ICP | イプロスものづくり

PR0201mサイズの極小部品に対応。サブモジュールやSiPなどの先端パッ…

『SIPLACE TX micron』は、最小±10 μm (3σ)の精度に対応した先端パッケージング用途に適した表面実装機です。基板への接触を検出してから部品を離す“圧力制御”により基板の反りや振動を抑えつつ、はんだブリッジといった不良も防止。角度の誤差が少なく、狭隣接で実装できるほか 0201 mサイズの極小部品の実装に対応可能です。【特長】 ■最大実装速度...

メーカー・取り扱い企業： ASMPT Japan株式会社

協働ロボットパレタイザー向け (LC3IC Elevate)

PRLC3 IC は 3 段式電動昇降装置で、ドライバー内蔵。協働ロボット…

LC3 IC は 3 段式電動昇降装置で、ドライバーが内蔵されているため、電動昇降装置のオンボード制御や診断が簡単です。LC3 IC は、産業用通信インタフェースにより、協働ロボットパレタイザーや高さ調整可能なコンベアベルトなどの用途など、産業人間工学に好適な電動昇降装置となっています。 LC3 IC は ELEVATEと呼ばれるモデルで、特に特定のインターフェース、ソフトウェアドライバー、...

メーカー・取り扱い企業：リナック株式会社日本支社

ICP エッチング装置

ヨーロッパ発の技術から生まれた汎用性の高い装置！

8"工程用Pishowシリーズ：・Pishow：シリコン、金属、化合物半導体など、様々な材料に対応可能；幅広く温度の工程に対応可能；エッチングの速度と均一性を精密制御； BOSOH工程に対応可能・Pishow A： HEMT工程のソリューションを提供、SiNx、TiN、pGaN、AlGaN層の特別処理が可能； pGaNの高エッチング選択比を実現、AlGaN層に低損失制...

メーカー・取り扱い企業：日星産業株式会社

ICPメタルエッチング装置

Al系やCrなどの金属膜の微細パターンのエッチングに対応！デモ機常設！…

『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の表面処理などの...

メーカー・取り扱い企業：神港精機株式会社東京支店

ICPプラズマエッチング装置『SERIO』

平滑なエッチング面と高い加工精度を実現！サンプルテスト対応いたします！

『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、ナノインプリントモールドの作成に適しています。平滑なエッチング側面、加工面の垂直性...

メーカー・取り扱い企業：神港精機株式会社東京支店

化合物半導体プロセス用　ICPエッチング装置

　Φ2インチウェハーなら27枚、Φ2.5インチウェハーなら17枚、　Φ3 インチウェハーなら12枚、Φ4インチウェハーなら7枚、　Φ6インチウェハーなら3枚同時の処理が可能 ○新型のICPソースであるSSTC（Symmetrical Shieled Tornade Coil）電極の　採用により、大面積に対して高い選択比と高精度で均一性に優れた　エッチングが可能 ○低バイア...

メーカー・取り扱い企業：サムコ株式会社

ICP-RIE『SI 500』

高選択性エッチング！ICPソースと基板電極間の間隔調整によるラジカル供…

『SI 500』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICP-RIEです。独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により高エッチレートを実現。また、バイアス...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ハイテック・システムズ

ICPエッチング装置　RIE-800iPC/RIE-400iPC

真空カセット室を備え、プロセス再現性や安定性に優れた本格生産用装置をご…

『RIE-800iPC/RIE-400iPC』は、SiCトレンチ形状の25枚連続加工の安定性を誇るICPエッチング装置です。高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現。また、反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量...

メーカー・取り扱い企業：サムコ株式会社

クラスターツール『3ICP＋2cassetteモジュール』

SI 500-1M、SI 500 PPD-1Mなど搭載可能！搬送チャン…

『3ICP＋2cassetteモジュール』は、さまざまなモジュールを搭載可能なクラスターツールです。 ICPRIEモジュールの「SI 500-1M」をはじめ、RIEモジュールの「SI 500 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ハイテック・システムズ

プラズマCVD装置『SHUTTLELINE(R)シリーズ』

小型で多用途に応用可能！デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置で…

『SHUTTLELINE(R)シリーズ』は、薄膜堆積用PECVD・ドライエッチング・故障解析用プロセス対応フレキシブル半導体製造装置です。 RIE/ICP-RIE, PECVD/ICP-CVDに対応し、コンパクトな機体に多様なオプションで多用途に使えるフレキシブル装置。企業及びアカデミアのR&D、研究室にラボスケールのコンパクトな装置が必要...

メーカー・取り扱い企業：プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

【資料】～マイクロLED向けICPエッチングの加工例～

GaNマイクロLEDメサ加工の結果、GaNマイクロLEDメサ加工中の発…

当資料では、マイクロLED向けのICPエッチングの加工例をご紹介しています。実験及び結果として、GaNマイクロLEDメサ加工の結果や GaNマイクロLEDメサ加工中の発光分光データなどを掲載。ぜひ、ご一読ください...

メーカー・取り扱い企業：サムコ株式会社

プラズマCVD装置『210Dモデル』

φ200mmウェーハまで対応！成膜・エッチングの両用が可能なプラズマC…

『210Dモデル』は、誘導結合プラズマ(Inductively Coupled Plasma：ICP)による、成膜装置です。現場でのハードウエアの交換により、十数分の作業時間で、誘導結合プラズマエッチング装置として使用する事が可能。コンパクトな機体に多彩なオプションで、薄膜の堆積やトレ...

メーカー・取り扱い企業：プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

ICPECVD『SI 500 D』

ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマ…

『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ハイテック・システムズ

プラズマ/サーマルALD装置『Fiji G2』

500℃ウエハステージ！プラズマダメージの無いリモートICPソース採用

『Fiji G2』は、サーマル式とプラズマ式の研究開発用ALD装置です。プラズマ源にICPリモートプラズマを採用し、基板搬送に真空ロードロックを搭載し、高品質の酸化膜、窒化膜、メタル膜の ALD膜が成膜できる設計。また、簡易除害ユニットALD Shield Vapor T...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ハイテック・システムズ

【オーダーメイド製作実績】CVD装置

「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を…

式会社が行なった、『CVD装置』のオーダーメイド製作実績をご紹介します。「太陽電池用プラズマCVD装置」をはじめ、「立体物用プラズマCVD装置」や「金属容器用プラズマCVD装置」「ICP型MOCVD装置」などの実績を保有。デモ機にてサンプル処理を実施しております。ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。【製作実績（抜粋）】 ■太陽電池用プラズマCVD装置 ...

メーカー・取り扱い企業：ジャパンクリエイト株式会社

分析・解析機器　薬液中金属不純物分析システム

半導体製造ラインで用いられている洗浄薬液やガス中の金属不純物を測定する…

洗浄薬液槽近くに設けられたサンプリングモジュールで生成した微細のエアロゾルをアルゴンガス気流に乗せて長距離（100mまで）を移送し、 ICP-MS近くに設けられた切替えバルブにて薬液を選択し、ICP-MSにて自動分析するシステムです。 ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社IAS Inc. IAS Inc.

実験用ドライエッチング、成膜装置

ヨーロッパ発の技術から生まれた汎用性の高い装置！実験～量産に幅広く対応…

半導体など、様々な材料に対応可能 ■幅広い温度の工程に対応可能 ■エッチングの速度と均一性を精密制御 ■BOSOH工程に対応可能【成膜機種（一例）】 Shale Cシリーズ： ■ICP CVD（誘導結合プラズマCVD） ■低温条件（<120℃）で緻密な成膜を実現可能 ■プラズマによる損傷を低減でき、漏れ電流を抑える ■高アスペクト比の穴埋めに適用 ※詳しくはPDFダ...

メーカー・取り扱い企業：日星産業株式会社

半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置

ICの絶縁層を除去！フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム

置を取り扱っております。電気的な特性を維持するために金属層を侵食させない、マルチレベルのデプロセッシングから、金属エッチングを含む、高い選択比で損傷のないプロセスまで、RIE、ICP-RIE FAソリューションは、最大200 mmまでのダイ、パッケージダイおよびウェハーのサンプルでご使用可能。ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。【特長】 ■ダイ、...

メーカー・取り扱い企業：プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

ドライエッチング装置

MRAM用ドライエッチング装置！

反応性イオンエッチング装置(RIE)、誘導結合プラズマ (ICP)エッチング装置、イオンビームエッチング装置(IBE)等のドライエッチング装置など各種取り揃えております。...

メーカー・取り扱い企業：日星産業株式会社

RFラジカルビーム源　IRFS-503

放電部、引き出し部は高純度PBNで製作され活性ガス導入時でも長時間安定動作が行えかつクリーンな原子・ラジカルビームを得ることが可能な、ラジカルビーム源【特徴】 ○ICPタイプのRF放電により化学的に活性なラジカルを形成し　差圧によりフラックスを引き出す ○放電が目視確認できるビューポートを標準装置　発光モニターや分光器を使用して、放電状態・励起状態...

メーカー・取り扱い企業：アリオス株式会社

イオンビームエッチング・ミリング（IBE）装置

高レート・高信頼性を実現した生産用イオンビームミリング装置

AVP Technology社製イオンビームエッチング装置はICPイオンソースを搭載した高均一・高エッチングレート、かつ稼働再現性・安定性に優れた製造装置です。他社IBE装置に較べ卓越した制御システムにより、製造設備に必須である安定稼働を実現しています。最新...

メーカー・取り扱い企業：ティー・ケイ・エス株式会社

半導体関連フッ素樹脂製品 / サビレックスPFA製品

アメリカと日本をはじめ世界の半導体業界で実績。卓越した信頼性と純度…

脂製品の需要が増加しています。サビレックス社のPFA製品は高純度バージンPFA樹脂から製造されており、化学的に不活性で不純物溶出が無く高純度薬液を厳格かつ安全に保管する各種PFA容器をはじめ、ICP-MSのサンプル薬液の保管や前準備の溶解作業に用いられるPFAバイアル、1ppbグレードの塩酸・硝酸・フッ酸を全自動かつ非沸騰で静かに蒸留することで10pptグレードに浄化する酸浄化装置など、半導...

メーカー・取り扱い企業：東栄株式会社

HCD型高密度プラズマエッチング装置

シンプルな機構で高密度プラズマを実現。ウェハから１ｍ□基板まで対応。Ｓ…

従来型の容量結合型プラズマエッチング装置にくらべ一桁高い密度のプラズマを実現。高周波アンテナや磁石を使用せず、電極構造のみの工夫によって高精度エッチングが可能。従来型のエッチング装置（CCP型・ICP型）とのハード上の互換性も高く低コスト・高い信頼、稼働率の実現に寄与。ウェハレベルの基板だけでなく大型基板のエッチングにも対応可能基板の大型化にスムースに対応可能な新型高密度プラズマエッチ...

メーカー・取り扱い企業：神港精機株式会社東京支店

研究・試作に最適な小型プラズマCVD装置『VC-R400F』

独自のLIA方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔に超高速、高品…

スアンテナ)方式プラズマ源を採用し、樹脂フィルムや金属箔への超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。多点制御により、より細かな均一性を確保。手動、自動、オプションも多彩です。【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■...

メーカー・取り扱い企業：株式会社SCREENファインテックソリューションズ

研究・試作に最適な小型スパッタ装置『VS-R400G』

実験・研究・評価・試作に好適！ガラス、金属などの平板基材に高速、高精度…

『VS-R400G』は、独自のLIA(低インダクタンスアンテナ)方式プラズマ源を採用し、超高速、高品質な真空成膜を実現するスパッタ装置です。 LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)によるアシスト効果により、成膜速度を落とすことなくダメージを低減し、高品質な成膜を実現。また、高密度プラズマの特性を活かし、反応性スパッタにも対応可能です。【特長】 ■...

メーカー・取り扱い企業：株式会社SCREENファインテックソリューションズ

研究・試作に最適な小型プラズマCVD装置『VC-R400G』

独自のLIA方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速…

ンテナ)方式プラズマ源を採用し、ガラス、金属などの平板基材に超高速、高品質な真空成膜を実現するプラズマCVD装置です。実験・研究・評価・試作に好適。LIA方式の誘導結合型プラズマ(LIA-ICP)使用により、高速/高精度/低ダメージ真空成膜を実現。多点制御により、より細かな均一性を確保。手動、自動、オプションも多彩です。【特長】 ■実験・研究・評価・試作に好適 ■...

メーカー・取り扱い企業：株式会社SCREENファインテックソリューションズ

リモートイオンソース型 HR-PVDスパッタリングモジュール

指向性成膜を実現し、リアクティブスパッタリングも可能な高イオン電流ヘリ…

AVP Technology社製 HR-PVDスパッタリングモジュール・ヘリコンプラズマイオンソースを用いたリモートプラズマソースによりICPソースと比べ高いイオン化効率を実現しています。・傾斜角方向からの優れた直進性により、膜厚均一性およびステップカバレッジにおいても優れた結果を得ています。・リモートプラズマにより、基盤を低温に保...

メーカー・取り扱い企業：ティー・ケイ・エス株式会社

CVD、PECVD横型炉装置『EVADシリーズ』

フロー管理システムが搭載！粉体へも高温でのCVD/PECVDによる処理…

る処理が可能。 PLASMICON制御システムにより全自動プロセス、データ保存に対応しています。【特長】 ■FLOCONシリーズのフロー管理システムが搭載 ■PLUMEシリーズのICPプラズマソースを搭載可能 ■ガス、蒸気、液体や固体原料から合成・成膜可能 ■シングルゾーン、マルチゾーンによる温度分布制御 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社ハイテック・システムズ

三元マグネトロンスパッタ装置『NS-023』

三元同時スパッタによる新素材の薄膜開発！実験内容や予算に応じてカスタマ…

スパッタ以外にも、白金ヒーターを採用することで、基板の高温活性化（ヒータ温度：950℃）や反応性スパッタなど様々な使い方に対応しています。また、アシスト用プラズマ源も対応可能（ECR、ICP、他）です。【特長】 ■三種のターゲットを同時に成膜可能 ■多元同時スパッタ以外にも、様々な使い方に対応 ■実験内容や予算に応じてカスタマイズ可能 ■アシスト用プラズマ源も対応可能...

メーカー・取り扱い企業：株式会社片桐エンジニアリング

分析・解析機器　全自動気相分解装置「Expert(TM)」

シリコンウェーハ中の不純物分析に欠かせない全自動気相分解(VPD)装置…

【特徴】 ◯特別に設計されたオートサンプラーと独自のソフトウェアを用い、　ウェーハの分解、回収、分析まで真の自動化を実現 ◯VPDシステムからICP-MSへの移送中に起こる汚染のリスクを回避 ◯二段構造のスキャンノズルを用いて、高濃度サンプル溶液の自動希釈が可能 ◯特殊VPDチャンバーにより、ポリシリコンのエッチングが可能 ◯12インチ...

メーカー・取り扱い企業：株式会社IAS Inc. IAS Inc.

【資料】パワーデバイス用GaNのトレンチ加工

これまでの加工実績をベースに行ったGaNのトレンチ加工をご紹介します

当社は半導体製造装置メーカーとして、GaN系発光デバイス製造における ICPエッチング装置、CVD装置及びプロセス技術を提供してきた実績があります。また、4H-SiCパワーデバイスに対してもトレンチ加工、メサ加工等に対応できる装置を提供。当資料では、こ...

メーカー・取り扱い企業：サムコ株式会社

成膜装置『Corial 200 Series』

用途に応じてコンフィギュレーションする事ができるプラズマエッチング・成…

当社の『Corial 200 Series』をご紹介いたします。共通プラットフォームを用い、用途に応じてRIE,ICP,ICP+RIE, ICP-CVD又は、PECVDとしてコンフィギュレーションする事ができる研究開発向け装置。ウエハサイズは50mm,100mm,150mm,200mmです。 ...

メーカー・取り扱い企業：プラズマ・サーモ・ジャパン株式会社

【オーダーメイド製作実績】ドライエッチング装置

「XeF2エッチング装置」「バッチ式アッシング装置」などの実績を保有し…

ジャパンクリエイト株式会社が行なった、『ドライエッチング装置』のオーダーメイド製作実績をご紹介します。「研究開発用ICPエッチング装置」や「ICPプラズマエッチング装置」「XeF2エッチング装置」「バッチ式アッシング装置」などの実績を保有。デモ機にてサンプル処理を実施しております。ご用命の際はお気軽...

メーカー・取り扱い企業：ジャパンクリエイト株式会社

実験用ドライエッチング、成膜装置

ヨーロッパ発の技術から生まれた汎用性の高い装置！実験～量産に幅広く対…

金属、化合物半導体など、様々な材料に対応可能；幅広く温度の工程に対応可能；エッチングの速度と均一性を精密制御； BOSOH工程に対応可能・成膜機種 Shale Cシリーズ： ICP CVD（誘導結合プラズマCVD）低温条件（<120℃）で緻密な成膜を実現可能プラズマによる損傷を低減でき、漏れ電流を抑える高アスペクト比の穴埋めに適用 ...

メーカー・取り扱い企業：日星産業株式会社