資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【内部流路】拡散接合【セラミックス・石英ガラス・純モリブデン】

PR拡散接合により、内部に流路を有する複雑形状が実現可能！石英ガラス、純モ…

拡散接合は材料同士を直接接合させる技術です。 接着剤、ロウ材を使用しないため、不純物による汚染問題が起きません。 また、塑性変形の発生を抑えることもできます。 拡散接合を用いることで、通常の切削加工では実現できない中空構造や、内部流路、真直度の良い深穴を形成可能です。 ヘリウムリークテスターを保有しておりますので、リークテストの実施も可能です。 【拡散接合実績材質】 ・アル...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トップ精工

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

絶縁破壊電界強度はシリコンウェハーに対して約10倍！SiCウェハー・S…

『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 SiCとは珪素と炭素の化合物である「炭化珪素」。 より高度な半導体デバイスを製造するために生み出された当製品は、 一般的なシリコンウェハーよりもはるかに優秀な特性を持っています。 また、電子が存在することのできない「バンドギャップ」がシリコンウェハーの約3倍！SiCウェハー・SiCウエハーの価...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

SiCウエハ（6インチ/8インチ) / SiC MOSFET

SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイス…

Qingdao JZLEAP Semiconductor Co., Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国　青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバ...

メーカー・取り扱い企業： 武蔵野物産株式会社

シュリンク ICコネクタ・SIC01シリーズ

1.778mm ピッチ・シュリンク ICコネクタ「SIC01シリーズ」

・リードピッチ70mil（1.778mm）SDIP対応シュリンクICコネクタです。 ・両面接触構造コンタクトとプリロード方式により安定した接触を保証する高信頼設計です。 ・実装ボード穴径Φ0.6MIN.対応により、パターンの高密度化が可能です。 ・ロープロフィール形状（ボード面より4.6mm）です。 ・クローズドボトム形状による半田吸引防止機構です。 ・フラックス上昇防止対策品も系列化し...

メーカー・取り扱い企業： ケル株式会社

SiC (MOSFET/SBD) モジュール

装置の小型化、高効率に貢献　SiCパワーモジュール

(株)三社電機製作所のパワーモジュール技術とパナソニック(株)の SiC (炭化ケイ素)パワートランジスタ技術により、小型高信頼性SiC パワーモジュールを共同開発 SiC(シリコンカーバイド)パワーデバイスは低損失、高速動作が可能となり大電流、高電圧用途での省エネ化に貢献 新開発Techno Block(*1)パッケージ技術により、信頼性、低損失、小型化を実現 =特長= ■ ...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

SiC(炭化珪素)への高アスペクト比加工を実現する「水レーザー」

機械加工では困難なSiCなどの超難削材加工を容易にするのがウォータージ…

機械加工ではとても困難な焼結後のSiC(炭化珪素)においても、レーザーマイクロジェット技術を用いれば容易に穴や溝加工が可能となります。 穴・溝・くり抜きといった機械加工では不可能、もしくは加工時間に途方もない時間を要する場合においても、このレーザーマイクロジェット＝水レーザーによる加工方法を用いる事で通常の半分以下の時間で加工する事が可能です。 層流水ジェットの界面での全反射現象を利用...

メーカー・取り扱い企業： ナラサキ産業株式会社 メカトロソリューション部　機能材料課

SiC インバータ実験セット　HEK-INV-A

すぐに動作実験が可能なSiC インバータセット

SiC 三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100V を投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM 製SiC-MOSFETを6 個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVA での動作が可能です。24V の制御電源とサンプルソフトが付属します。 【特長】 ■すぐに動作実験が可能なSiC インバー...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

超高純度CVD-SiC「ソリッド SiC」

半導体装置に最も適した材料！様々な用途で発揮されるソリッド SiC

ソリッド SiCは、CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品群であり、高強度・耐熱性・耐プラズマ性・耐薬品性に優れており、半導体に最も適した材料と信頼されています。 ソリッド SiCは、東海カーボン独自のCVD技術を応用し開発されました。 半導体装置に最適化され、半導体の可能性を拡げる材料として期待されています。 【特徴】 ○CVD法により製造される超高純度CVD-SiC製品...

メーカー・取り扱い企業： 東海カーボン株式会社

SiCダミーウェハ「超高純度、高耐熱性、高耐摩耗性を実現」

独自のCVD-SiCで製作され、超高純度、高耐食性、高耐酸化性、高耐熱…

超高純度で耐食性及び耐熱性に優れているSiCダミーウェハは、長期のリサイクル使用が可能で、LP-CVD、高温拡散、CMP工程にてご使用頂けます。 ◆コストダウンに貢献 　・長期のリサイクル使用が可能 　・超高純度で耐食性及び耐熱性に優れている 　・長期使用頂く事で、シリコンウェハの節約、ダミーウェハの交換や洗浄等管理工数削減につながる 【特徴】 　・高純度（純度はppmレベル）...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

SiC Hブリッジ回路ブロック　HGCB-4A-401200

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能！ 多彩な回路方式…

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載した、実験用のHブリッジ（単相インバータ）回路です。HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です。系統連系インバータ、Dual Active Bridge、Modular Multi-level Converter(MMC)など様々なアプリケーションの実験システムを...

メーカー・取り扱い企業： ヘッドスプリング株式会社

SiCパワー半導体『SiC-SBDシリーズ』

シリコン製からの置換えに！高温でも高速スイッチングを維持し、電力損失を…

『SiC-SBDシリーズ』は、SiC（シリコンカーバイド）を材料に用いたショットキーバリアダイオードです。低抵抗かつ高速スイッチングに対応し、スイッチング損失を低減できます。また高温でも安定的に動作でき、電源機器の小型化が図れます。PFC回路・モータードライブ回路・インバータ回路などの高速スイッチング用途で活躍します。 【特長】 ■高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減 ■電源...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社オリナス 東京営業所、名古屋営業所、京都営業所、大阪営業所、香港

【Bourns】SiCショットキーバリアダイオード＊低損失高効率

高速かつ高耐圧で、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に最適で…

高度なパワーコンポーネントは、高いピーク順方向サージ能力、低い順方向電圧降下、熱抵抗の低減、 および電力損失の低減を必要とするコンバータなどのアプリケーションに最適。高効率を実現します。 SiCショットキ―バリアダイオードは、高速かつ高耐圧で 損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用いただけます。 ◇特徴 ・低電力損失、高効率 ・低い逆方向リーク電流 ・高ピーク順方向サージ電流能力（...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社セイワ

窒化ガリウム（GaN）、SiC（炭化ケイ素）ウェハー

当社は6インチSiC基板ウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT…

売れ筋商品：6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェーハ、6インチGaN-on-Si HEMT Dmodeパワーエピウェーハ 、6インチGaN-on-Si HEMT Emodeパワーエピウェーハ、6インチSiC基板ウェーハ、SiC基板ウェーハ（直径150mmのn型基板）など 研究開発実験用品に適しています 。コスパに優れています。...6インチGaN-on-Si HEMT RFエピウェ...

メーカー・取り扱い企業： インターケミ株式会社

SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバーター

5.2kVDC/1minの堅個な絶縁！ソーラーインバータやアーク溶接な…

『RA3シリーズ』は、トランジスタのゲートドライバ用電源に特化して 設計されています。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃～+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートド...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

プリアンプ内蔵SiCフォトダイオードUVセンサTOCONシリーズ

使いやすい高性能UVセンサ

ドイツ・sglux社製のプリアンプ内蔵SiCフォトダイオード TOCONシリーズです。SiC（炭化ケイ素）フォトダイオードは、高耐久・低暗電流・低温度依存で可視光不感（紫外線のみを検出する）の高性能なUVセンサです。TOCONシリーズはSiCフォトダイオードにプリアンプを内蔵したことで、より高性能かつ使いやすくなったモデルです。...・ 最小1.8pW/cm² ~ 最大18W/cm²の強さの紫外線...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アイ・アール・システム

