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資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...
メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】
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解説資料 開発元監修『見積段階から機械動作を可視化する3D構想』
PR複雑する装置仕様を見える化！受注率UPと手戻り削減に貢献する3DCAD…
機械設計向け3次元CAD「iCAD SX」の開発元が監修しました。 複雑化する装置仕様の摺合せが難しい理由や問題点を洗い出し、 "装置仕様（動き）の可視化"について解説した資料を無料進呈中です。 【資料概要】 ■製造業を取り巻く環境と、装置の複雑化 ■仕様説明時における取組と課題、目指す姿 ■打ち合わせ初期から一連の動作フローを可視化する効果 ※ 本ページのPDFダウンロード...
メーカー・取り扱い企業： i CAD株式会社 - 機械設計向け3DCAD（3次元CAD）開発元 -
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D,S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子（SE2）をInlens検出器で...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価
市販のSiCパワーMOS FET素子の解析事例をご紹介します。 SiC材料では、SiだけでなくCを含めた系での材料制御が必須となり、従来のSi半導体の製造方法と違いがあります。コンタクト電極とSiC層のオーミック接合形成プロセスにおいて、TEMを用いたEDX/EELS分析および電子回折から、Cを含めた元素分布や結晶相を評価しました。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します
変電所などで使用可能な超高耐圧・低損失SiCパワーデバイスの開発においては低キャリア濃度の制御が必要となり、SIMS分析で極低濃度の不純物評価を行うことが有効です。 SIMS分析では多元素を同時に取得せず、不純物を1元素に限定することで極低濃度を評価することが可能です。本資料ではSiC中の不純物について従来では評価が困難であった極低濃度領域を超高感度に評価した分析事例をご紹介します。...詳しい...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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ICP-MS, GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
半導体材料に含まれる不純物は、リーク電流の発生やデバイスの早期故障等、製品の品質に影響する場合があります。従って、材料に含まれる不純物量を把握することは、製品の品質向上において重要です。本資料では、パワーデバイス材料として注目されているSiC基板について、基板表面に付着した不純物をICP-MS、基板中の不純物をGDMSで分析した事例をご紹介します。 測定法：ICP-MS・GDMS 製品分野：パ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
SiCパワーMOS FET（図１）において、ゲートパッド部下のSiC中にてドーパント元素であるAlの濃度分布を素子表面側から及び裏面側からSIMSで評価しました（図２）。 分析を進める方向に関係なく深さ約0.5μm以降の分布もよく一致することから、Alの濃度分布の広がりは測定起因でなく実際の元素分布を反映しているものと考えられます。 SiCなどの加工の難しい硬質基板でも、SSDP-SIMS分析...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価
PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察
PL（フォトルミネッセンス）マッピングでは、発光箇所から結晶欠陥位置の特定が可能です。 更に同一箇所を高分解能STEM観察（HAADF-STEM像）を行うことで積層欠陥を捉えることができます。 本事例では、市販のSiCパワーデバイスについてPLマッピングとSTEMを用いて調査を行いました。 PLマッピングにより積層欠陥位置を特定後、欠陥端部分についてμサンプリングを行い、断面STEM観察...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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膜厚・密度・結合状態を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR（X線反射率法） および結合状態をXPS（X線光電子分光法）で評価した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定
SiC中積層欠陥の検出事例
SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス（PL）法があります。 マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧くださ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能
XPSでは試料表面の化学結合状態を評価することができ、波形解析により更に詳細な評価をすることが可能です。加えて、波形解析結果に仮定パラメータを用いることで、表面酸化膜等の膜厚を算出することも可能です。 本資料では、SiC表面の組成・状態評価を行うとともに、取得したピーク強度から酸化膜厚を算出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
高電圧電源（2000Vまで印加可能）を用いることで、耐圧の高いダイオードに対してもブレークダウンを発生させることができます。 本事例では600V耐圧のSiC Schottky Diodeを動作させ、逆方向に高電圧まで印加することで、ブレークダウンを発生させました。カソード電極を研磨で除去後、エミッション顕微鏡観察を行い、ブレークダウン電流発生箇所を特定した事例をご紹介します。測定には市販品を用い...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌 201901-02 ナノメートルスケール局所構造解析
技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCN...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 最先端の二次イオン質量分析（SIMS）装置であるNanoSIMS 50Lは、プローブ径約50 nmのイオンビームと、透過率の高い質量分析系の併用により、従来のSIMSに比べて約2桁高い空間分解能でイメージング測定を行うことが可能である。本稿では、NanoSIMS 50Lの装置の特徴と分析事例を紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．分析装置の概要 ３．毛髪断面の分析事例 ４．...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は素子の高集積化が可能であり、SiCデバイスへの応用展開も進められています。一方、SiCデバイスのドーパント活性化率には課題があり、出来栄え評価が重要となります。今回、SiC Trench MOSFETに関して、SNDM（走査 型非線形誘電率顕微鏡）にてキャリア極性判定をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）にてキ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます
