資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

パワーデバイス向けの最新アプリケーションをご紹介！

PR5月の接着・接合 EXPOに出展！パワーデバイス向けの新たなアプリケー…

パワーモジュール端子接合や異種金属の接合など、様々な分野で使用されている、超音波接合装置。ニーズの多様化が進み、より高度な接合が求められることも増えています。 アドウェルズでは、Ｒ＆Ｄから量産まで幅広い用途で独自技術による安定した接合を実現する『超音波接合・切断装置』をラインアップしています。 24年5月開催の接着・接合 EXPOでは、 弊社装置で加工した様々な分野のサンプルを多数展示いたしま...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アドウェルズ

窒化ガリウム 次世代型パワー半導体

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

次世代素材で未来のエネルギーに革命を！『GaN パワーデバイス』

トランスフォーム社 (Transphorm)の高信頼性GaNパワーデバ…

トランスフォーム社のGaNパワーデバイスは、D-mode GaNの高信頼性とSi MOSFETを組み合わせた扱いやすいデバイスです。 ファブはすべてISO19001、IATF16949を取得済みで、GaNの重要な特許はすべてトランスフォーム社が保有しております。 日本国内での不具合解析や技術対応が可能で、高品質、高信頼性を確保した製品です。 【特長】 ■高耐圧、低オン抵抗、高速スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

【分析事例】SiC Planer Power MOSの分析

SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）

半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、SiC Planer Power MOSの...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST