• 高機能フェライト粉『真球状ナノフェライト粉』 製品画像

    PR磁性インク、磁性流体、各種電子部品等に!酸化しにくく保管も容易なフェラ…

    パウダーテックの『真球状ナノフェライト粉』は、 平均粒径が20~1000nm程度の真球状のナノ(超微粒)フェライト粉です。 分散性に優れており、磁性インク、磁性流体などに使用可能です。 また、各種電子部品への利用も期待されます。 ナノ~サブミクロンサイズであるにもかかわらず酸化しにくいので、 保管も容易。各種溶媒に分散した分散液タイプもあります。 【特長】 ■平均粒径20...(つづきを見る

  • 熱風発生装置 1000℃の高温と大流量を同時実現!※デモ機貸出中 製品画像

    PRオプションで1200℃も可能! デモ機の貸出や無料で設置サービスも行い…

    貞徳舎の『熱風発生装置』は、高温で大流量の熱風がキープできる装置です。 排ガス燃焼、機能性紛体、ロータリーキルンなど多岐にわたりご使用いただけます。 スイッチを入れて5分で1000℃に達するので、 高温になるまで”待つ”といった無駄な工数を削減可能! オプションで1200℃の熱風(大気)を、酸化雰囲気を避けたい用途の時は 窒素(N2)雰囲気下で900℃の熱風を発生することができま...(つづきを見る

  • 10Gb/s 1310nm DFBレーザダイオード 製品画像カタログあり

    10Gb/s 1310nm DFBレーザダイオード – LC TOSA

    STM64 FEC, 10GFC, 10G GbE, 10G GbE FEC and 10GFC FECなどの光通信システム向けにデザインされたDFBレーザです。 IN10Gb/s 1310nm PIN+Preamp – LC ROSA『型番:PIN-1310-10LR-LC』とペアで提案します。 <特長> ビットレート:9.95 to 10.5Gb/s 拡張温度動作:-5 ...(つづきを見る

  • 650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD) 製品画像

    アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Dio…

    Features • 1.9 mm x 1.9 mm active area • opt. band pass filter 640-680 nm • Low dark current • Fast response time...(つづきを見る

  • 面発光レーザー VCSEL  通信用 高速10Gbs 680nm 製品画像カタログあり

    ハイスピード!面発光レーザーのパイオニア企業 波長680nmの赤色VC…

    赤色面発光レーザーVCSELのパイオニア企業、Vixar社の 製品です。 波長680nm マルチモード 高速通信用の面発光レーザーです。 【特長】  ●速さ10Gbs以上、高速通信に適しています。  ●ビーム広がり角が小さく、ビームが絞りやすい製品です。  ●駆動電流が小さ...(つづきを見る

  • 10Gb/s 1310nm PIN+PreAmp 製品画像カタログあり

    10Gb/s 1310nm PIN+PreAmp – LC ROSA

    PIN-1310-10LR-LCは1310nm帯で最大11.3Gbpsデータレートまでサポートするためのトランスインピーダンスアンプ(TIA)内蔵型のInGaAs PINフォトディテクタになります。 <特長> データレート:up to ...(つづきを見る

  • 面発光レーザー VCSEL 680nm 赤色  製品画像カタログあり

    LED代替に!面発光レーザーのパイオニア企業波長680nmの赤色VCS…

    米国 ビクサー社(Vixar, Inc.)がご提供する 波長680nmの赤色VCSEL *詳しくはカタログをご覧いただくか、お問い合わせください。 (カタログは英語表記となっております。)...(つづきを見る

  • 4Gb/s 1310nm FP Laser Diode 製品画像カタログあり

    4Gb/s 1310nm FP Laser Diode – LC TO…

    『FP-1310-4I-LCx』はMOCVD法による1310nm帯InAlGaAsリッジレーダイオードになります。 データレート4Gb/sまでのデータコムやテレコム用途の光源として適当です。...(つづきを見る