キャリアライフタイムとは、電子デバイスの動作の際に生じる過剰キャリアの内、少数キャリアが1/eになるまでの時間です。これを適切に制御することがデバイスの電気特性をコントロールする上で重要です。 一方、発光寿命とは試料からの発光強度が1/eになるまでの時間を示し、発光減衰曲線から算出可能です。少数キャリアの一部は再結合時に発光するため、発光寿命測定から間接的にキャリアライフタイムの評価が可能です。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品…
【要旨】 SiCやGaNより大きなバンドギャップを持つ酸化ガリウム（Ga2O3）は新たなパワーデバイス材料として注目されている。デバイス応用に向けた薄膜成長技術の発展とともに、Ga2O3薄膜の分析評価技術の重要性は益々高まると考えられる。本稿では、サファイア基板上に作製したGa2O3膜の結晶構造解析、および不純物、欠陥評価を行った事例について紹介する。 【目次】 １．はじめに ２．試料 ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社東レリサーチセンター
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短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします！
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社エルテック
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半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の測定例！可視光レー…
当社では、応力分布測定＜顕微レーザーラマン分光分析＞を行っております。 残留応力は製品に変形や破壊などの様々な悪影響を及ぼします。 その測定方法はいくつかありますが、ラマン分光分析も有効な手段の一つです。 関連リンク先では、半導体に用いられるSiCにつけた圧痕周辺の応力分布の 測定例を、グラフや写真とともにご紹介しております。 【特長】 ■分析装置：RAMAN ■分析方法...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社大同分析リサーチ
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〈XPS・TOF-SIMS〉 表面分析とは何か・表面分析の種類等、基…
表面分析のご検討に役立つ基礎解説・分析事例をまとめてご紹介します。 お手元に置いて、分析サービスのご検討にぜひご活用ください。 ★ご希望の皆様全員に無料でプレゼント★ 【お問い合わせ】より、「カタログ送付希望」にチェックを入れてお申し込みください。 ※【PDFダウンロード】よりダイジェスト版をご覧頂けます。 ...★掲載内容★ ■表面分析の基礎 ・表面分析とは？ ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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パワーサイクル試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で実…
チップの自己発熱と冷却を、短時間で繰り返す熱ストレスへの耐久性を 評価するために、「パワーサイクル試験」の重要性が増しています。 当社では、試験前後や試験途中における各種測定、観察、解析も一括で 実施しています。 また試験サービスだけではなく、試験装置の開発・販売も 行っておりますので、ご用命の際はお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■複数のサンプルを同時に試験できる...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社クオルテック
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故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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XPSを使用して簡易的に測定することが可能！酸化物系以外の半導体もお問…
アイテスでは、『XPSによるバンドギャップの簡易測定』を行っています。 半導体や絶縁物の中で、比較的バンドギャップが広い物質や薄膜の バンドギャップを、XPSを使用して簡易的に測定することが可能。 β-Ga2O3のバンドギャップをO1sのピークを使用して測定を行った際は、 O1sのピーク位置とバンドギャップによるエネルギー損失の端部との差より このβ-Ga2O3のバンドギャップは...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価
極浅い領域でも高感度に分析
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが広く、優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の表面近傍について、金属元素の定量分析を行った事例を示します。 TOF-SIMSでは極浅い領域でも高感度に評価が可能です。...詳しいデータはカタロ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Scanning Microwave Microscopy
SMM は、導電性プローブを用いて計測試料を走査し、その凹凸形状を観察します。同時に、マイクロ波を探針から試料に照射して、その反射応答を計測することで、特に半導体の場合にはキャリア濃度に相関した信号を得ることができる手法です。SMM 信号の強度はキャリア濃度に線形に相関するため、定量性が高いことが特徴です。 ・Si デバイスの場合、1015～1020cm-3程度のキャリア濃度に感度がある ...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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最小で350μmの製品を取り扱っており、検出の難しい100μm以下の不…
顕微鏡検査においては8倍～50倍の顕微鏡と、80倍までの顕微鏡、 300倍までの顕微鏡と3種類で検査をしております。 検査をしている製品の大きさは、最小で350μmの製品を取り扱っており、 顕微鏡でしか検出の難しい100μm以下の不良を検出。 特殊品顕微鏡検査の認定取得が大変難しいため、社内でも30％の 人員しか取得していない難易度の高い検査となります。 【特長】 ■主要...
