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25件 - メーカー・取り扱い企業
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GaAsフォトダイオード OSI optoelectronics
◆GaAsフォトダイオード ◆GaAsを基にした半導体の光センサ …
アクティブエリアに入射された時にフォトカレントを発生するGaAsを基にした半導体の光センサです。 一般的に400から850nmに感度があります。 【フォトダイオードアレイ】 FCI-GaAs-XXmは、高速ファイバーレシーバやアプリケーションモニタ用...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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【KTM】GaAs半導体レーザ レーザ測距モジュール IM300
エムディーエル（MDL）社製 GaAs半導体レーザ レーザ測距モジュー…
幅7.8cm、奥行き15.4cm、重量950gのコンパクトなモジュールです。最大300mまでの距離をノンターゲットで測定します。...【特徴】 ○発振波長：905nm ○測距範囲：5m～300m ○ビーム拡がり角：3×2.3mrad ○測距周波数：9Hz／1,000Hz ●詳しくはお問い合わせ下さい。...
メーカー・取り扱い企業： カンタム・ウシカタ株式会社
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VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード(TO-4…
■850nm用 GaAs PINフォトダイオード ■2.5～25Gbps対応 ■TO46-canパッケージ、SC／LCレセプタクルROSA(TIA内蔵／RSSI) ■TIAオプション ■Flat window／B...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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GaAs PIN-フォトダイオード PIN-PD ベアチップ
VCSEL光通信用に最適なGaAs PIN-フォトダイオード
■850nm用GaAs PIN-フォトダイオード ■2.5Gbpsから25Gbpsまでが標準ライナップ ■高感度／低ノイズ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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光発電素子、Laser Power Converter
発電素子（レーザーパワーコンバーター・Laser Power Converter・LPC)とは遠隔地にあるレーザー光をファイバー経由で受けそのレーザー光を電力に変換する素子です。850ナノベースのGaAsを基材とした短波長用のものと1400ナノベースのInGaAsを基材とした長波長用のものがあります。短距離伝送と長距離伝送で使い分けます。数年前、お客様にご依頼を受けた時には世の中にこの製品は存在し...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイ・イー・エス 東京事業所
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QDレーザ取扱製品総合カタログ。通信・産業用高機能半導体レーザ及びウェ…
『株式会社QDレーザ 取扱い製品 総合カタログ』は、GaAs基板をプラットフォームとする 高性能・高品質半導体レーザ・ウェハを提供するQDレーザの製品を掲載したカタログです。 量子ドット・量子井戸技術を採用し、優れた結晶成長・グレーティング形成・素...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社QDレーザ
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LED, LD, PD Chip (Bare die / Array)
560~940nm -VCSEL 850nm -FP/DFB 1310nm、1490nm、1550nm ・Photodiode -Silicon PD 650nm -GaAs PD 850nm -InGaAs PD 1260~1620nm、>1620nm -InGaAs APD 1260~1620nm ...
メーカー・取り扱い企業： オー工ステンプ株式会社
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量子ドットレーザ『QLF133x/QLD133x シリーズ』
100-200℃以上の高温動作可能！プラント、地下資源探査等やSiフォ…
『QLF133x/QLD133x シリーズ』は、量子ドット技術をベースとした GaAs上1300nm半導体レーザです。 150-200℃の超高温下でも動作可能で、プラント、地下資源探査等の 特殊用途にも対応可能。また、量子ドットレーザは高温度での安定した特性、 反射戻り光...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社QDレーザ
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532-594nm 小型可視レーザ『QLD0593シリーズ』
バイオメディカル用装置に適した波長532,561および594nmの小型…
ーザと波長変換素子を使用した 波長532,561および594nmの小型可視光レーザです。 本レーザは、内蔵する半導体レーザにより高速変調動作が可能で、 安定性にも優れております。 GaAsベースの半導体レーザを用いているため低消費電力を実現。 独自設計した小型パッケージにて提供いたします。 お客様のご要求に合わせてファイバピグテールタイプも供給可能です。 【特長】 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社QDレーザ
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エピウェハ(半導体レーザ／VCSEL／PD／RCLEDなど)
半導体レーザ、VCSEL、PD、DBR 各種光半導体デバイスのエピウェ…
LED(レゾナント共振型LED) ・ピンフォトダイオード ・シリコンウェハ プロセスサービス ・各種カスタムウェハ(DBR・HBT・HEMT) 【対応可能なマテリアル種別(QW)】 GaAs／AlGaAs／InGaAs／GaAsP／InGaAsP／AlInGaAsP／GaInP／AlGaInP...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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レーザー スターシリーズのレーザーゴーグルは眼にレーザーの損傷を防ぐ光…
射されるの担当者です。 適したマシン：UVレーザ、エキシマレーザー、ネオジウムガラスレーザー、半導体レーザー、COレーザー、ネオジムドープガーネットレーザー、ルビーレーザー、CO2レーザー、GaAsのレーザーや他のレーザー。...
