• 資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】 製品画像

    資料『次世代半導体の今を説く~SiC・GaN解説~』【進呈中!】

    PR次世代半導体SiC・GaNの新情報がここに!

    エネルギーの効率的な利用と環境への配慮が今後ますます重要となる中で 従来のシリコン半導体よりも優れた特性を持つ次世代半導体が大きな注目を浴びています。 その中でSiC(シリコンカーバイト)・GaN(窒化ガリウム)の特徴や課題を解説しております。 次世代半導体に触れ、未来の製品開発のヒントとなれば幸いです。ぜひご活用ください。 技術革命の先駆けとなる情報が今すぐあなたの手に。お見逃しなく! ...

    メーカー・取り扱い企業: ジェルグループ【株式会社ジェルシステム/株式会社ナカ アンド カンパニー】

  • 【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定 製品画像

    【加工事例】白色干渉顕微鏡による加工面の測定

    PRmm単位を超える広い面内測定範囲!多結晶セラミックスとSiC単結晶の測…

    当社で新たに導入した、白色干渉顕微鏡による加工面の測定事例をご紹介します。 白色干渉顕微鏡は、光の干渉現象を利用して「表面形状」を計測、解析する 顕微鏡。測定対象材質を問わず、3D計測で面粗さ・線粗さに対応します。 多結晶セラミックスのワイヤースライス面からポリシング面の測定では、 スライス面Sa 0.8446 μm、ラッピング面Sa 0.2506 μm、ポリシング面 Sa 0....

    • 11.PNG
    • 12.PNG
    • 13.PNG
    • 14.PNG
    • 16.PNG

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社新興製作所

  • 静電ロゴスキーコイル電流測定器『CWT Mini50HF』 製品画像

    静電ロゴスキーコイル電流測定器『CWT Mini50HF』

    容量性カップリングによる不必要な電圧障害を減衰!的確な電流の測定が可能

    影響を受けにくく、的確な電流の測定が可能となります。 また測定可能な立ち上がり時間は10~50nsとなり、HF周波数特性が (-3dB)50MHzまで拡大したことにより次世代パワー半導体 SiC・GaNへの 測定にも適しています。 【特長】 ■静電シールドがコイルに内蔵 ■電圧の干渉を抑える ■的確な電流の測定が可能 ■測定可能な立ち上がり時間は10~50ns ■HF周...

    メーカー・取り扱い企業: 株式会社トランシー

  • AC/DC カレントセンサ CT6904, CT6904-60 製品画像

    AC/DC カレントセンサ CT6904, CT6904-60

    世界最高クラスの測定帯域と高確度を両立した、電流センサのフラグシップモ…

    広帯域でフラットな周波数特性のCT6904シリーズは、基本波だけでなく、スイッチング周波数の電流も正確に測定します。需要の高まるSiC・GaN インバータやリアクトル・トランスの損失測定においても、高品質な測定が可能です。 独自の形状が安定した設置を可能にし、測定導体の最短配線に役立ちます。 ※500A定格仕様の「CT6...

    メーカー・取り扱い企業: 日置電機株式会社

1〜2 件 / 全 2 件
表示件数
45件
  • < 前へ
  • 1
  • 次へ >

※このキーワードに関連する製品情報が登録
された場合にメールでお知らせします。

  • 4校_0513_tsubakimoto_300_300_226979.jpg
  • 修正デザイン2_355337.png

PR