  • 面粗さRa1nm【精密研磨/ 鏡面加工】【ラッピング】 製品画像カタログあり

    ◆面粗さ Ra1nm以下◆

    ティ・ディ・シーでは研磨・ポリッシュ・CMPなどの高度技術によって究極の面粗さを実現します。 面粗さRa1 nm以下をほぼ全ての材質で達成可能です!! ...(つづきを見る

  • 面発光レーザーVCSEL850nm ハイパワーアレイ 10W  製品画像カタログあり

    小型・高出力・Wクラスの面発光レーザー(VCSEL)アレイです。FAや…

    米国ビクサー社の、波長850nm、出力10Wのハイパワーマルチモード 赤外線 面発光レーザーVCSELです。 VCSELをアレイ状に並べることで、10Wのハイパワーを実現! FA(ファクトリーオートメーション)や自動運転といっ...(つづきを見る

  • 850nm VCSEL  KLD085VC 製品画像カタログあり

    4Gbpsまでのデータレート送信システム

    VCSEL( Vertical Cavity Surface Emitting Laser Diode:垂直共振器型面発光レーザ)は、短距離間の高速データ通信システム光源として最適です。 850nm VCSEL  KLD085VCは、4GHz までの変調信号に対応します。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

  • シングルモードレーザ 1550nm 高出力シングルモードレーザ 製品画像カタログあり

    高度なMQWチップデザイン パッケージング技術 ODTR装置に適して…

    プリンストンライトウェーブ社の1550nm 高出力シングルモードレーザ PLS-350mW-1550BFです。 高度な単一量子井戸構造のチップ設計とパッケージング技術をご提供します。 【特徴】  ・高出力  ・FBG安定化にも対...(つづきを見る

  • 光スポットセンサ SM3322ARA 製品画像カタログあり

    カラーフィルタ搭載(640nm±60nm) 紫外線照射による蛍光発光イ…

    3322ARA は、1mm2の単一画素フォトダイオードを内蔵したイメージセンサ用IC です。LED を用いた識別機器等の用途向けに、超小型パッケージに収めました。SM3322ARA は受光波長640nm±60nm のカラーフィルタを搭載。シリアルインターフェースを用いた感度設定により光を高感度に検出することができ、LED のばらつきを補正することもできます。 また、暗電流補正回路を内蔵することで...(つづきを見る

  • 平面度 30nm【超精密ラップ】【鏡面研磨 製品画像

    極限の平面度を追求します!

    ◆平面度 30nm以下◆ 弊社独自の超精密ラップ加工により、極限の平面度を実現いたします。 例えば50φの領域において平面度30ナノの精度が実現可能です。 この技術は特に高度な平面が要求される半導体装置...(つづきを見る

  • 445nmレーザダイオード 製品画像

    標準品*オンラインで購入可能【レーザダイオード】

    445nmレーザダイオード Photonicland HPより簡単にご注文いただけます。 お問い合わせフォーム、またはリンクページよりご注文ください。...(つづきを見る

  • 50GHz 1310nm/1550nm高速フォトディテクタ 製品画像カタログあり

    50GHz 1310nm/1550nm高速フォトディテクタ

    trical 3 dB bandwidth  Excellent flat response within 3 dB bandwidth  Support of 1310 and 1550nm  Well matched 50 Ω output  Unique on-chip integrated bias network...(つづきを見る

  • 32nmプロセス技術 新しいIntelⓇCorei7プロセッサ 製品画像カタログあり

    32nmプロセス技術 新しいIntelⓇCorei7プロセッサ

    強化された性能、エネルギー効率、管理のしやすさ、セキュリティ機能と、よりスムーズな視覚的体験を提供します。...【掲載内容】 ○IntelⓇCalpella Mini ITX マザーボード IntelⓇQM57チップセット搭載 EMX-QM57 ○IntelⓇCoreTMi7-620LE/620UE3.5” マイクロモジュール IntelⓇQM57チップセット搭載 ECM-QM57 ○Int...(つづきを見る

  • 紫外線硬化性(UV)樹脂 一般接着用 製品画像カタログあり

    200から400nmの波長による紫外線を当てることにより短時間で硬化可…

    一般にUV樹脂とも呼ばれております。その用途は、接着、コーティング、ポッティングなど多岐にわたります。その用途によって樹脂の特性が多種多様に変化するのもUV樹脂の特徴です。...【特徴】 ○透湿性良好 ○ガラス/セラミックス接着良好 ○可視光硬化 ○プラズマ処理シリコン高接着力 ●その他機能や詳細についてはお問い合わせください。...(つづきを見る

  • 5Gb/s 1310nm FP Laser Diode 製品画像カタログあり

    5Gb/s 1310nm FP Laser Diode – Pigta…

    『FP-1310-5I-xxx』はMOCVD法による1310nm帯InAlGaAsリッジレーダイオードになります。 データレート5Gb/sまでのデータコムやテレコム用途の光源として適当です。...(つづきを見る

  • ALD装置(原子層堆積装置)『P-1000』 製品画像カタログあり

    0.01nmの厚みでコーティング可能!機械部品や医療用インプラントなど…

    『P-1000』は、機械部品、ガラスまたはメタルシート、コイン、ジュエリー、エッチャー装置部品、または医療用インプラントなど、さまざまな3Dオブジェクトのバッチコーティングに適した装置です。 主なアプリケーションには、デバイスの性能や寿命を大幅に向上させるための各種パッシベーションやバリア層などがあります。 またドライエッチングプロセス環境からチャンバーやシャワーヘッド・ノズルなどの部品を...(つづきを見る

  • 光スポットセンサ SM3320AGA 製品画像カタログあり

    カラーフィルタ搭載により特定波長(585nm±30nm)を高感度に検出…

    3320AGA は、1mm2の単一画素フォトダイオードを内蔵したイメージセンサ用IC です。LED を用いた認証機器等の用途向けに、超小型パッケージに収めました。SM3320AGA は受光波長585nm±30nm のカラーフィルタを搭載。シリアルインターフェースを用いた感度設定により光を高感度に検出することができ、LED のばらつきを補正することもできます。 また、暗電流補正回路を内蔵することで...(つづきを見る

  • 広帯域半導体光増幅器『λ-Amp 1040』 製品画像カタログあり

    1W出力の1μm帯広帯域光増幅器!SOAならではの高い安定性とスペクト…

    『λ-Amp 1040』は、半導体ベースながら1Wの出力が可能な光増幅器です。980nm~1085nmに及ぶ広帯域の30dB利得帯域を有し、すべての波長帯域で50%以上のPM-Fiberカップリングを得ることが可能です。ファイバアンプに比べて安定かつスペクトル純度も高く、精密な分光計測...(つづきを見る

  • シリコンフォトダイオード 製品画像

    シリコンフォトダイオード

    .8mmx0.8mm, 1.2mmx1.2mm, 2.0mmx2.0mmの3種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm), 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの3タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も...(つづきを見る

  • シリコン UVセンサー KPDU500F/KPDU500QW 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  高感度(紫外~青)・大受光面積

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F26-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2600nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F22-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2200nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDF030F24-H8 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス カットオフ波長 2400nm 高速・高感度

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 長波長InGaAsフォトダイオード KPDE0301M51 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス 感度波長900-1700nm ・樹脂モールド

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • GaN UVセンサー KPDU37H1 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス InGaNタイプ 360-380nm領域の受光

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • シリコン フォトトランジスタ KPT081M31 製品画像カタログあり

    計測制御用受光デバイス  透明樹脂モールドタイプ・低暗電流

    情報システム)用途へと市場を拡大するとともに、画像処理、監視カメラ、植物育成用光源、殺菌・滅菌やガス分析などの新たな用途開拓にも注力しています。 可視光線より短波長の領域ではV-A(315-380nm)のPDやLED、UV-B(280-315nm)の紫外線(UV)センサの開発を、一方の赤外線より長波長の領域では、近赤外線(Near Infrared)(1.0-2.5μm)のPDやLED、更には中...(つづきを見る

  • 半導体・液晶エッジ露光用UV-LED光源装置 WEE EW-04 製品画像カタログあり

    半導体ウエハ及び液晶パネルエッジ露光用 UV-LED光源装置

    EW-04は、半導体ウエハ及び液晶パネルエッジ露光用のUV-LED光源装置です。使用環境温度は15~32℃、湿度は30~60%RH、電源電圧は単相で100~240Vです。発光ピーク波長は365±5nm、光出力安定度は±5%以内になります。また、UV-LEDの照射ON/OFF機能があり、リモート及びマニュアル制御により点灯/消灯が可能です。さらに、光量調整機能はUV-LEDの電流調整ができ、光量調...(つづきを見る

  • 1.55μm EA-DFB-LD  製品画像

    IC内臓10GbpsデバイスLD

    ・10Gbps 直接変調 ・19ピンパッケージ ・LD駆動ドライバIC内蔵 ・アンクールド(0〜75℃)動作・6.6ps/nm(2km)〜40ps/nm(12km)伝送 ・コプレーナライン差動信号入力 ...(つづきを見る

  • 三重富士通セミコンダクター株式会社 事業紹介 製品画像カタログあり

    30年以上の製造実績を持つ半導体製造受託メーカー

    三重富士通セミコンダクター株式会社は、三重県桑名市の300mm ウェハー工場で研究開発された超低消費電力、不揮発メモリなどの 独自技術をお客様に提供しております。 40~90nmのプロセステクノロジーを使用し、高いレベルで品質管理 された製品を製造・量産します。ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【事業内容】 ■半導体の製造 ※詳しくはPDFをダウン...(つづきを見る

  • 不揮発メモリマクロ PermSRAM(R) 製品画像カタログあり

    不揮発メモリマクロ PermSRAM(R)

    【特徴】 ○複数回書き換え可能なMTP不揮発メモリとして最小のマクロサイズを提供 ○SRAM同様のインターフェースで、SRAM並の高速な  リード/ライト時間で使用する事が可能 ○65nm以降の最新のCMOSプロセス世代までの幅広いプロセスをカバー ○150度C以上の高温データ保持特性 ○テスト容易性を持つ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。 ...(つづきを見る

  • 波長可変レーザ(『λ-Lock』/ 『λ-Impulse』) 製品画像カタログあり

    【新製品のご紹介!】波長可変レーザ・分光用波長可光源をご紹介!【レーザ…

    ●その他使用● 【波長安定化レーザ『λ-Lock』】 ■920nm~1085nmの任意波長で製作可能 ※標準品:976nm(488nm)、1060nm(530nm) 【ナノ秒/ピコ秒 波長可変レーザ『λ-Impulse』】 ■波長帯域:920nm~100...(つづきを見る

  • GaAsフォトダイオード KPDG008 製品画像カタログあり

    780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー

    【特徴】 ○高速GaAsフォトダイオード ○受光面積:80µmφ ○暗電流(Typ.):30pA@5V ○パッケージ:ハーメチックシール ピグテール ○780-850nm VCSEL用DC-2.5Gbps レシーバー ○設計の最適化により、低容量・高速応答性を実現 ○低暗電流 ○高信頼性 ○ファイバー付きパッケージも対応可能(オプション) ●詳しくはお...(つづきを見る

  • OPTO DIODE社 XUV−UV検出用Siフォトダイオード 製品画像カタログあり

    軟X線〜UV領域での内部量子効率がほぼ100%

    ★特長★ ‐ 対応波長感度領域*:0.04nm〜1100nm (エネルギー領域:1.12eV〜30KeV) * モデルによって対応領域が異なりますので、ご注意下さい。 ‐ 100%内部量子効率(Q.E.), 耐放射線性, 高ダイナミックレン...(つづきを見る

  • レーザダイオード 製品画像

    レーザダイオード

    ドイツ First Sensor社(ファーストセンサ社)のレーザダイオード635~905 nmと幅広い波長ラインナップでシングル、マルチモード共に用意しております。 また各LDに合ったPD,APDも用意しておりセットでのご提案対応させていただきます。...(つづきを見る

  • 2.5Gb/s 直接変調用 DFB-LD 製品画像

    2.5Gb/s 直接変調用 DFB-LD

    ・ITUグリッド対応(Cバンド) ・2.5Gb/s直接変調用レーザ ・バタフライ型14ピンパッケージ  ・ペルチェクーラ、光アイソレータ内蔵 ・最大3200ps/nm(160〜200km)までの伝送路分散に対応 ...(つづきを見る

