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PRヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印…
ヘリコンプラズマソースをイオン源として、ターゲット、基盤へのバイアス印加により高品質かつフレキシブルな成膜をする装置です。 イオン源、ターゲット、基盤それぞれに対して独立した電流制御を行います。 複数のターゲットを搭載し、切り替えての多層成膜も簡単に行えます。同時にターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多層光学薄膜も成膜可能。新たな素材探索や成膜...
メーカー・取り扱い企業: ティー・ケイ・エス株式会社
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高安定度・吊下げ方式の3軸フラックスゲート磁力
仕様 傾斜補正方式 :非磁性金属片による検出器の吊下げ 磁場補正量 :±64,000nT/150nTステップ アナログ出力 :±10V 分解能 :0.1nT 長期間ドリフト:3nT/年 バンド幅 :DC ...
メーカー・取り扱い企業: パワーニクス研究所
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