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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対…
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-(D,S)間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察
SiCパワーデバイスでも、特定箇所の断面作製、拡散層の形状観察、さらに…
当社では、LV-SEMとEBIC法によるSiC MOSFETの拡散層の観察を 行っております。 FIBを用いた特定箇所の断面作製、LV-SEM/EBICによる拡散層の 形状観察、さらにTEMによる配線構造、結晶構造までのスルー解析が SiCパワーデバイスでも対応できます。 「LV-SEM拡散層観察」では、PN接合の内蔵電位に影響を受けた 二次電子(SE2)をInlens検出器で...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で…
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下...
メーカー・取り扱い企業: 東芝ナノアナリシス株式会社
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SiC/GaNデバイスモデル搭載回路シミュレーターScideam
SiC/GaNデバイスモデルを搭載 損失解析が可能な回路シミュレーター…
SiC/GaNデバイスモデルを搭載した国産の高速回路シミュレーター、Scideam(サイディーム)をご紹介させて頂きます。 25年以上の歴史のある演算アルゴリズムと新たに開発した回路エディター、波形ビューワーにより快適なシミュレーション環境を提供します。 開発初期段階でご利用いただくことにより、仕様未達や不具合などの要因をあらかじめ潰すことができ、設計期間とコストを削減できます。いわゆる「フロ...
メーカー・取り扱い企業: 穂高電子株式会社 パワエレソリューション
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高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】
SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…
SiC(シリコンカーバイド)、GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII(Plas...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにします!
株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 物...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社エルテック
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自動車関連の熱設計・熱対策の課題を解決する特設WEBサイト必見! ~三…
現在、世界中でカーボンニュートラル(温室効果ガス排出の実質ゼロ)実現のため、xEVの開発、普及が進められていますが、 その中でも各構成部品の「熱への対応」、即ち「熱マネジメント」が大きな課題となっております。 同サイトでは、xEV向けにお客様が抱える熱設計・熱対策に関する課題に対して、 当社が提供するAuSnペースト、サーミスタ、絶縁放熱基板により、その解決に繋がる事例を動画を交えてわか...
メーカー・取り扱い企業: 三菱マテリアル株式会社 高機能製品カンパニー 電子材料事業部 営業部
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故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします…
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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半導体デバイス用汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトAPSYS
多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…
<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 (半導体レーザは別製品LASTIPとPICS3Dでシミュレーションが可能) ■シリコン、化合物から成るデバイスの設計に用いることが可能 <多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I-V)特性 ■ポテンシャル、電場、電流の2次元分布 ...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…
<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア「APSYS」 ■Stanford大学開発のSUPREMをクロスライトが独自に機能拡張した「CSUPREM」 ■マスク編集ツール(GDSII可) ■デバイス断面構造の入力・編集ツール ■シミュレーション結果をグラフィカルに表示 <デバイスシミュレーションのための多様な物理モデルや機能> ■電流-電圧(I...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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新たにクロスライト社のFDFDが加わり、FDTDより計算がかなり速く高…
<主な特徴> ■共振器方向の効果が重要なデバイスの設計・解析に適しています ■モード結合理論と多層膜光学理論によりDFB,DBR,VCSELのような回折格子を 含むレーザダイオードが計算可能 <多様な物理モデルや機能> ■ウェーブガイド・グレーティングの結合係数(1次、2次のグレーティング) ■縦方向のキャリア密度分布、主・副縦モードについての光学利得と光強度 ■2次グレーテ...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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第一原理計算 材料シミュレーションmatelierPHASE/0
第一原理計算による材料シミュレーション「matelier PHASE/…
<新規材料のシミュレーション(物性値予測)にご活用いただけます。> 第一原理バンド計算ソフト「PHASE/0」は、量子力学に則って物質の電子状態を求めますので、精密な解析が可能です。計算に際して、実験結果に基づくパラメータは必要ありません。実験結果の解釈や、新規材料の物性値予測にもご活用いただけます。 【 主な解析対象 】 半導体(IV族、III-V族、窒化物、酸化物、シリサイド系...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アスムス
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2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧…
<主な特徴> ■2次元構造モデルに基づいた半導体レーザのシミュレーションソフト ■共振器方向での効果を含まないため計算がより軽く実行可能 ■有限要素計算のメッシュも2次元で設定するため収束がよりスムーズ <多様な物理モデルや機能> ■光出力-電流(L-I)特性 ■電流-電圧(I-V)特性 ■2次元ポテンシャル、電場、電流分布 ■電子とホール密度の2次元分布 ■様々なバイアス条...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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半導体などの工程加工に適した各種成膜、酸化膜形成、アニール処理に適した…
SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。...成膜 ・PBII(Plasma Based Ion Implantation) カーボン成膜が可能 ・スパッタ 電極膜の成膜が可能 熱処理 ・RTA(Rapid thermal annealing) 縦型高周波誘導加熱方式により、~1800度...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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Film Deposition&Heat Treatment
Equipped with various film depositi…
PBII is suitable for carbon film for pre-annealing of SiC, RTA is for annealing....Film formation ・ PBII (Plasma Based Ion Implantation) Carbon deposition ・ Sputter Possible to form elect...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社イオンテクノセンター
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【高精度】『基板のエッジ/表面研磨の受託開発・加工 サービス』
基板の形状・面精度、強度がアップ!後工程での破損・荒れも防ぎ、歩留まり…
当社では、豊富な研磨ノウハウと精密研磨装置・材料を活かした、 『基板のエッジ/表面研磨の受託開発・加工サービス』を展開中です。 独自の研磨プロセスにより高精度な形状・面精度が得られるほか、 エッジ部を鏡面処理することで基板強度も向上! 後工程での破損防止や成膜時に生じやすい外周部の荒れ抑制など 多くのメリットが得られ、歩留まりや品質改善を実現できます。 【特長】 ■φ8m...