メーカー・取り扱い企業： サイトー電子株式会社 赤坂事業場
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「多くの元素を感度よく測りたい!」というご要望にお応えします。 主成…
グロー放電質量分析計(GDMS)による新サービスを5/15(月)より開始しました。 ・主成分からppbレベルの微量成分までの70元素以上の同時分析が可能 ・従来困難であったC,N,Oをppmレベルで検出 ・nm～数十µm以上の深さ方向分析が可能 ...ワイドギャップ半導体材料として用いられるSiCやGaNは耐薬性が高いため完全溶解することができず、化学分析での不純物分析が困難でした。 一方...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！…
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスを製造する上で必要になるSiC基板の品質評価が課題になっています。SiC基板を結晶方位、面内欠陥分布、表面凹凸および不純物についての評価し、数値化・可視化する方法を提案いたします。 測定法：XRD・AFM・PL・SIMS 製品分野：パワーデバイス・照明 分析目的：微量濃度評価・構造評価...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）
SNDM (走査型非線形誘電率顕微鏡)では半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化すること ができます。本手法は、従来から用いられているSCM（走査型静電容量顕微鏡）の機能を包括しており、 SCMでは評価が難しいSiCを代表とする次世代のパワーデバイスにおいても、低濃度から高濃度まで十分に評価を行うことができます。高感度を特徴とし、あらゆる化合物半導体デバイスに適用可能です。一例として、S...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Trench MOSFETのトレンチ側壁評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用い...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可…
SiCはその物性からパワーデバイス材料として用いられていますが、Siとは異なりイオン注入後の熱処理によるドーパントの拡散が困難なため、多段イオン注入により深さ方向への分布を制御する必要があります。SIMS分析は高感度（ｐｐｍ以下）で深さ方向の不純物濃度を評価することができるため、SiC中のドーパント元素の分布評価に適しています。また、軽元素（H,C,O,Fなど）の分布についても評価可能です。評価し...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
SCMでは半導体のp/n極性を識別し、拡散層の形状を可視化することができます。 本手法はSiデバイスに活用されてきましたが、SiCデバイスにおいてもキャリア濃度が十分高い箇所では評価を行うことができます。 本資料では、SiC Planer Power MOSの断面を製作し、SCM分析を行った結果をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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活性層の形状とドーパントを評価
市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からｐ型/ｎ型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素（N,Al,P）の深さ濃度分布を評価しまし...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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目的に応じた分析条件で測定します
市販品SiCパワーMOS FETのドーパント元素であるN,Al,Pの深さ方向濃度分布を複数の分析モードで評価した事例を紹介します。 分析目的によってはそれぞれの元素を最適な条件で別々に測定せず、複数の元素を同時に測定することが可能です。多元素同時測定した場合と、それぞれの元素に着目した条件で測定した場合の事例を示します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能
市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl,N,Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl,N,Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM（走査型静電容量顕微鏡法）で評価し、キャリア濃度分布をSMM（走査型マイクロ波顕微鏡法）で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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濃度の変化をCの変化として検出！dC／dV信号も取得でき、拡散層の解析…
株式会社アイテスでは、sMIMによる半導体拡散層の解析を行っております。 マイクロ波インピーダンス顕微鏡(sMIM)は、ドーパント濃度に 線形な相関を持つ信号が特長です。 sMIM(エスミム) は、SPMに装着した金属探針の先端からマイクロ波を 照射してサンプルを走査し、その反射波を測定し拡散層の濃度に 線形な相関を持つsMIM-C像を得ることができます。 反射率から得られ...
メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイテス
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不純物元素の定量評価が可能です
酸化ガリウムGa2O3は、SiCやGaNよりもバンドギャップが高く優れた物性を有することから、高効率・低コストが期待できるパワーデバイス材料として注目を集めています。ウエハの開発には、特性を左右する不純物濃度の制御が重要です。本資料ではGa2O3膜の不純物濃度分析を行った事例をご紹介します。 B,Cはバックグラウンドレベル以下、Siは存在していることがわかります。 MSTでは、Ga2O3標準試...
メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
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