  • CWDM用 DFB-LD  製品画像

    CWDM用 DFB-LD

    CWDM 用発光デバイス・8波長(1470,1490,1510,1530,1550,1570,1590,1610nm) 、チップタイプ:DFB-LD 、パッケージ:キャンタイプ/同軸ピグテイルタイプ ...(つづきを見る

  • GaAs PD-TIAレシーバー  KPGX1G/2G/4G 製品画像カタログあり

    低ノイズ/高速トランスインピーダンスアンプ搭載PD

    yp →KPGX1G:-24 @3.3V →KPGX2G:-20 @3.3V →KPGX4G:-17 @3.3V ○パッケージ:ハーメチックシール ピグテール LC-ROSA ○波長850nm光データリンク用 ○低ノイズ/高速トランスインピーダンスアンプ搭載PD ○PDモニタ電流取り出し端子付き5ピンパッケージ ○高信頼性 ○ファイバー付き/LC-ROSAパッケージ対応可能(オプ...(つづきを見る

  • カスタム対応可 Φ200mm ナノパターンウエーハ  製品画像カタログあり

    試作開発に最適!半導体業界、液晶、燃料電池など多くの業界で採用されてい…

    パターンサイズにつきましては、下記仕様以外にも対応可能ですので、ご相談下さい。 【パターンサイズ】 ○パターン寸法 →75nm 100nm 150nm 200nm ○パターン形状 →ライン&スペース、ピラー ○ショットサイズ →4mm□ ○基板 →合成石英、シリコンウエーハ、など ○基板サイズ →Φ200m...(つづきを見る

  • 『ショートアークUVランプ』 製品画像カタログあり

    UVランプのことなら当社におまかせください

    体デバイス・フラットパネルディスプレイ・ プリント配線板などのフォトリソグラフィー工程において、 露光装置のUV光源として使用されます。 平行光による露光処理に適した輝線スペクトル(365nm、405nm、436nm)を 放射する高輝度点光源ランプです。 【製品ラインアップ】 ■半導体向けUVランプ ■フラットパネルディスプレイ向けUVランプ ■プリント配線板向けUVランプ...(つづきを見る

  • アバランシェフォトダイオード(APD) 製品画像カタログあり

    レーザー距離計の受光部、短波長光通信、シンチレーターに最適

    【ラインナップ】 ■KPDA020  受光径0.2mm、検出波長400〜1,000μm(λp=670nm)  受光感度0.45A/W(λ=800nm)、増倍率100倍以上(逆バイアス1V) ■KPDA050:受光径0.5mm、検出波長400〜1,000μm(λp=670nm)  受光感度0....(つづきを見る

  • 高温対応フォトダイオード 製品画像カタログあり

    産業用機器向け各種センサ、計測機器などの高信頼性を要求される用途に最適

    【ラインナップ】 ○KPD1201H  検出波長400〜1,000nm(λp=880nm)、短絡電流60μA(1,000lx)  受光面積0.92x0.92mm、CANタイプ。 ○KPD1803H:検出波長400〜1,000nm(λp=840nm)  短絡電...(つづきを見る

  • 非通信用光アイソレータ 製品画像

    近赤外光源用の光インラインアイソレータ

    ●近赤外光源用の光インラインアイソレータ ●小型サイズ(径5×39.5mmを基本とします) ●特殊波長(850nm 1040nm 2000nm)等、各種用途別に承ります...(つづきを見る

  • 【JEN】高出力半導体レーザJOLD-100-CPXF-2P A 製品画像カタログあり

    パッシブ冷却式ファイバカップリング型の高出力半導体レーザです

    【特長】  ○パッシブ冷却式ファイバカップリング型の高出力半導体レーザ ○出力:100W、140W ○ファイバーコア径:0.4mm、0.6mm ○波長:808nm~976nm ○冷却:工業用水、空気による冷却も可能 ○20,000時間以上の長寿命 ●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。...(つづきを見る

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