メーカー・取り扱い企業: Mipox株式会社
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Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります!…
当社では、短波⻑レーザを⽤いたSiCデバイスのOBIRCH解析を 行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ないパワーデバイス であり注目を集めていますが、Si半導体とは物性が異なるため、 故障解析も新たな手法が必要となります。 短波長レーザを用いたSiC-SBDの裏面OBIRCH解析では、SiC ショットキーバリアダイオードに局所的に溶融破壊を起こし...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社アイテス
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SiC MESFETの3次元デバイス解析ツール
MaskEditorによるマスクパターン設計、CSupremによるプロセスシミュレーション、APSYSによるデバイスシミュレーンまでのフローで設定のポイントを紹介。また計算結果をグラフィカルにプロットし解析のポイントや特性を例示。...<主な特徴> ■半導体デバイス用の汎用2D/3D有限要素解析・設計ソフトウェア ■半導体レーザを除くほとんど全てのデバイス設計・解析に適用可能 ■シリコン、化...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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【動画】半導体デバイス用2D/3D解析・設計ソフトAPSYS
多種多様な材料や物理モデルを用意、様々な解析が可能な半導体デバイスシミ…
■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中! ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から (製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい)...<インターフェイス> ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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【動画】半導体レーザ用3Dデバイスシミュレーター PICS3D
モード、光学利得、光強度、スペクトル、キャリア分布、バンド、波動関数な…
■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中! ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から (製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい)...<インターフェイス> ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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【動画】半導体プロセス&デバイスシミュレータ「NovaTCAD」
2D/3Dのプロセスシミュレータとデバイスシミュレータを統合したクロス…
■下記YoutubeにてNovaTCADによるシミュレーションの自動処理の動画を公開中! ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から (製品の詳細については、製品紹介の資料をご覧ください)...<インターフェイス> ■プロセスシミュレーションとデバイスシミュレーションがGUIを通して制御可能(マスクイメージの編集機能、物理モデルやバイアス設定、結果の解析・表示機、自動処理など) ...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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【動画】PICS3D(Fabry-Perot Edition)
2次元に特化した半導体レーザ向けデバイスシミュレーションプログラム(旧…
■下記Youtubeにて試用版デモ"Trial Guide"の動画を公開中! ■試用版のご希望は「試用版お申込フォーム」から (製品の詳細については、カタログもしくはお問い合わせ下さい)...<インターフェイス> ■構造入力、結果表示のためのツールを標準装備 ■独自のスクリプト言語で記述、GUIやコマンドラインから実行が可能 ■バッチファイルやスクリプト言語によるプログラム制御が可能...
メーカー・取り扱い企業: クロスライトソフトウェアインク日本支社
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卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付…
京セラでは各種デバイスの量産でつちかった技術をもちいて、各種の機能薄膜の開発品の提供を行なっています。 <高機能薄膜開発品の一例> ・圧電(ピエゾ)薄膜(PZT) 微小変位の制禦できる、圧電薄膜。 ・サーミスタ薄膜(Cr-Al) 温度による抵抗値変化が適当であり、測定しながら 細かな温度制禦ができる、サーミスタ特性をもつ薄膜。 ・高硬度薄膜(SiC,ダイヤモンドライクカーボン:DLC...
メーカー・取り扱い企業: 京セラ株式会社 プリンティングデバイス事業本部
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2024年6月7日、東京・丸の内で開催。2024年注目市場「I…
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