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資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】
PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!
エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...
メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】
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PR先端デバイスの開発など、優れた信号解析性能が要求されるアプリケーション…
高性能オシロスコープPicoScope 6428E-Dは、 既存のPicoScope 6000Eシリーズの性能を拡張したもの。 高エネルギー物理学、LIDAR、VISAR、分光分析、加速器、 および他の高速信号解析に取り組む科学者や研究者にとって理想的なツールです。 【特徴】 ・周波数帯域 3 GHz ・最高サンプリング速度 10 GS/s ・分解能可変8-12ビット ・メモリ4GS ・アナロ...
メーカー・取り扱い企業: Pico Technology Ltd.
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可搬型X線診断装置に好適!X線耐性が高いため鉛シールド内に設置可能!
ネクスファイ・テクノロジー株式会社が取り扱う 『SiC小型高電圧直流電源』をご紹介します。 当社オリジナルの超高電圧SiC SBDを使用。 小型軽量で、高速フィードバック回路を搭載しております。 また、中点接地により160kVまで対応可...
メーカー・取り扱い企業: ネクスファイ・テクノロジー株式会社
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90%を超える高効率!直流300kV超高電圧発生部の小型自己シールドを…
当社が取り扱う『SiC超高電圧直流電源』をご紹介します。 超高電圧直流絶縁技術により直流300kV超高電圧発生部の 小型自己シールドを実現。多出力対応が可能です。 また、過電圧、過電流、過温度、保護回路、...
メーカー・取り扱い企業: ネクスファイ・テクノロジー株式会社
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高温環境下での連続稼働が可能!フルSiC素子採用による新しい高周波電源
当社では、低損失デバイスSiCを採用した高周波電源を取り扱っています。 スイッチング素子の発熱を抑え、高温環境下での連続仕様および 耐久性を大幅に向上します。 冷却水が不要になり(インバータ部)、ユーティリティコ...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社第一機電
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低耐圧FETから、高耐圧(1500V)まで各種製品を揃えています。 …
Potens(ポテンツ)は、2012年9月に設立された台湾FABレスメーカーです。 汎用の低耐圧から1000V以上の高耐圧まで幅広いラインアップがあり、 SiCや話題のGaNなどライアップ拡充しており、他社相当品も豊富! パワー半導体製品の開発を行っており、10V耐圧~1500V耐圧まで幅広くラインアップしています。 <10V耐圧~100V耐圧M...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社セイワ
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パワーデバイス売上ランキング掲載!AC/DC、DC/DC、DC/AC変…
当資料は、新しいパワエレ電源の動向について詳しくご紹介している ロジフル情報マガジンです。 パワーデバイスの市場規模(現状と予測)や、SiC/GaNデバイスの 適用範囲などを含めた、素子の動向を解説。 AC/DC、DC/DC、DC/AC変換技術概要も掲載し、これらの技術の今後に ついても触れておりますので、ぜひご一読ください...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社ロジフル
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SiCデバイスを使って電源を効率化!ダイオードの種類と特長について簡単…
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ 半導体材料をSiからSiC(炭化ケイ素)にすることで、ショットキーバリア ダイオード(SBD)の耐電圧が向上し、PCSのDC/DCコンバータで 使用できるようになりました。 SiCにすると性能は良くなるのですが、...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社Wave Technology
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5kWで18kgの軽量・省スペース!直列モデルでは最大1000Vに対応…
『PBWシリーズ』は、変換効率最大92%の回生双方向直流電源です。 パワーユニット全てにSiC MOSFETを使用した高周波スイッチングと 回生技術により、高い変換効率と従来の構成と比較して約80%の圧倒的な 小型・軽量化を実現。 これらにより、限られたスペースで大容量の直流安定...
メーカー・取り扱い企業: 株式会社テクシオ・テクノロジー
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