMS分析プロファイルは、深さ方向にある幅をもって変化します。これはSIMS分析の特性上、イオンビームミキシングとスパッタ表面の凹凸（ラフネス）の影響を受けるためです。検出している不純 物は、混ぜ合わされた深さまでの平均化した情報となり、深さ方向に幅を持った領域のイオンを検出します。 そのため、界面位置は一般に主...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】金属膜の高温XRD評価

昇温過程での相転移・結晶性変化を追跡評価

Pt をSi 基板にスパッタ蒸着させた試料に対して、昇温させながらOut-of-plane XRD, In-plane XRD 測定をそれぞれ行いました。両測定で、Pt(111) は500℃より高い温度ではピーク強度が増加し...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】有機EL素子の成分分析

Slope面出し加工された有機多層構造試料のTOF-SIMS成分分析

XPSで4層の異なる有機化合物(或いは有機金属錯体)で形成されていると推定された有機EL素子（図1）について、TOF-SIMS分析を行いました。多層構造試料についてはスパッタを併用した深さ方向分析も行われますが、今回は構成成分の結合を壊さずに測定するために、Slope面を作製して各層を露出させました。Alq3, NPD, CuPcと推定される分子量関連イオン・フラグメ...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析（SSDP-SIMS）を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極（BドープPoly-Si）から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見ら...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】高分子表面のイオン照射による損傷層の評価

GCIB（Arクラスター）を用いることで損傷層の成分・厚さ評価が可能

この変化を利用し、機能性材料の開発など広い分野で研究が行われています。イオン照射後、表面状態にどのような変化が生じたのか評価することは、効率的な研究・開発に重要です。 TOF-SIMS分析では、スパッタイオンビームにGCIB（Gas Cluster Ion Beam）を用いることで、高分子材料表面のイオン照射による損傷層（ダメージ層）の成分・厚さを評価することが可能です。...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST