チップ抵抗ネットワーク1005×4

PR実装コストの低減を実現！電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワーク

当製品は、電極が凸型形状のチップ抵抗ネットワークです。 部品搭載回数の減少による実装コストの低減を実現。 最高使用電圧は25V、定格電力は1/16Wです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【仕様(抜粋)】 ■素子数：4 ■回路記号：D（独立回路） ■包装数量：10,000 アイエイエム電子ではチップ抵抗ネットワークを始め各種厚膜チップ抵抗器を製造販売しております。 ※詳...

メーカー・取り扱い企業： アイエイエム電子株式会社

プラズマを用いた官能基修飾による表面改質で新たな機能を提供

PR難めっき樹脂・難接着樹脂へ「非粗化による直接めっき」や「接着剤レス直接…

弊社改質技術では、基材表面へ官能基を強固に結合して付与することで、 一般的なプラズマ表面処理（有機物除去、一時的な親水性の向上など）ではできない表面改質処理を提供できます。 【特長】 ○低誘電材および難めっき材への非粗化直接めっき技術 　フッ素樹脂、LCP、COP、ポリイミド樹脂などへ非粗化でシード層が介在しない直接銅めっきが可能 ○難接着材の非粗化接着剤レス・直接接着技術 　各種フッ素樹脂、...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社電子技研

【分析事例】分子動力学計算を用いたアモルファスSiNx膜構造解析

シミュレーションによってアモルファス膜のミクロな構造解析が可能です

アモルファスSiNx（a-SiNx）膜は、N/Si比などの組成変化によって半導体から絶縁体まで物性が大きく変化することから、トランジスタ用ゲート絶縁膜など幅広い用途で用いられています。一方、結晶性のないアモルファス構造の材料に対し、原子...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピーク...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST