資料『次世代半導体の今を説く～SiC・GaN解説～』【進呈中！】

PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに！

エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく！ ...

メーカー・取り扱い企業： ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】

【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

PRmm単位を超える広い面内測定範囲！多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

メーカー・取り扱い企業： 株式会社新興製作所

アスムスの材料シミュレーション受託解析サービス

アスムスは、原⼦スケールの材料シミュレーション解析サービスを提供してい…

子状態解析　ワイドギャップ半導体酸化表面 / 二次電池電極-電解質界面 / アモルファス酸化物のXPS / 窒化物半導体の電子エネルギー損失分光(EELS) / 希土類磁石界面の磁気相互作用 / SiCらせん転位 / 鉄の水素脆化 / 電子スピン共鳴(ESR, EPR)のgテンソル ■構造探索　電子励起を考慮した構造最適化計算 / 成膜プロセスにおける分子吸着構造の解析 ■古典分子動力学　熱...

メーカー・取り扱い企業： 株式会社アスムス

京セラの薄膜技術／薄膜成膜　1

卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付…

T） 微小変位の制禦できる、圧電薄膜。 ・サーミスタ薄膜（Cr-Al） 温度による抵抗値変化が適当であり、測定しながら 細かな温度制禦ができる、サーミスタ特性をもつ薄膜。 ・高硬度薄膜（SiC,ダイヤモンドライクカーボン：DLC） 母材にやさしい、250℃以下の低温成膜による、 密着性のよい、用途に応じた高硬度薄膜。 ・光触媒薄膜（TiO2） 紫外光を浴びることで、有機物を分解...

メーカー・取り扱い企業： 京セラ株式会社 プリンティングデバイス事業本部