常圧焼結SiCセラミックス (CERASIC)

優れた耐食性と物理特性がラインの信頼性を築きます！

CERASIC常圧焼結SiCセラミックスは耐磨耗・耐食性が要求される機械部品に最適な材料です。 半導体及びFPD製造用部材としても様々な用途開発が進められており、高純度品としてCVD被膜を施した製品の供給も可...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社渡辺商行

資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

SiC/GaNゲートドライバ用の絶縁型DC/DCコンバータ

5.2kVDC/1minの堅個な絶縁！ソーラーインバータやアーク溶接な…

『RA3シリーズ』は、トランジスタのゲートドライバ用電源に特化して 設計されています。 5.2kVDC/1minの堅個な絶縁と10pF以下の絶縁容量が特長。動作温度範囲は 全負荷時で-40℃～+85℃と厳しい環境条件でもご使用いただけます。 また、市販されているSiCやGaNトランジスタをカバーする為、シングルまたは デュアル非対称出力に対応します。 【特長】 ■ゲートド...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

研磨技術『SiC ウエハー』

革新的研磨技術を確立！短時間・低コストで究極の面粗さとTTVを実現しま…

電子部品製造・加工業を行うTDCでは、次世代パワーデバイス材料 『SiC ウエハー』の革新的研磨技術を確立しました。 SiCは大変優れた材料特性から、次世代パワーデバイス材料として有望視 されていますが、研磨プロセスのコストが障壁となっていました。 そこで当社では、東北大学多元物質科学研究所との共同研究、産業技術総合 研究所のご指導の下、自社独自の研磨技術を開発し、短時間・低コス...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社ティ・ディ・シー

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

中国のSiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパ…

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は 中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でも...

メーカー・取り扱い企業： 岡谷鋼機株式会社 名古屋本店

SiC Trench MOSFET ディスクリートパッケージ評価

ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察

他社品調査や異常品検査では、まず内部構造の調査が必要です。X線CTでは、非破壊で試料内部の透過像を取得し、三次元構築することが可能です。本資料では、製品調査の一環としてSiCチップが搭載されたディスクリートパッケージをX線CTで観察した事例をご紹介します。 X線CTによる構造確認後、MSTで実施している物理分析（破壊分析）をご提案します。...詳しいデータはカタログをご覧ください...

メーカー・取り扱い企業： 一般財団法人材料科学技術振興財団　MST

Al-SiC ヒートシンクプレート（放熱基板）

材料にSiC にアルミニウムを高圧含侵させたAl-SiCを採用！ 低…

こちらは湖南ハーベストテクノロジー社（中国 製）の Al SiC ヒートシンクプレートです。 湖南ハーベストテクノロジー社は中国長沙市にて 2007 年創業のAl-SiC を中心とした金属複合材メーカーです。 IGBTモジュール用の Al-SiC ベースプレートは、 2013 年から中国で 新エネルギー車に採用されており、これまでに50 万個以上が生産・使用、 製品の安定性と...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社双葉機工

炭化ケイ素　SiC

炭化ケイ素（SiC）はJFCにお任せください

耐食性に優れ、液中での摺動特性が良好な炭化ケイ素を、原料調合から焼成・加工・検査まで、弊社独自の技術により社内一貫生産しております。 少量試作から量産まで、ご要望にお答えいたします。 【特長】 ●他のファインセラミックスと比べ、高温域（1000℃以上）での機械強度の低下が小さく、耐摩耗性に優れる ●共有結合性が強いため、ファインセラミックスの中では最も硬く、耐食性に優れ、液中での摺...

