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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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BS-80011BPG 高密度プラズマ発生用内蔵形プラズマ銃
学薄膜や保護膜、機能膜などの膜特性を向上させることができます
日本電子株式会社 BS-80011BPG 高密度プラズマ発生用内蔵形プラズマ銃は、真空チャンバー内に設置し、高密度プラズマを発生させるプラズマ源です。真空蒸着と組み合わせたプラズマアシスト蒸着 (イオンプレーティング) 法により、光学薄膜や保護...
メーカー・取り扱い企業: アズサイエンス株式会社 松本本社
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緻密な酸化膜厚膜(~10μm)を高速形成。新開発イオン化機構搭載 C…
緻密で耐プラズマ性の高いイットリア膜やSiC膜を高速形成。 高密度プラズマによる反応性プロセスによりCVDより低温で溶射法より緻密な膜質を実現。 半導体関連部品にも応用可能なクリーンな成膜プロセスを実現。 PVD法のため装置のメンテナンスも容易で低コスト。 ...
メーカー・取り扱い企業: 神港精機株式会社 東京支店
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「過酷な環境下の使用」にも耐えるLEMOコネクタ。その信頼と実績により…
ボット化した試験装置といった幅広いレンジの装置で 数多くのモデルが半導体製造装置で採用されています。 ■下記のような環境下でも使用出来るコネクタをお探しの際は是非お問合せ下さい。 ・高密度 ・小型同軸 ・非磁性 ・高電圧シールドコネクタ:最大50kVDC対応 ・信頼性の高い真空気密レセプタクルと真空フィールドスルーカプラ 真空(気密) He漏れ率:1x10^-7 m...
メーカー・取り扱い企業: 丸紅エレネクスト株式会社
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イオンアシスト蒸着に最適なイオンソースを提供します
TELEMARK製のイオンアシスト蒸着に最適なイオンソースを提供いたします。イオンアシスト蒸着(IAD)技術は余分な基板加熱なしに高密度で安定な成膜可能なプロセスです。TELEMARKのグリッドレスイオンソースシステムは独自のデザインのイオン源により、ガラス、プラスチック、金属の様々な基板で安定なイオンアシスト蒸着を可能にしました...
メーカー・取り扱い企業: VISTA株式会社
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