メーカー・取り扱い企業： LASER STAR CO., LTD.(レーザースター沛星光電有限公司)
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SAMはBATOP社の登録商標です
■SAM(過飽和吸収ミラー)は、ミラーとその前にある過飽和吸収体で構成されている ■ミラーと吸収体の単結晶層は、GaAsウエハ上に成長させている ■非線形ミラーで、パルスエネルギーの増加に伴い反射率が増加 ■非常に安定したパルス繰り返し率を持つ自己始動型のパッシブモードロック・ダイオードポンプレーザーを実現 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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Qubig社ではKD*ｐ・RTP・LT・GaAs・BBOなどを使用した…
■Qスイッチレーザキャビティ― ■モードロックレーザーのキャビティ―ダンプ ■レーザーチョッピング ■再生増幅器レーザ...＜必要な情報＞ ＊下記に関しての情報を頂きましてお見積りをさせて頂きます＊ ・共振周波数(Hz) ・波長(nm) ・入力ビーム径(mm) ・入力レーザパワー(W) ・モジュレーション深さ(rad) ・レーザオペレーション(CW・パルス) ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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◆O～U帯に対応◆LOW-DOP (<5%)◆ハイパワー対応 (MAX…
プタクル(ASE-IM シリーズ) ●電源：+5V DL-ASE-CW>>CWオペレーション DL-ASE-IM>>ダイレクトモジュレーション Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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◆低電流 ◆動作温度範囲：-40℃〜85℃ ◆Telcordia …
0-1330nm) ・CWDM6 (1270-1370nm) ・MWDM (1270-1370nm) ・LWDM (1270-1310nm) Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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◆製品ラインナップ：1200-1700nm◆高出力/高出力効率◆low…
くからOCT・センシングなどの用途に用いられてきました。 Denselight社のSLEDは光通信波長帯の標準ラインナップを豊富に取り揃えております。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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空間出力/ファイバカップル式 LED USシリーズ 光通信波長帯
◆非冷却 端面発光型 LED◆TO-canまたは同軸ファイバケーブル付…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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◆PER：≤1.2dB (0.5dB typ) ◆低電流：≤100mA…
ズは偏光度が低く抑えられております。 偏光度の低い光源を使用することで測定に不要な揺らぎや誤差を低減し、より堅牢なセンシングエレメントにつなげます。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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◆DFBレーザ FPレーザー◆1610/1625/1650nm標準ライ…
波長1600nm〜(Uバンド)のDFB光源です。 TO-CANパッケージ品。ファイバピッグテイル付も有ります。 Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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◆<50kHz,<100kHz,<200kHz標準ラインナップ◆高PE…
PER : >18dB(typ) ・波長安定性：±1pm @25℃ 1-hour ・波長スイープ範囲：30pm ・モードホップフリー: 0-50℃ Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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◆狭線幅 (typ <200kHz) ◆LiDAR用狭線幅光源として…
m) ・クーラー温度やドライブカレントのマイナーチェンジにより、pm 単位の高精度な波長設定が可能 ・出力：CW ≤10mW/Pulse ≤50mW Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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SA(サチュラブルアブソーバ)は、半絶縁性のGaAsウエハ上に過飽和吸…
■SAの両面には、レーザの波長に合わせて反射防止(AR)コーティングが施されている ■SAは非線形吸収体であり、透過率はパルスエネルギーの増加とともに増加 ■SAの典型的な飽和フルエンスは、SAMのそれよりも高くなる ■緩和時間が100ps以下になると、SAは基底状態に戻る...■SAを用いることで、非常に安定したパルス繰返しが可能な自己発振型のパッシブモードロックレーザを実現することが可能...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社オプトロンサイエンス
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◆1625nm/1650nm◆CW:＞40mW/パルス:>100mW◆…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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ハイパワーSOA 14ピン BTFパッケージ 偏波保持ファイバ付
◆ASEバンド幅：≥45nm◆低リップル：≤0.3dB◆高出力：≥17…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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◆ノイズフィギュア：≤8dB ◆CoS・バタフライパッケージ ◆シ…
Denselight社はInP及び GaAs ベースの光電子デバイスや集積回路、および、それらを用いたウエハの製造から販売までを行うフォトニックカンパニーです。 特にSLEDや狭線幅光源(narrow bandwidth)の分野では優れた...
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