メーカー・取り扱い企業： 日本ファインセラミックス株式会社

SiC MOSFET FMG50AQ120N6

高信頼性と低損失を実現した1200V耐圧SiC MOSFETディスクリ…

・放熱性を兼ね揃えた絶縁型パッケージ(Rth(j-c)=0.22℃・w Typ) ・ソース端子のインダクタンスの影響を低減して、より高速なスイッチングと低損失を実現する4ピン構造を採用 ・業界トップクラスの低オン抵抗(15mΩ Typ Tj=150℃)...50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package(Isolated)...

メーカー・取り扱い企業： 旭テック株式会社 大阪本社 / 東京支店 / 名古屋営業所

SiCウェーハ

SiC、SiCウェーハ、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon …

SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）は、ケイ素（シリコン、Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体です。SiCはセラミックスの一種であり、非常に優れた機械的特性、化学的安定性、耐熱性などの特徴から、従来は研磨剤などに多く用いられてきました。しかし近年では結晶成長の技術が高まり、Siなどの従来の半導体と比較して効率よく電力を交換でき、さらに発生する熱量も少ないため、シリコンに代わるパワー半導体...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

SiCモジュール『EOシリーズ』

電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサ等用のSiCモジュール

『EOシリーズ』は、電気自動車チャージ、高速電動コンプレッサー等用に 開発された SiCモジュールです。 銀焼結およびSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しており、 高い信頼性と長寿命設計が特長です。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge回路 ■Pressfit端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

絶縁IGBT/Sicドライバ向け　強化絶縁型DC/DCコンバータ

非対称出力が可能で、最大8kVDCの高絶縁耐圧。短絡保護オプション有り…

『RxxP2xx/Rシリーズ』は、医療規格に対応した絶縁IGBT/Sicドライバ向け強化絶縁型DC/DCコンバータです。 非対称出力が可能で、豊富なバリエーションを取り揃えております。 EN/UL60950-1、EN61010認証取得済みで、動作温度範囲は-40～85℃に対応しております。 【特長】 ■非対称出力が可能 ■6.4kVDCまたは8kVDCの高絶縁耐圧 ■短絡保護オプシ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アークテイク

ME-SiCパワーモジュール

SiCの特性により完成されたSiCパワーモジュール

製品：MITSUBISHI ELECTRIC-SiCパワージュール-家電用600V/15A・25A超小型フルSIC DIPIPMは、電力損失の提言； 高温度動作； 高速スイッチング動作；高い放熱効果というSiCの特性を生かして製造された。 ...

メーカー・取り扱い企業： Home Shine ENT. CO., LTD

【株式会社トリニティー】SiCウエハー

次世代パワー半導体　SiCウエハー

【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。 大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載 や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。 【トリニティーでは】 トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社トリニティー

SiCモジュール『HPDシリーズ』

高信頼性・長寿命設計の三相水冷式SiCモジュール

『HPDシリーズ』は、電気自動車、燃料電池車用に開発された 三相水冷式SiCモジュールです。 銀焼結及びSi3N4セラミック低熱抵抗基板を使用しております。 また、厚銅フレームによる内部チップ接続で低接続抵抗（RDC≦0.1mΩ）を 実現します。 【特長】 ■Tjmax=175℃ ■3Phase Full-Bridge回路、大電流出力能力 ■銅Pinfin水冷構造 ■...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

SiC小型高電圧直流電源

可搬型X線診断装置に好適！X線耐性が高いため鉛シールド内に設置可能！

ネクスファイ・テクノロジー株式会社が取り扱う 『SiC小型高電圧直流電源』をご紹介します。 当社オリジナルの超高電圧SiC SBDを使用。 小型軽量で、高速フィードバック回路を搭載しております。 また、中点接地により160kVまで対応可能なほか、X線耐性が 高いため鉛シールド内に設置することができます。 【特長】 ■小型軽量 ■低消費電力 ■超高電圧SiC SBD使用...

メーカー・取り扱い企業： ネクスファイ・テクノロジー株式会社

IGBT/SiC/GaNゲート駆動フォトカプラACFL-3161

出力ピーク電流10A。ノイズが多い環境での高速スイッチングを実現。※参…

『ACFL-3161』は、出力ピーク電流が10Aのゲート駆動フォトカプラです。 モーターやインバーターなど、高い絶縁性能が求められ、 搭載スペースに制約のある産業用アプリケーションで活躍します。 100kV/μsを超えるコモンモード過渡耐性(CMTI)を備えており、 ノイズの多い環境でのゲート駆動の誤動作を防止。 さらに、伝搬遅延は95ns未満のため高速スイッチングが可能になり、...

メーカー・取り扱い企業： ブロードコム（アバゴ・テクノロジー株式会社）

GaN基盤

バンドギャップの広さとスイッチングの速さ、オン抵抗が低いことも有利なポ…

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■...

メーカー・取り扱い企業： エムシーオー株式会社

炭化ケイ素(SiC)半導体デバイス市場調査レポート

SiCデバイス市場は、2023－2035年の予測期間中に30％のCAG…

SiCデバイス市場は、2023年に10億米ドルの市場価値から、2035年までに110億米ドルに達すると推定されています。シリコンに比べて、低いオン抵抗、高電圧、高温、および高周波性能を備えた技術的に開発された半導体は、炭化ケイ素デバイスとして知られています。家庭用電化製品での使用増加がSiCデバイス市場の成長につながっています。SiC デバイスは、高い温度、電圧、周波数しきい値などの利点により、家...

メーカー・取り扱い企業： SDKI Inc.

大容量電源にSiC MOSFET【東芝デバイス＆ストレージ】

産業機器にも最適な1200V ！高速スイッチングや低オン抵抗を実現、電…

東芝デバイス＆ストレージの産業機器・大容量電源向け1200V Sic MOSFETを紹介します。 SiC MOSFETの信頼性を向上させる株式会社東芝の第2世代チップデザインを採用。 ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)を低減します。 また、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵し、 電力損失も低減します。 【応...

メーカー・取り扱い企業： マウザーエレクトロニクス

SiCモジュール『ED3Sシリーズ』

「ED3パッケージ」の2/3サイズに、ED3同等のパワーを提供

『ED3Sシリーズ』は、モータ制御やDC-DCコンバータ等用に開発された SiCモジュールです。 「ED3パッケージ」の3分の2のサイズながら、同等のパワーを提供可能。 また、低寄生インダクタンス設計による高速スイッチングが行えます。 【特長】 ■銀焼結及び高性能Si3N4セラミック低熱抵抗基板を使用 ■Tjmax=175℃ ■Half-Bridge,H-Bridge,Dua...

メーカー・取り扱い企業： エルピーエステック株式会社

ICSシリーズ(SiC_SBD)

SiCによる高電流、高耐圧特性と、高速リカバリ特性により電源の高効率化…

弊社のICSシリーズは、SiCを材料としたショットキーバリアダイオードです。 SiCを材料とすることで、シリコンでは実現できなかった高電流、高耐圧特性とショットキーバリアダイオードの高速リカバリ特性を両立しております。 電源回路のPFC(力率改善回路)やインバータ回路のフリーホイールダイオードに使用することにより、電源の高効率化に貢献し、スイッチング時の余分な消費電力を抑えます。 弊社比較にて、高...

メーカー・取り扱い企業： イサハヤ電子株式会社

SiC高電圧スイッチモジュール

高速制御技術と高電圧絶縁技術により超小型・高電圧スイッチモジュールを実…

当社が取り扱う『SiC高電圧スイッチモジュール』をご紹介します。 高速制御技術と高電圧絶縁技術により超小型・高電圧スイッチ モジュールを実現しました。 モジュールを直並列することにより、さらに高電圧（最大80kV)・ 大電力の高速スイッチが可能です（カスタムオプション）。 【仕様】 ■定格電圧：<20kVdc ■定格パルス電流：500A ■定格電流：<100Adc ■...

メーカー・取り扱い企業： ネクスファイ・テクノロジー株式会社

SiC超高電圧直流電源

90％を超える高効率！直流300kV超高電圧発生部の小型自己シールドを…

当社が取り扱う『SiC超高電圧直流電源』をご紹介します。 超高電圧直流絶縁技術により直流300kV超高電圧発生部の 小型自己シールドを実現。多出力対応が可能です。 また、過電圧、過電流、過温度、保護回路、負荷アーキング検出、 自己復帰シーケンスを内蔵しております。 【特長】 ■超高電圧SiC SBD使用 ■直流300kV超高電圧発生部の小型自己シールドを実現 ■90％を...

メーカー・取り扱い企業： ネクスファイ・テクノロジー株式会社

高温イオン注入・高温アニール受託サービス【SiC、GaN等】

SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のため…

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plas...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社イオンテクノセンター

パワーデバイス（SiC）をチップ化

ドライプロセスの為、水を一切使用せず環境に優しい。カーフロスゼロで生産…

三星ダイヤモンド工業は創業以来の独自技術、SnB「スクライブ＆ブレーク」工法で、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム（GaN）、アルミナ(Al2O3)　、サファイア(Sapphire)、窒化ケイ素（Si3N4）、シリコン(Si)などの基材に、金属膜やシリコーン樹脂が積層されたデバイス基板を精密に切断加工（個片化）する技術です。　 MDI独自技術であるSnB「スクライブ＆ブレーク」によっ...

メーカー・取り扱い企業： 三星ダイヤモンド工業株式会社

SiC ショットキーバリアダイオード

低スイッチング損失を実現するSiC ショットキーバリアダイオード

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー...

メーカー・取り扱い企業： 東芝デバイス&ストレージ株式会社

SIC埋込型Qiワイヤレス充電器『U15QT-7025』

認証取得済！ 業務用に耐える高信頼性、最新Qi15W規格に完全対応

『埋込型Qiワイヤレス充電器：U15QR-7051』は、最大15Wの急速充電が可能な最新Qi埋込型ワイヤレス充電器です。 Qi対応機種と相互通信し、安全で最適な送電を行う事ができる充電器となります。 ［Qi標準 5W / iPhone 7.5w / Android 10w / Qi最新 15w］ Qi充電モジュールのトップカバーには、耐久性と防水性を備えた業界最薄0.5mm厚の樹脂ステッ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社エス・アイ・シー

SiCインゴット

SiC、SiCインゴット、炭化ケイ素、silicon carbide

昇華法によって生産された単結晶SiCインゴットは、高精密加工（Wafering）と高精密洗浄、ファイナル検査を経て、単結晶SiCウェーハとなります。...SiCインゴット製品 4インチ 4H-N 6インチ 4H-N 8インチ 4H-N...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社豊港 半導体材料事業部

鉄道用SiC VVVFインバータの世界市場レポート2023

鉄道用SiC VVVFインバータに関するグローバル市場分析、市場規模、…

2023年10月26日に、QYResearchは「グローバル鉄道用SiC VVVFインバータに関する調査レポート, 2023年-2029年の市場推移と予測、会社別、地域別、製品別、アプリケーション別の情報」の調査資料を発表しました。鉄道用SiC VVVFインバータの市場生産能力、生産量、販売量、売上高、価格及び今後の動向を説明します。世界市場の主要メーカーの製品特徴、製品規格、価格、販売収入及び世...

メーカー・取り扱い企業： QY Research株式会社 QY Research

『SiC素子搭載高周波電源』

高温環境下での連続稼働が可能！フルSiC素子採用による新しい高周波電源

当社では、低損失デバイスSiCを採用した高周波電源を取り扱っています。 スイッチング素子の発熱を抑え、高温環境下での連続仕様および 耐久性を大幅に向上します。 冷却水が不要になり(インバータ部)、ユーティリティコストを節減します。 SiC汎用型高周波電源「HPIシリーズ」と、SiC通電加熱用高周波電源 「MEIシリーズ」をラインアップしています。 【特長】 ■スイッチ...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社第一機電